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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>IR推出堅(jiān)固的新型平面MOSFET系列

IR推出堅(jiān)固的新型平面MOSFET系列

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2023-08-14 15:04:45367

Vishay推出基于VCSEL的新型反射式光傳感器

Vishay 推出一種用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)和移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538

博思發(fā)科技推出新型MEMS氫氣傳感器

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,博思發(fā)科技(Posifa Technologies)發(fā)布了新型氫氣傳感器:PGS4100系列產(chǎn)品,用于檢測(cè)電池管理系統(tǒng)(BMS)中的熱失控情況。
2023-08-03 11:04:13409

DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:11:121

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

ISL91110IR 數(shù)據(jù)表

ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-07-12 19:46:020

如何制作基于Arduino的IR接收器?

在這里,將展示如何制作基于Arduino的IR接收器,以解碼來自TV/DVD遙控器的IR信號(hào)。根據(jù)與遙控器上特定按鈕對(duì)應(yīng)的解碼值,我們將對(duì)Arduino進(jìn)行編程以控制多個(gè)繼電器開關(guān)。
2023-07-10 14:20:43715

Vishay推出兩款新型固定增益紅外傳感器模塊

Vishay 推出兩款新型固定增益紅外(IR)傳感器模塊,降低成本并提高室外傳感器應(yīng)用穩(wěn)定性。表面貼裝式 TSSP93038DF1PZA 和引線式 TSSP93038SS1ZA 采用小型 Minimold 封裝,典型光照強(qiáng)度為 1.3 mW/m2,可在陽光直射下穩(wěn)定工作,同時(shí)感光度足以支持光柵應(yīng)用。
2023-07-07 10:26:28415

ISLA214IR72EV1Z 原理圖s and Layers

ISLA214IR72EV1Z 原理圖s and Layers
2023-07-06 20:52:300

ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層

ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層
2023-07-06 20:51:300

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677

ISL91127IR 數(shù)據(jù)表

ISL91127IR 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 19:40:440

FCA16N60 N溝道MOSFET規(guī)格書

,卓越開關(guān)性能和堅(jiān)固性。這種SupreMOS MOSFET適用于業(yè)界的AC-DC SMPSPFC、服務(wù)器/電信電源、FPD電視電源的要求,ATX電源和工業(yè)電源應(yīng)用。
2023-06-30 15:45:000

FCA22N60N型N溝道MOSFET規(guī)格書

提供了世界級(jí)的Rsp,卓越的開關(guān)性能和堅(jiān)固性。這種SupreMOS MOSFET適用于業(yè)界的AC-DC SMPSPFC、服務(wù)器/電信電源、FPD電視電源的要求,ATX電源和工業(yè)電源應(yīng)用。
2023-06-30 15:41:180

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個(gè)管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

KiCad中如何分割平面?

“ 與其它EDA不同,KiCad中的信號(hào)層并沒有正片、負(fù)片之分。所有的電源平面必須以敷銅的方式實(shí)現(xiàn)。 如需了解更多關(guān)于KiCad的資訊,請(qǐng)參考:**KiCad常用資源 **” **信號(hào)層與電源平面
2023-06-26 11:50:32

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部,挖出來的溝槽里面,叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu),對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448

SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467

IR Drop與封裝(一)

大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析(模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝),一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:18674

談?wù)勑酒O(shè)計(jì)中的IR-drop

什么是IR-drop?其實(shí),IR這個(gè)詞并不是什么縮寫,這里的I就是指電流,R是指電阻,他們放在一起相乘,得出來的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660

基于平面投影的單目視覺AGV定位算法

由于攝像機(jī)垂直于參考平面 , 所以像素平面到參考平面是等比例縮放的,它們之間只相差一個(gè)比例系數(shù)。由于參考平面AD 邊與現(xiàn)實(shí)平面AD 邊重合,可以通過實(shí)際測(cè)量得到AD 邊的實(shí)際長(zhǎng)度。
2023-06-15 17:19:52565

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304

如何將Pytorch自訓(xùn)練模型變成OpenVINO IR模型形式

本文章將依次介紹如何將Pytorch自訓(xùn)練模型經(jīng)過一系列變換變成OpenVINO IR模型形式,而后使用OpenVINO Python API 對(duì)IR模型進(jìn)行推理,并將推理結(jié)果通過OpenCV API顯示在實(shí)時(shí)畫面上。
2023-06-07 09:31:421057

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

【 2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個(gè)管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

重磅新品||安森德自研超結(jié)(SJ)MOSFET上市

安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累,攻克了多層外延超結(jié)(SJ)MOSFET技術(shù),成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)(SJ)MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:10796

TPAN0220和TPAL0220系列新一代平面無感功率電阻器

開步電子旗下高端電阻品牌 [RESI 睿思] 于2023年5月推出了 TPAN0220 和 TPAL0220 系列新一代平面無感功率電阻器。 ??? TO-220 封裝是一種大功率晶體管、中小
2023-05-31 10:50:58881

平面關(guān)節(jié)型機(jī)械手設(shè)

平面關(guān)節(jié)型機(jī)械手設(shè)
2023-05-29 11:11:330

Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372

敏芯股份IR團(tuán)隊(duì)榮獲投資者關(guān)系金獎(jiǎng)? 杰出IR團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)項(xiàng)

23日,由全景網(wǎng)主辦、南開大學(xué)參與推出的“全景投資者關(guān)系金獎(jiǎng)”2022年度全國(guó)性評(píng)選正式揭曉,敏芯股份IR團(tuán)隊(duì)?wèi){借優(yōu)異表現(xiàn)榮獲投資者關(guān)系金獎(jiǎng)? 杰出IR團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)項(xiàng)。
2023-05-25 11:00:18476

SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器

SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器集成了創(chuàng)新的電子脈沖產(chǎn)生系統(tǒng),可提供10皮秒脈沖。重復(fù)頻率從單發(fā)到2 GHz連續(xù)可調(diào),并且可選多種波長(zhǎng)。SID系統(tǒng)完全
2023-05-24 09:28:59

資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471

麥德美愛法推出新型耐用燒結(jié)技術(shù)

麥德美愛法是全球最大的電子線路、電子組裝和半導(dǎo)體封裝解決方案供應(yīng)商之一,為電子制造商客戶提供上述的解決方案。麥德美愛法推出兩種新型耐用的燒結(jié)技術(shù),進(jìn)一步豐富了ALPHA?Argomax?系列。這些新技術(shù)幫助制造商開發(fā)出更小、更輕、更可靠的系統(tǒng),增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-05-15 17:18:24665

如何使用ESP-01驅(qū)動(dòng)MOSFET

我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 - 代碼:全選#include #define MOSFET 2 #define
2023-05-04 08:52:27

ISL8120IR 數(shù)據(jù)表

ISL8120IR 數(shù)據(jù)表
2023-04-27 19:45:100

SiC MOSFET:是平面柵還是溝槽柵?

溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023035

MOSFET的動(dòng)態(tài)性能相關(guān)參數(shù)

本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759

L-com諾通推出系列新型USB 3.0焊接型連接器和護(hù)套

現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)USB線纜時(shí),需要一些能夠自定義安裝的配件。為了進(jìn)一步提升客戶的使用體驗(yàn),L-com諾通推出了一系列新型USB 3.0焊接型連接器和護(hù)套。
2023-04-23 12:27:29230

IR Drop與封裝分析

大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析(模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝),一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:091573

求分享MOSFET Spice模型資料

MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18

KUU推出SOT-723封裝MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329

ISL91110IR 數(shù)據(jù)表

ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-03-29 19:38:570

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35930

L-com諾通推出新型USB 3.0直角型高柔拖鏈級(jí)線纜

緊湊空間中USB的連接,更需要線纜和接口具備特殊優(yōu)勢(shì)。為了進(jìn)一步提升客戶的USB連接體驗(yàn),L-com諾通推出了一系列新型USB 3.0直角型高柔拖鏈級(jí)線纜。
2023-03-28 14:37:47297

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