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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

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2015-05-11 14:23:04

用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,使用LT1010可以實現(xiàn)嗎?

想用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時間為2us,計算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規(guī)級高壓運放,請問下使用LT1010可以實現(xiàn)嗎?能否提供下LT1010的LTSPICE的仿真模型? 謝謝!
2023-11-13 14:20:54

結(jié)構(gòu)小巧綠色環(huán)保的OptiMOS 3 MOSFET可達(dá)到更高的效率

達(dá)100A的電流處理能力等特性,使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng),應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機       &nbsp
2010-01-13 17:18:57

請問怎么把函數(shù)發(fā)生器20v的PWM波升到40v呢?

請問怎么把函數(shù)發(fā)生器20v的PWM波升到40v呢?
2019-07-08 15:24:00

采用第3SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

損耗。最新的模塊中采用第3SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50

研華科技最新推出新一代串口上網(wǎng)服務(wù)器

研華科技最新推出新一代串口上網(wǎng)服務(wù)器 近日,研華科技宣布最新推出新一代8/16 口串口上網(wǎng)服務(wù)器-EDG-4508+/4516+系列產(chǎn)品,它基于全
2009-06-12 10:32:43876

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢,可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594

新唐科技推出新一代LPC 8051 MCU

新唐科技推出新一代LPC 8051 MCU 新唐科技(Nuvoton Technology)推出新一代小型封裝SSOP20-N79E825與N79E824產(chǎn)品,繼低接腳LPC整合型單片機系列后,進(jìn)一步滿足客戶在更小體積的要
2009-11-24 08:31:241270

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件   英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57828

英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM U

英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2 英飛凌科技股份公司宣布推出SMARTiTM UE2的樣品。SMARTiTM UE2是適用于移動設(shè)備的新一代多帶HSPA+/EDGE/GPRS射頻收發(fā)器。它的
2010-02-02 09:38:34961

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列      為提高計算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731

三菱電機推出新一代功率半導(dǎo)體模塊

三菱電機推出新一代功率半導(dǎo)體模塊 三菱電機株式會社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊:第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351137

全新30V MOSFET 的N溝道器件OptiMOS-T2

基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。 出于成
2010-08-09 09:08:22558

適合微混和全混合動力汽車40V-100V車用MOSFET

  國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(ICE)平臺以及微型混合動
2010-12-24 09:20:501049

士蘭微電子推出新款F-CellTM系列高壓MOSFET

士蘭微電子近期推出新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:221537

英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692

英飛凌推出新汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648

英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381391

英飛凌推出OptiMOS 5 25V和30V產(chǎn)品家族,能效高達(dá)95%以上

2015年3月24日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313

Diodes 40V車用MOSFET適用于電機控制應(yīng)用

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C,非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391070

英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390

高通推出新一代智能手表的移動芯片平臺

高通宣布了正式推出新一代驍龍穿戴3100平臺,這是面向新一代智能手表的移動芯片。
2018-09-12 14:35:435879

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:01511

40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片

40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術(shù) 官網(wǎng))-40V轉(zhuǎn)24V,40V轉(zhuǎn)20V,40V轉(zhuǎn)15V ,40V轉(zhuǎn)12V,40V轉(zhuǎn)9V,40V轉(zhuǎn)5V,40V轉(zhuǎn)3.3V,40V轉(zhuǎn)3V,40V轉(zhuǎn)1.8V,40V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 12:56:2714

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新,為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)

NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053321

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53785

40V – 250A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車

40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-03-13 19:19:530

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

40V – 250A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車

40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:240

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12519

面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費下載
2023-11-23 09:39:280

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑,為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29126

英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)

在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297

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