美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:24
1182 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081422 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3588 ChiL數(shù)字控制IC，以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件
2012-08-29 09:26:141159 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出IR4311M 和IR4312M，以擴(kuò)充PowIRaudio? 集成式功率模塊系列。
2013-01-14 11:38:242117 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性。
2013-02-26 11:25:121554 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布推出汽車級(jí)COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電
2013-05-20 15:13:301738 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出單通道IR4321M和雙通道IR4322M集成式功率模塊以擴(kuò)充
2013-05-29 15:18:372136 隨著電動(dòng)車的普及，如何為其提供穩(wěn)定、高效的充電解決方案成為了許多車主關(guān)心的問題。為此，我們推出了一款12-80V降壓5V/2A DC-DC恒壓電動(dòng)車USB充電IC，為您的出行充電提供便利。這款充電
2023-12-21 15:27:51
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
AUIRF7640S2TR - DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7640S2TR1 - DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7647S2TR - DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7647S2TR1 - DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7648M2TR1 - DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7665S2TR - DirectFETPower MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
2023-03-29 10:41:39
AUIRF7665S2TR1 - DirectFETPower MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7669L2TR - Automotive DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7669L2TR1 - Automotive DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
AUIRF7739L2TR - Automotive DirectFETPower MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2
2023-03-29 10:49:47
AUIRF7739L2TR1 - Automotive DirectFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22:44
請(qǐng)問下各位前輩，IR2117這樣設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)mosfet的通斷起控制作用嗎
2016-11-17 16:35:54
IR推出正弦和梯形電機(jī)控制堅(jiān)固型單相高壓IC系列 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出用于空調(diào)、電扇、水泵、微型
2008-11-13 20:40:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
A。同樣的芯片采用傳統(tǒng)的D2PAK封裝，其通態(tài)電阻為1.8 mΩ，額定漏電流為195 A。其他改進(jìn)的功率封裝包括功率四方扁平無(wú)引腳封裝(PQFN)和DirectFET等封裝。PQFN封裝具備多種變體
2019-05-13 14:11:31
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或
2021-04-23 07:04:52
，RDown為驅(qū)動(dòng)電路的下拉電阻，關(guān)斷時(shí)柵極總的等效串聯(lián)柵極電阻RGoff=RDown+RG1+RG2。圖1：功率MOSFET驅(qū)動(dòng)等效電路圖2：功率MOSFET關(guān)斷波形（1）模式M1：t5-t6柵極驅(qū)動(dòng)
2017-03-06 15:19:01
的開關(guān)過程基于電流源來討論。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)加在功率MOSFET的柵極時(shí)，開通過程分為4個(gè)模式（階段），其等效電路如圖2所示。圖2：功率MOSFET開通過程圖3：功率MOSFET開通波形(1) 模式M
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
生長(zhǎng)。 3 溝槽雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 從圖2的結(jié)構(gòu)知道，對(duì)于單位面積的硅片，如果要減小功率MOSFET的導(dǎo)通電阻，就要提高晶胞單位密度，也就是要減小每個(gè)晶胞單元的尺寸，即要減小柵極的所占用的面積。如果采用圖
2016-10-10 10:58:30
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
可能發(fā)生功率MOSFET的潛在失效。下圖給出了可能出現(xiàn)潛在器件失效的工作模式。在t0~t1時(shí)段，諧振電感電流Ir變?yōu)檎?。由?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，諧振電感電流流過MOSFET Q1 溝道。當(dāng)Ir開始
2019-09-17 09:05:04
更高的可靠性和降低BOM成本，即當(dāng)兩個(gè)或更多并聯(lián)MOSFET被一個(gè)器件代替時(shí)。 增強(qiáng)型功率封裝(如IR的DirectFET封裝)可提供大幅改進(jìn)的電氣和熱性能。更為重要的是，DirectFET和PQFN
2018-09-12 15:14:20
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
的雪崩耐用性評(píng)估方法不是進(jìn)行典型的UIS測(cè)試（這是一種破壞性測(cè)試），而是基于對(duì)SiC功率MOSFET的全面表征，以更好地了解其穩(wěn)健性。因此，在1200V160mΩSiCMOSFET上進(jìn)行重復(fù)UIS
2019-07-30 15:15:17
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
本帖最后由 可樂丸子 于 2016-5-7 09:12 編輯
友善的這款NanoPi M2開發(fā)板沒有IR紅外接收器，對(duì)于想將這個(gè)作為安卓影音盒子的朋友來說沒有紅外接收器就不能使用紅外遙控器選臺(tái)
2016-05-06 23:27:54
IR2110的規(guī)格Isource: 2A Isink : 2AVOUT 10 - 20Vton/off (typ.) 120 & 94 nsDriver supply : 15V開關(guān)頻率Fsw = 50KH什么是計(jì)算電阻Rg以最好地驅(qū)動(dòng)MOSFET的最佳方法？
2018-09-01 09:53:17
我用IR2110連接的H橋，上面2個(gè)MOSFET用高頻方波驅(qū)動(dòng)，下面2個(gè)用低頻方波驅(qū)動(dòng)。當(dāng)我的主路電源（也就是給H橋上負(fù)載的供電電源）斷開，上面2個(gè)MOSFET方波正常，當(dāng)我把主路電源打開并慢慢調(diào)
2016-04-06 06:20:15
本文介紹了IR4302主要特性，功能方框圖，典型應(yīng)用電路以及采用IR4302的100W / 4歐姆x 2路D類音頻功率放大器主要特性，電路圖，材料清單和PCB布局圖。
2021-06-03 07:02:51
納芯微推出集成LIN總線物理層和小功率MOS管陣列的單芯片車用小電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）—— NSUC1610。作為單芯片解決方案，NSUC1610支持12V汽車電池供電，適合于直接控制小型有刷
2023-02-17 14:15:19
通階段；（b） 關(guān)斷和雪崩階段?！ 。?） 完全導(dǎo)通階段 如圖2（a）所示，短路剛發(fā)生時(shí)，MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，電流迅速上升至最大電流，在這個(gè)過程，功率MOSFET承受的功耗為PON
2018-09-30 16:14:38
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際選型用圖解和簡(jiǎn)單公式作簡(jiǎn)單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對(duì)于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
驅(qū)動(dòng)汽車電子負(fù)載的VIPower上橋臂驅(qū)動(dòng)器有哪些重要技術(shù)？如何通過VIPower M0TM技術(shù)去實(shí)現(xiàn)車用智能功率開關(guān)？
2021-05-13 06:52:56
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續(xù)漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續(xù)漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續(xù)漏極電流ID連續(xù)漏極電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標(biāo)示為電流ID，對(duì)于
2016-08-15 14:31:59
芯訊通推出新款超小尺寸5G模組SIM8202G－M2
2020-12-18 06:51:55
Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動(dòng)車增速使用，MOSFET管燒壞導(dǎo)致短路，這種管子網(wǎng)上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
找不到聯(lián)系方式，請(qǐng)?jiān)跒g覽器上搜索一下，旺貿(mào)通儀器儀N8736A 電源，40V，85A，3400W主要特性與技術(shù)指標(biāo)直流輸出額定值電壓：40V電流：85A功率： 3400W編程精度電壓 0.05%+ 20mV電流
2021-03-24 11:04:55
驅(qū)動(dòng)25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
國(guó)際整流器公司針對(duì)開關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，這些開關(guān)應(yīng)用包括開關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其
2010-09-09 10:36:50
19 圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個(gè)六角形是一個(gè)MOSFET的原胞（cell）。正因?yàn)樵橇切蔚模╤exangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個(gè)MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開
2009-08-18 12:00:511176 IR推出自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)器IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出AUIR2085S車用控制IC，適用于高中低電壓汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)
2009-11-13 10:25:351354 IR新組件為節(jié)能AC-DC功率轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新組件為節(jié)能AC-DC功率轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，擁有先進(jìn)最低導(dǎo)通時(shí)
2009-12-11 09:05:161123 IR 推出24V汽車級(jí)智能功率開關(guān)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路
2009-12-18 08:27:39961 
IR推出新型IR3870M SupIRBuck™ 集成穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International
2010-01-12 17:06:08675 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、
2010-01-26 16:25:041154 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)
2010-04-20 10:24:32900 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571017 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D類音頻系統(tǒng)的 DirectFET2 功率 MOSFET 陣營(yíng)，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真 (THD) 和提
2010-08-26 08:48:24758 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 - 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布針對(duì)開關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級(jí)電荷的車用 DirectFET®2 功率MOSFET ，這些開關(guān)
2010-09-10 09:05:58525 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091077 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 - 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321354 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸
2010-12-17 08:55:211073 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IR115x 系列集成式 ìPFC 功率因數(shù)校正 (PFC) IC，適用于多種 AC-DC 應(yīng)用
2011-03-23 10:34:192112 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用
2011-04-12 09:47:051054 IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列，與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比，可減少 50%引線電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351452 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提
2011-05-27 09:18:09730 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:54966 電子發(fā)燒友為大家提供了MOSFET管IR2153應(yīng)用電路，本電路為半橋式電路的驅(qū)動(dòng)控制部分。
2011-08-02 10:26:3729709 
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391312 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出全新數(shù)字功率平臺(tái)，該產(chǎn)品可大幅提升多種應(yīng)用的能效，包括高性能服務(wù)器、臺(tái)式電腦及運(yùn)
2011-09-22 08:51:37983 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等
2012-04-25 09:34:44960 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩(wěn)壓器，適用于空受限的網(wǎng)絡(luò)通信、服務(wù)器和存儲(chǔ)應(yīng)用。
2013-11-20 16:04:251114 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
2014-12-03 10:19:411824 AW8736FCR_產(chǎn)品手冊(cè)。
2016-03-28 14:39:0717 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有三個(gè)獨(dú)立的高端和低端參考輸出通道，用于3相應(yīng)用。專有的HVIC技術(shù)可實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固耐用的單片結(jié)構(gòu)
2018-05-31 13:00:0058 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)LV8736V相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LV8736V的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LV8736V真值表，LV8736V管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-31 05:02:18
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