金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō)，中國(guó)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是有全世界最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，有超過(guò)1萬(wàn)億人民幣的規(guī)模，全球占比34%，領(lǐng)先美國(guó)（27%），更大幅領(lǐng)先歐洲和日韓，金航標(biāo)電子是在的中國(guó)的連接器市場(chǎng)也
2024-03-18 11:39:25
成為“國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者”！薩科微公司“slkor”品牌的SL系列可控硅產(chǎn)品可以國(guó)產(chǎn)替代對(duì)標(biāo)替換TI德州儀器、ON安森美、ST意法半導(dǎo)體、IR、MPS、Atmel、AMS等產(chǎn)品的型號(hào)BTA06-800B
2024-03-15 11:22:07
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管），現(xiàn)在也有用碳化硅做材料的二極管，美國(guó)的cree和深圳薩科微slkor（www.slkoric.com)半導(dǎo)體推出
2024-03-05 14:23:46
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
近日，百傲化學(xué)與蘇州芯慧聯(lián)半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“芯慧聯(lián)”）宣布，雙方擬簽訂《半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)合作協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，百傲化學(xué)將委托芯慧聯(lián)以自有資金購(gòu)買半導(dǎo)體設(shè)備，合同價(jià)款合計(jì)不超過(guò)1.4億元。芯慧聯(lián)將負(fù)責(zé)對(duì)所購(gòu)設(shè)備進(jìn)行再制造、升級(jí)改造和技術(shù)服務(wù)，并擁有對(duì)外銷售的權(quán)利。
2024-02-04 09:19:37706 在當(dāng)前的資本寒冬中，江蘇云途半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“云途半導(dǎo)體”）憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和商業(yè)化前景，成功完成了B2輪數(shù)億元融資。本輪融資由國(guó)調(diào)基金領(lǐng)投，聯(lián)合錫創(chuàng)投等知名機(jī)構(gòu)共同參與，充分體現(xiàn)了投資人對(duì)云途半導(dǎo)體的堅(jiān)定信心。
2024-02-04 09:16:28613 廣泛，第三個(gè)是中國(guó)企業(yè)跟國(guó)外同類企業(yè)相比，在高中低壓的MOS管、橋堆、可控硅中低端產(chǎn)品我們有一定的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，在產(chǎn)品交付、售后服務(wù)等方面都有優(yōu)勢(shì)，我們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)努力還是大有可為的。深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體
2024-02-02 09:52:12
、醫(yī)療等領(lǐng)域。 半導(dǎo)體是指具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間電導(dǎo)率的材料。半導(dǎo)體材料通常具有四價(jià)或五價(jià)原子，它的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體（如金屬）和絕緣體（如塑料）之間。半導(dǎo)體具有很多特殊的物理和化學(xué)特性，使其成為制造芯片的理想材料。 從物理結(jié)構(gòu)上，半
2024-01-30 09:54:21532 在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分，通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
鑒于掩膜版制作技術(shù)難度大，故我國(guó)在 130nm 及其以下制程節(jié)點(diǎn)對(duì)國(guó)外進(jìn)口的依賴程度較深。據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)一網(wǎng)通辦公布的信息，江蘇路芯半導(dǎo)體科技是蘇州路行維遠(yuǎn)、蘇州產(chǎn)業(yè)基金和睿興投資三家機(jī)構(gòu)聯(lián)手打造的
2024-01-19 14:09:08432 對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過(guò)化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來(lái)。
材料介質(zhì)層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案，制造過(guò)程會(huì)在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過(guò)化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過(guò)控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481388 的關(guān)注。 首先，PFA具有優(yōu)秀的耐化學(xué)腐蝕性。半導(dǎo)體芯片在制造和使用過(guò)程中，會(huì)接觸到各種化學(xué)物質(zhì)，如酸、堿、鹽等。PFA的穩(wěn)定性對(duì)這些化學(xué)物質(zhì)具有極高的抗性，從而保證了芯片的安全和穩(wěn)定。這一點(diǎn)在半導(dǎo)體行業(yè)的嚴(yán)格質(zhì)量控制中尤為重要。
2023-12-18 13:58:21188 全新成立的江蘇盤古半導(dǎo)體科技總部預(yù)計(jì)設(shè)在江蘇南京浦口區(qū)，其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括集成電路制造、電子元器件生產(chǎn)、集成電路芯片及產(chǎn)品制造及銷售等。當(dāng)前，由于摩爾定律逐步減緩，先進(jìn)封裝已成為突破摩爾極限的關(guān)鍵手段。
2023-12-14 09:56:57449 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過(guò)程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）12月6日，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商，江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：艾森半導(dǎo)體）自2010年成立以來(lái)，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 2023年11月15日，博格華納集團(tuán)與江蘇富樂(lè)華半導(dǎo)體科技股份有限公司進(jìn)行了戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署。
2023-11-29 10:13:46303 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
2023年11月18日-19日，由江蘇省電源學(xué)會(huì)主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件與高頻電力電子變換器高級(jí)研修班”技術(shù)培訓(xùn)活動(dòng)在南京航空航天大學(xué)（南航）自動(dòng)化學(xué)院成功舉辦。國(guó)產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體
2023-11-21 08:17:17367 
人工智能（AI）是預(yù)計(jì)到2030年將成為價(jià)值數(shù)萬(wàn)億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，它對(duì)半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最復(fù)雜的問(wèn)題來(lái)自于需要通過(guò)新的刻蝕技術(shù)來(lái)解決的器件制造挑戰(zhàn)。
2023-11-16 16:03:02164 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于連接技術(shù)的要求也越來(lái)越高。傳統(tǒng)的金屬接頭在高溫、高壓和高輻射環(huán)境下存在許多問(wèn)題，而PFA接頭作為一種高性能的塑料接頭，正逐漸得到廣泛的認(rèn)可和應(yīng)用。本文將圍繞晶圓制造
2023-11-09 17:47:47204 半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來(lái)的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對(duì)這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問(wèn)題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
管在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)備受關(guān)注。 華林科納是一家專注于生產(chǎn)高性能氟化共聚物材料的公司。其生產(chǎn)的PFA管具有優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、低摩擦系數(shù)和高絕緣性能等特性。在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域，華林科納的PFA管具
2023-10-17 10:19:25199 隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟，而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時(shí)，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個(gè)重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 ▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
我們華林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 隨著科技的快速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面，從手機(jī)、電腦到各種高精尖的工業(yè)設(shè)備中。而在這些技術(shù)背后，金作為一種貴金屬，以其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中扮演著不可替代的角色。
2023-08-19 11:42:36660 半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過(guò)化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:15738 半導(dǎo)體制造需要來(lái)自世界各地的各種材料。據(jù)tsmc的2022年年報(bào)，tsmc由12家企業(yè)向世界最大規(guī)模的純晶片工廠供應(yīng)化學(xué)產(chǎn)品，由法國(guó)液化空氣（Air Liquide）、美國(guó)空氣化工（Air
2023-08-17 11:06:35362 據(jù)泰州科技消息，8月11日，江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院/長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心半導(dǎo)體先進(jìn)陶瓷材料研究所正式揭牌落戶江蘇泰興高新區(qū)。
2023-08-16 16:20:35532 半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
的影響。高純PFA擴(kuò)口接頭采用高度純凈的PFA材料制造，確保管道系統(tǒng)中的流體不受雜質(zhì)污染。這種高純度的材料選擇有助于維持制程的穩(wěn)定性，降低產(chǎn)物缺陷率，從而提高光伏器件的性能和效率。 其次，半導(dǎo)體光伏工藝涉及許多化學(xué)反應(yīng)和腐蝕性
2023-08-14 16:51:29275 在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨(dú)立式電量計(jì)IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 發(fā)展。自2019年首次舉辦以來(lái)，世界半導(dǎo)體大會(huì)已經(jīng)成長(zhǎng)為行業(yè)內(nèi)具有重要影響力的會(huì)議。本次大會(huì)由江蘇省工業(yè)和信息化廳、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)等
2023-07-31 23:04:59385 
的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī)，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī)，以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556 
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594139 領(lǐng)軍企業(yè)”的稱號(hào)。 此次大會(huì)由江蘇省工業(yè)和信息化廳和南京江北新區(qū)管理委員會(huì)共同主辦，賽迪顧問(wèn)股份有限公司、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研創(chuàng)園、南京浦口經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)和南京潤(rùn)展國(guó)際展覽有限公司共同承辦，匯聚半導(dǎo)體領(lǐng)域行業(yè)協(xié)
2023-07-25 16:54:511039 未來(lái)發(fā)展。 自2019年首次舉辦以來(lái)，世界半導(dǎo)體大會(huì)已經(jīng)成長(zhǎng)為行業(yè)內(nèi)具有重要影響力的會(huì)議。本次大會(huì)由江蘇省工業(yè)和信息化廳、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)等多家單位聯(lián)合組織。同期的專業(yè)展會(huì)展覽面積達(dá)20000平方米，圍繞
2023-07-20 17:45:04295 
陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示
2023-07-14 08:47:03356 從當(dāng)前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體來(lái)看，呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家數(shù)量多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。按區(qū)域來(lái)看，目前中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)主要分布在長(zhǎng)三角和珠三角等地。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年6月底，廣東共有相關(guān)功率半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)114家，江蘇則有82家。
2023-07-13 11:36:34641 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)（屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)），利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的工具設(shè)計(jì)及生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)......是一個(gè)非常廣泛的產(chǎn)業(yè)鏈體系。
2023-07-11 11:16:233952 
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來(lái)超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過(guò)，而絕緣體則不允許電流通過(guò)。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572170 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
7月19-21日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦的2023世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)，將亮相南京國(guó)際博覽中心。 除了打造開幕式暨高峰論壇、高質(zhì)量發(fā)展企業(yè)家峰會(huì)、創(chuàng)新
2023-06-21 10:40:38459 
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
尿液分析儀用于快速分析尿液中的各種成分，檢測(cè)尿液中的病理變化，為醫(yī)生診斷疾病提供依據(jù)。半導(dǎo)體制冷器在尿液分析儀中的工作原理主要是利用半導(dǎo)體的熱電制冷效應(yīng)產(chǎn)生低溫，為化學(xué)發(fā)光檢測(cè)等提供穩(wěn)定的低溫環(huán)境
2023-06-18 10:07:10455 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
江蘇昆山 6月7日，2023昆山市（深圳）招商推介會(huì)舉行，期間，同興達(dá)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目簽約落戶江蘇昆山。 據(jù)“金千燈”消息顯示，深圳同興達(dá)科技股份有限公司計(jì)劃在千燈鎮(zhèn)與日月光（昆山）半導(dǎo)體有限公司合作，投資興建先進(jìn)封裝技術(shù)的
2023-06-12 09:37:08831 5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì)，參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等多種形式的活動(dòng)，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來(lái)看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
日前，英國(guó)品牌估值咨詢公司“品牌金融”(Brand Finance)發(fā)布最新“全球半導(dǎo)體品牌價(jià)值20強(qiáng)(Brand Finance Semiconductor 20 2023)”報(bào)告。報(bào)告顯示，在
2023-04-27 10:09:27
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 [技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074 全國(guó)領(lǐng)先的制造干濕制程設(shè)備、自動(dòng)供/排液系統(tǒng)等設(shè)備的設(shè)計(jì)生產(chǎn)商江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司于4月14日亮相2023慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展。
2023-04-20 09:19:22433 
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198
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