IR推出IRF6708S2和IRF6728M 30V Dir

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計(jì)。

　　IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達(dá)30%，大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，最大限度減少了傳導(dǎo)及開(kāi)關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。

　　IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導(dǎo)通電阻和低電荷，也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　器件編號(hào) BVDSS (V) 10V下的

　　典型RDS(on) (m? 4.5V下的

　　典型RDS(on) (m) VGS (V) 4.5V下的

　　典型QG (nC) 4.5V下的

　　典型QGD (nC)

　　IRF6728M 30 1.8 2.8 +/-20 28 8.7

　　IRF6708S2 30 7.5 12.0 +/-20 6.6 2.2

　　產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)及應(yīng)用說(shuō)明可瀏覽IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com。

　　新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，現(xiàn)已接受批量訂單。

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IR(56808) IR(56808)
IRF6708(6022) IRF6708(6022)

評(píng)論

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2024-03-22 11:31:10

IRF01EB3R9K

IRF-1 3.9 10% EB E2

2024-03-14 22:46:45

IRF01EBR10M

IRF-1 .1 20% EB E2

2024-03-14 22:46:45

IRF01ER4R7K

IRF-1 4.7 10% ER E2

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IRF01ES2R2K

IRF-1 2.2 10% ES E2

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IRF01ESR10K

IRF-1 .1 10% ES E2

2024-03-14 22:46:45

IRF01EV6R8K

IRF-1 6.8 10% EV E2

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IRF03ER8R2K

IRF-3 8.2 10% ER E2

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IRF03EV1R2K

IRF-3 1.2 10% EV E2

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IRF03RU102J

IRF-3 1K 5% R36

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IRF03RU2R2K

IRF-3 2.2 10% R36

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IRF03RU470J

IRF-3 47 5% R36

2024-03-14 22:46:45

IRF03RU5R6K

IRF-3 5.6 10% R36

2024-03-14 22:46:45

IRF03RU6R8K

IRF-3 6.8 10% R36

2024-03-14 22:46:45

IRF03SH2R2K

IRF-3 2.2 10% RJ1

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IRF01BH2R2K

IRF-1 2.2 10% B08

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IRF01BH4R7J

IRF-1 4.7 5% B08

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IRF01BH5R6K

IRF-1 5.6 10% B08

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IRF01BH680J

IRF-1 68 5% B08

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IRF01BH6R8K

IRF-1 6.8 10% B08

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IRF01BH820J

IRF-1 82 5% B08

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IRF-1 8.2 10% B08

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IRF01EB1R0K

IRF-1 1 10% EB E2

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IRF01RU100J

IRF-1 10 5% R36

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IRF01ST680J

IRF-1 68 5% RJ4

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IRF01RU102J

IRF-1 1K 5% R36

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IRF01RU5R6K

IRF-1 5.6 10% R36

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IRF01RU6R8K

IRF-1 6.8 10% R36

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IRF01SH102J

IRF-1 1K 5% RJ1

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IRF01SH1R5K

IRF-1 1.5 10% RJ1

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IRF01SH3R3K

IRF-1 3.3 10% RJ1

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IRF01SH4R7K

IRF-1 4.7 10% RJ1

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IRF01ST3R3K

IRF-1 3.3 10% RJ4

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IRF01ST4R7K

IRF-1 4.7 10% RJ4

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IRF01ST6R8K

IRF-1 6.8 10% RJ4

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IRF01ST8R2K

IRF-1 8.2 10% RJ4

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IRF03BH101J

IRF-3 100 5% B08

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IRF03BH1R0J

IRF-3 1 5% B08

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IRF03BH1R8K

IRF-3 1.8 10% B08

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IRF03BH2R2K

IRF-3 2.2 10% B08

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IRF01SH3R9K

IRF-1 3.9 10% RJ1

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2024-02-22 06:35:49

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產(chǎn)品型號(hào): IRF7301TRPBF-VB絲印: VBA3222品牌: VBsemi**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**- 封裝類(lèi)型: SOP8- 溝道類(lèi)型: 2個(gè)N-Channel- 額定電壓: 20V- 最大

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型號(hào): IRF7201TRPBF-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi封裝: SOP8**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**- 架構(gòu): N-Channel MOSFET- 電壓等級(jí): 30V- 電流能力

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(ON)）：32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：1.87V應(yīng)用簡(jiǎn)介：IRF7495TRPBF-VB是VBsemi推出的一款SOP8

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2024-01-02 10:53:17

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2024-01-02 10:41:08

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2023-12-22 16:00:52

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型號(hào)：IRF3205STRPBF-VB絲?。篤BL1606品牌：VBsemi參數(shù)：- N溝道- 額定電壓：60V- 最大漏電流：150A- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：4mΩ @ 10V

2023-12-19 11:26:49

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2023-12-19 10:38:29

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2023-12-14 13:50:42

IRF8721TRPBF-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)：IRF8721TRPBF-VB絲?。篤BA1311品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類(lèi)型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大連續(xù)電流：12A- 靜態(tài)開(kāi)啟電阻（RDS(ON)）：12m

2023-12-14 13:45:49

IRF7205TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)：IRF7205TRPBF-VB 絲?。篤BA2333 品牌：VBsemi 參數(shù)：P溝道，-30V，-6A，RDS(ON)，40mΩ@10V，54m

2023-12-13 14:46:36

IRF7303TRPBF-VB一款2個(gè)N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)：IRF7303TRPBF-VB絲印：VBA3328品牌：VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：- 類(lèi)型：雙N溝道MOSFET- 額定工作電壓：30V- 額定漏極電流：6.8A（2個(gè)N溝道并聯(lián)）- 開(kāi)啟電阻

2023-12-13 13:44:47

IRF7416TRPBF-VB一種P溝道SOP8封裝MOS管

IRF7416TRPBF (VBA2317)參數(shù)說(shuō)明：P溝道，-30V，-7A，導(dǎo)通電阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，門(mén)源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.37V

2023-12-06 16:03:17

如何利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU?

利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶(hù)的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？

2023-11-16 07:09:56

如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？

如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？電流1ma之內(nèi)即可。

2023-11-16 06:36:14

請(qǐng)問(wèn)下管IRF9630的電流是多少？

如圖靜態(tài)工作時(shí)，PIN8 的SENSE+電壓20MA，Rsense+為0.33歐，上管IRF530電流是0.061A，下管IRF9630電流是0.061A.當(dāng)Vin輸入為直流+5V時(shí)。上管將1歐

2023-11-15 08:23:32

IRF8788TRPBF-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

型號(hào) IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導(dǎo)通電阻 4mΩ@10V, 4.5m

2023-11-03 15:31:19

IRF830A-VB-TO220封裝N溝道MOSFET

型號(hào) IRF830A絲印 VBM16R08品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類(lèi)型 N溝道額定電壓 600V 額定電流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V

2023-11-01 10:04:19

IRF7313TRPBF-VB-SOP8封裝2個(gè)N溝道MOSFET

型號(hào) IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類(lèi)型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導(dǎo)通電阻 22m

2023-10-31 11:48:47

IRF7413TRPBF-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

型號(hào) IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導(dǎo)通電阻 12mΩ @10V, 15m

2023-10-31 11:06:50

IRF5803TRPBF-VB-SOT23-6封裝P溝道MOSFET

IRF5803TRPBF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明極性 P溝道額定電壓 30V 額定電流 4.8A 導(dǎo)通電阻 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V

2023-10-31 10:32:19

IRF7314TRPBF-VB-SOP8封裝2個(gè)P溝道MOSFET

IRF7314TRPBF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明極性 2個(gè)P溝道額定電壓 30V 額定電流 7A 導(dǎo)通電阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V

2023-10-28 14:55:23

IRF9530NPBF-VB-TO220封裝溝道m(xù)osfet

IRF9530NPBF是一款P溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管，具有以下參數(shù) - 最大耐壓 -100V- 最大漏極電流 -18A- 導(dǎo)通時(shí)的電阻（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178m

2023-10-27 15:44:53

華三IRF技術(shù)簡(jiǎn)介

IRF(Intelligent Resilient Framework)是彈性智能架構(gòu)的簡(jiǎn)稱(chēng)，是H3C自主研發(fā)的一種軟件虛擬化堆疊技術(shù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是將多臺(tái)支持堆疊的設(shè)備聯(lián)合起來(lái)，組成一個(gè)整體，用戶(hù)

2023-10-25 10:51:57

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IRF3205場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)、工作原理及電路實(shí)例

IRF3205是一種N溝道功率MOS管，采用 TO-220AB 封裝，工作電壓為 55V 和 110A。特點(diǎn)是其導(dǎo)通電阻極低，僅為 8.0mΩ，適用于逆變器、電機(jī)速度控制器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器

2023-04-20 09:12:54

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IR推出IRF6708S2和IRF6728M 30V Dir

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