電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT-23封裝的150mA、低噪聲、低功耗、超低壓降穩(wěn)壓器LP2985-N數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 14:19:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT-23封裝的微功耗、50mA、超低壓降穩(wěn)壓器LP2980-N數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:56:320 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：- **參數(shù)：** - 封裝類型
2024-03-18 17:36:33
DMG3415U-13-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：- **參數(shù)：** - 封裝類型
2024-03-16 16:53:22
FS61C27MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的產(chǎn)品。這款芯片采用SOT-23封裝形式，具有CMOS N溝道特性，其額定電壓檢測閾值為2.7V。憑借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C24MR電壓檢測器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。這款芯片采用SOT-23封裝，具有CMOS N溝道特性，其閾值電壓為2.4V。接下來，我們將
2024-03-13 18:24:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23封裝中的低功率DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器TPS6104x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:57:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT-23封裝的高亮度白光LED驅(qū)動器TPS61165-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:40:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用WSON和SOT-23封裝的TPS61165高亮度白光LED驅(qū)動器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:39:140 全球知名半導體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
首先，N531 Z K/中科 SOT23-5電磁爐驅(qū)動IC具有高效的特點。它采用了先進的功率控制算法，能夠?qū)崿F(xiàn)對電磁爐加熱功率的精確控制，使得電磁爐在加熱過程中能夠保持
2024-03-07 17:14:52128 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT23降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:14:310 的低RDS(ON)，80mΩ，滿足USB電壓降要求。PL2700還可以防止熱過載，這限制了功率耗散和結(jié)溫度。電流極限閾值是編程與一個電阻從設(shè)置到地面。在開啟狀態(tài)下的靜止電源電流通常為15μA。在關(guān)閉狀態(tài)下，電源電流下降小于1μA。PL2700有SOT23-5軟件包特征?符合USB規(guī)范?集成80mΩ電源MO
2024-02-25 10:46:250 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器PL5900A SOT-23-5數(shù)據(jù)手冊》資料免費下載
2024-02-22 14:52:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30VN通道MOSFET PL3902 SOT23數(shù)據(jù)手冊》資料免費下載
2024-02-22 14:48:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單電池鋰離子/聚合物電池保護集成PL5358A SOT23-5數(shù)據(jù)手冊》資料免費下載
2024-02-22 14:46:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數(shù)據(jù)手冊》資料免費下載
2024-02-21 14:35:290 。內(nèi)部軟啟動導致注入電流小，延長電池壽命。PL2628的特點是在光負載下自動切換到脈沖頻率調(diào)制模式。PL2628包括欠壓鎖定保護、限流保護和熱過載保護保護，以防止在輸出過載時發(fā)生損壞。PL2628有一個小的6針SOT-23包。特點?集成80mΩ電源MOSFET?2 V至24V輸入電壓?1.2 MHz固定開
2024-02-21 14:32:280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL7022/B SOT23-6 CMOS 雙節(jié)可充電鋰電池保護資料規(guī)格書》資料免費下載
2024-01-07 09:57:030 。內(nèi)部軟啟動導致注入電流小，延長電池壽命。PL2628的特點是在光負載下自動切換到脈沖頻率調(diào)制模式。PL2628包括欠壓鎖定保護、限流保護和熱過載保護保護，以防止在輸出過載時發(fā)生損壞。PL2628有一個小的6針SOT-23包。特征?集成80mΩ電源MOSFET?2 V至24V輸入電壓?1.2 MHz固定開
2024-01-05 09:22:374 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
晶體管 通用放大，高頻 2 NPN（雙） 60V 40mA 表面貼裝型 SOT-23-6
2023-12-17 00:05:12
DIODE CUR REG 350MW SOT23-3
2023-12-16 07:52:48
DIODE CUR REG 350MW SOT23-3
2023-12-16 07:52:48
二極管 30 V 10mA 表面貼裝型 SOT-23-3
2023-12-07 06:31:32
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 頻率 （1.2MHz）操作
?自動軟啟動可降低浪涌電流
?關(guān)斷電流 <1A
?短路保護
?無電感器
?采用扁平 6 引腳 SOT23 封裝
應(yīng)用
?2節(jié)AA電池至3.3V
?移動中的 USB 設(shè)備
?白光 LED 驅(qū)動器
?手持設(shè)備
2023-11-21 12:12:53
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 軟啟動時間
?內(nèi)部補償功能
?100%退出操作
?功率良好的指標輸出（僅SOT-23-6）
?RoHS兼容和無鹵素
?SOT-23-5，TSOT-23-5和SOT-23-6包
應(yīng)用
?機頂盒
2023-11-14 13:24:55
的時間控制，提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)，抗噪聲性和各種非常低的ESR輸出電容器，以確保性能穩(wěn)定。
FR9206采用TSOT-23-6封裝，提供良好的導熱性。
特征
?低RDS（開）集成功率MOSFET（80m
2023-11-11 11:47:34
?SOT-23-6包
應(yīng)用
?STB（機頂盒）
?液晶顯示器，電視
?分布式電源系統(tǒng)
?網(wǎng)絡(luò)，XDSL調(diào)制解調(diào)器
2023-11-11 11:30:18
恢復(fù)
?SOT-23-6包
應(yīng)用
?STB（機頂盒）
?液晶顯示器，電視
?分布式電源系統(tǒng)
?網(wǎng)絡(luò)，XDSL調(diào)制解調(diào)器
2023-11-08 16:47:24
。在關(guān)閉狀態(tài)下，電源電流下降小于1μA。PL2700有SOT23-5軟件包
特征
?符合USB規(guī)范
?集成80mΩ電源MOSFET
?低電源電流
15μA典型在開關(guān)狀態(tài)
1μA典型在開關(guān)關(guān)閉狀態(tài)
?寬
2023-11-08 16:44:46
一般說明
PL5353A產(chǎn)品是鋰硫離子/聚合物電池保護的高集成解決方案。
PL5353A包含先進的功率MOSFET，高精度電壓檢測電路和延遲電路。
PL5353A被放入超小型SOT23-5封裝中
2023-11-07 10:23:19
KP3111LGA 是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有 500V 高壓 MOSFET 和采用開關(guān)式峰值電流模式控制
2023-11-06 16:47:20269 
SOT-23, MOSFET
2023-11-01 13:42:06
JFET 2 N-通道（雙） 25 V 500 mW 表面貼裝型 SOT-23-6
2023-11-01 13:41:52
JFET N 通道 25 V 350 mW 表面貼裝型 SOT-23-3
2023-11-01 13:41:45
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX9634: nanoPower, 4-Bump UCSP/SOT23, Precision Current-Sense Amplifier Data
2023-10-16 19:17:55
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 新潔能NCE2301型NCEP通道增強模式電源MOSNCE2301型NCEP通道增強模式電源MOSFET采用先進的溝槽技術(shù)，具有優(yōu)良的RDS（ON）性能，以及低柵極電荷和可低至2.5V操作的柵極電壓
2023-10-11 21:25:150 MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
PW5300是一種電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。其內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET的PWM電路使該調(diào)節(jié)器具有很高的功率效率。內(nèi)部補償網(wǎng)絡(luò)也減少了多達6個外部元件的計數(shù)。誤差放大器的非逆變輸入連接0.6V
2023-09-22 07:09:11
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
供應(yīng)AP2335 場效應(yīng)管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導體代理商，提供AP2335規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:24:490 世微 AP5160 DC-DC降壓恒流IC 大功率LED電源手電筒車燈驅(qū)動芯片 SOT23-6
2023-08-16 22:04:01860 
SOT23封裝是一種小型表面貼裝封裝，常用于集成電路（IC）和半導體器件。SOT23代表"Small Outline Transistor 23"，SOT23封裝具有緊湊的尺寸、良好的散熱性能和適應(yīng)性，因此在許多電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
2023-08-16 11:29:311306 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
電子設(shè)備和集成電路中，特別適用于需要緊湊空間和較低功耗的應(yīng)用。 SOT23封裝應(yīng)用在哪些芯片上呢？ 比如：小功率晶體管、二極管、穩(wěn)壓器、LED驅(qū)動器、溫度傳感器、MCU等等。 SOT23最大的優(yōu)勢就是價格低，尺寸小，帶來的好處就是成本降低，占用的pcb面積小，能更好的
2023-08-11 11:48:132092 SOT封裝是一種常用的集成電路封裝類型，常見的SOT封裝類型包括3引腳（如SOT-23）、4引腳（如SOT-89和SOT-223）和6引腳（如SOT-363），可以適應(yīng)不同的電路設(shè)計和功能要求。具有
2023-07-19 16:38:291729 SOT23-16封裝是一種表面貼裝技術(shù)（SMT）封裝，具有許多優(yōu)勢。以下是一些關(guān)于SOT23-16封裝的主要優(yōu)勢的簡要說明，包括其尺寸、易用性、電氣性能和熱特性。 尺寸優(yōu)勢：SOT23-16封裝
2023-07-18 17:43:26542 AP9235B DC-DC升壓恒流IC PWM調(diào)光芯片 SOT23-6
2023-07-06 11:14:46662 
當今的便攜式設(shè)備需要以最小電源電流運行的小型電源解決方案。為滿足這些需求，凌力爾特推出了 LT1615、LT1615-1、LT1617 和 LT1617-1 微功率 SOT-23 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這些器件的輸入電壓范圍低至 1V，輸出電壓范圍高達 ±35V，可提供相當大的電源設(shè)計靈活性。
2023-06-25 10:32:07532 
供應(yīng)友順UTC功率mos管BSS127G SOT-23-3 TR，提供BSS127G數(shù)據(jù)手冊關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 16:39:450 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
引言： 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中，功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色，它們是實現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場需求，我們推出了全新的ASDM65N18S功率MOSFET，它以卓越的性能和創(chuàng)新特點引領(lǐng)著控制革新的浪潮。
2023-06-05 13:41:16434 Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
23日，由全景網(wǎng)主辦、南開大學參與推出的“全景投資者關(guān)系金獎”2022年度全國性評選正式揭曉，敏芯股份IR團隊憑借優(yōu)異表現(xiàn)榮獲投資者關(guān)系金獎? 杰出IR團隊獎項。
2023-05-25 11:00:18476 分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
通過使用凌力爾特的 LTC1695 來優(yōu)化這些產(chǎn)品內(nèi)部冷卻風扇的運行，可以縮短筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電池運行時間并降低噪聲。LTC1695 采用 SOT-23 封裝，可提供系統(tǒng)控制器或微控制器
2023-05-08 11:06:37663 
ISL28113/14SOT23EVAL1Z 用戶指南
2023-05-04 19:58:240 OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
采用小型 6 引腳 SOT-23 封裝。特征? 集成 80mΩ 功率場效應(yīng)管? 2V 至 24V 輸入電壓? 1.2MHz 固定開關(guān)頻率? 內(nèi)部 4A 開關(guān)電流限制? 可調(diào)輸出電壓? 內(nèi)部補償
2023-03-31 14:43:38
DEMO FIXTURE FOR SOT-23 OPAMP'S
2023-03-30 11:51:40
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35930 
電壓基準芯片 SOT23-3
2023-03-28 12:54:33
PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350 H檔 SOT-23
2023-03-24 14:48:10
P溝道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-4A P=1W SOT23
2023-03-24 14:02:43
SOT-23塑料封裝MOSFET
2023-03-24 13:42:35
電壓基準芯片 SOT23-3
2023-03-24 13:42:32
電壓基準芯片 min=2.487V max=36V 100mA ±0.5% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
電壓基準芯片 min=2.487V max=36V 100mA ±0.5% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
電壓基準芯片 min=2.475V max=36V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
電壓基準芯片 min= max=36V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
電壓基準芯片 min= max=18V 100mA ±1% SOT23-3
2023-03-24 13:36:44
PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=120~400 L檔 SOT-23
2023-03-24 10:49:45
PNP Vce=25V Ic=1.5A hfe=200~350 H檔 SOT-23
2023-03-24 10:49:24
PNP Vce=25V Ic=1.5A hfe=120~200 L檔 SOT-23
2023-03-24 10:49:24
PNP Vce=25V Ic=0.5A SOT-23
2023-03-24 10:48:56
PNP,Vceo=-25V Ic=-0.5A SOT-23
2023-03-24 10:31:47
SOT-23中的單和雙微功率高端開關(guān)控制器
2023-03-23 04:51:16
SOCKET ADAPTER SOT-23 TO 6DIP
2023-03-23 03:44:05
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