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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

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2020-06-24 09:41:071694

二維GeSe2面內(nèi)各向異性及短波偏振光探測的研究

作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料,黑磷因其獨(dú)特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期,幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相繼報(bào)道。
2020-12-24 12:20:19974

次氯酸鈉對單晶硅表面的紋理蝕刻

單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔,它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:07857

醇類添加劑對KOH溶液蝕刻特性的影響

我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低,通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性,并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641

各向異性濕法蝕刻技術(shù)制作的低損耗硅波導(dǎo)

低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù),我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712

用于化學(xué)分析的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時(shí),使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152

對于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力,改變了硅的蝕刻各向異性,顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率,并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上產(chǎn)生由( 100)和(111)平面組成的孔。在這種情況下,孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個(gè)表面,則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14372

使用酸性溶液對硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻

在本文中,我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物,獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成,隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理,雖然沒有完全理解,將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

情況下,控制蝕刻浴溫度和蝕刻劑濃度對于成功創(chuàng)建微結(jié)構(gòu)和后續(xù)批次的可重復(fù)性至關(guān)重要。 1.各向同性和各向異性蝕刻有何不同 硅片具有單晶晶格結(jié)構(gòu),在各個(gè)方向重復(fù),但各個(gè)方向的密度不同。垂直平面包含與對角平面不同數(shù)量
2022-03-09 16:48:342018

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336

一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝

我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝,通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581

硅在KOH溶液中陽極氧化的各向異性

由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時(shí)間結(jié)果的強(qiáng)烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進(jìn)行的光電流實(shí)驗(yàn)表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機(jī)理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性
2022-03-22 15:36:40550

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn),測量了所有方向蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透

各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19666

鐵磁材料的應(yīng)力致磁各向異性特性研究

實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%,1010
2022-04-14 13:57:511214

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19591

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向蝕刻
2022-05-05 16:37:362656

堿性KOH蝕刻特性的詳細(xì)說明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419

HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用

在本文中講述了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性蝕刻輪廓,還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。
2022-05-09 15:11:45442

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn),并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間,從邊緣控制蝕刻蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781

硅KOH蝕刻:凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113

金屬蝕刻殘留物對蝕刻均勻性的影響

引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904

晶圓的濕法蝕刻法和清潔度

本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液,在晶圓表面,為了形成LSI布線,現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式,這是因?yàn)楦煞?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻與濕法蝕刻相比,各向異性較好,對于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538

可潤濕表面圖案化的簡便無掩模限制蝕刻策略

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,鑒于此,四川大學(xué)王玉忠院士和宋飛教授開發(fā)了一種用于本征可潤濕表面圖案化的簡便無掩模限制蝕刻策略。使用常見的印刷技術(shù)和隨后的位置限制化學(xué)蝕刻,可以制造分辨率為200μm的固有、復(fù)雜和精確的圖案(如QR碼)。所創(chuàng)建的各向異性圖案可用于實(shí)現(xiàn)水響應(yīng)信息存儲和加密。
2022-07-11 15:09:30894

什么是等離子蝕刻 等離子蝕刻應(yīng)用用途介紹

反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553386

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個(gè)矢量方向蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用

,在單向彈性應(yīng)力加載條件下,通過改變外磁場施加方向,探究鐵磁材料的應(yīng)力致磁各向異性特性。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:信號發(fā)生器,功率放大器ATA-4014,激勵線圈,TMR探頭,示波器
2022-09-23 09:22:49340

結(jié)構(gòu)參數(shù)對各向異性磁電阻(AMR)磁場傳感器性能的影響

鎳鐵(NiFe)合金具有較強(qiáng)的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實(shí)現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點(diǎn),成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377

什么是各向異性刻蝕?

各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限,因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu),其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:52180

RFID各向異性導(dǎo)電膠類型和可靠性

各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向導(dǎo)電,即垂直導(dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時(shí)
2024-01-05 09:01:41232

各向異性導(dǎo)電膠原理 各向異性導(dǎo)電膠的工藝步驟

能和機(jī)械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細(xì)介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當(dāng)導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時(shí),導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實(shí)現(xiàn)
2024-01-24 11:11:56466

基于3D打印的各向異性壓阻式壓力傳感器,實(shí)現(xiàn)方向力感知

各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223

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