、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。 新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS
2022-06-24 09:57:451547 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ,最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:231141 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產(chǎn)品可幫助設(shè)計人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04971 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482 英飛凌科技再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx(NovalithIC?+)系列智能半橋驅(qū)動集成芯片。
2022-03-02 14:07:131887 ?近日,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各項性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展,進(jìn)一步
2022-08-29 15:08:57879 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:361028 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 :IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢,推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 。前端降壓轉(zhuǎn)換器 (TPS65320-Q1) 能夠支持 4.5V 冷啟動情況。主要特色寬輸入電壓范圍:6.0V - 40V,可承受啟動/停止和負(fù)載突降情況單片高壓開關(guān)穩(wěn)壓器包含一個 40V 集成開關(guān)、一個
2018-08-09 07:16:19
`描述此參考設(shè)計是來源于汽車電池的完整車用 USB 充電器解決方案。此設(shè)計采用 9V 到 40V 的直流輸入來生成 5V/2.1A 的輸出,適用于智能手機和平板電腦。特性適用于汽車應(yīng)用的完整 USB
2015-04-22 14:11:49
本帖最后由 深圳市巴丁微電子 于 2016-11-7 15:51 編輯
BD8153是一款由深圳市巴丁微電子有限公司推出的輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動電路,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范,具體而言,低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
40V的SL3061,內(nèi)置MOS,電流能力2.5A,可以替代芯龍XL1509系列
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)也在不斷發(fā)展。在電力電子領(lǐng)域中,功率MOS管是一種非常重要的元器件。它具有高頻率
2023-11-13 15:24:19
1,LDO線性穩(wěn)壓芯片40V輸入,降壓轉(zhuǎn)5V,3.3V,3V的話,由于先天條件,輸入和輸出壓差太大,只適合幾十MA電流輸出供電的應(yīng)用,如MCU,藍(lán)牙模塊等等其他。LDO可參考PW8600,輸入電壓
2020-11-20 09:46:42
40V轉(zhuǎn)5V,40V轉(zhuǎn)3.3V,40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片 1,LDO線性穩(wěn)壓芯片40V輸入,降壓轉(zhuǎn)5V,3.3V,3V的話,由于先天條件,輸入和輸出壓差太大,只適合幾十MA電流輸出供電
2020-10-16 11:10:54
描述40v樹莓派電壓調(diào)節(jié)帽直接連接到汽車電池時,您的樹莓派是否無法工作?好吧,它不再起作用了,但是使用這頂帽子,您可以在電壓高于 5v 的情況下運行新的樹莓派!工作電壓高達(dá) 40v(我已經(jīng)測試過),這意味著您可以將其從汽車甚至卡車電池中運行,而不會損壞您的樹莓派!PCB
2022-07-14 07:44:28
7~40V轉(zhuǎn)5V DC降壓電路
2017-03-31 23:37:51
描述 采用 LM14050 和 LMZ20502 的 7V 至 40V 寬輸入 3 輸出 SIMPLE SWITCHER? 參考設(shè)計
2018-09-05 08:55:17
的設(shè)計而言,它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻,并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計,使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
新一代汽車產(chǎn)品發(fā)展趨勢汽車已經(jīng)問世100多年了,但直到無線手機時代,移動連接才真正興起。當(dāng)前,移動手機和其它便攜式設(shè)備的功能變得日益豐富,而消費者的期望也在不斷變化。例如,便攜式媒體設(shè)備(PMD
2010-03-10 17:05:27
導(dǎo)讀:日前,TDK公司宣布推出新一代PCB基板式開關(guān)電源--CUT75系列產(chǎn)品。CUT75系列新品是伴隨著市場對更輕薄、更高效率,更高性價比的三路輸出開關(guān)電源的需求而問世,為客戶系統(tǒng)的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代軍用通信系統(tǒng)挑戰(zhàn)
2021-03-02 06:21:46
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)的架構(gòu),專注于設(shè)計用于消費電子應(yīng)用中提供高電壓線驅(qū)動器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機的可再生制動的功能安全測試。該參考設(shè)計實現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET,該器件具有用于降低開關(guān)損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較,結(jié)果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on),還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
ANADIGICS, Inc.日前推出了3種面向新一代支持WiFi功能的智能手機和消費類電子產(chǎn)品的采用薄型(low-profile)標(biāo)準(zhǔn)封裝的前端集成電路(FEIC)。 AWL9230
2018-08-27 16:00:11
20世紀(jì)60年代末就提出了IGBT的構(gòu)想,但直到20世紀(jì)80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”(PT)工藝,開關(guān)頻率可以達(dá)到15 kHz,但當(dāng)多個這樣的器件并聯(lián)時,集電極
2018-12-03 13:47:00
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
ARK推出新一代250V MOS器件 近日,成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.,簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品,包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日,成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.,簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品,包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對管
2011-04-15 11:51:00
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】:功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知,IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
概述:MAX1553能夠以恒定電流驅(qū)動串聯(lián)的白色LED,為蜂窩電話、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關(guān),可提高效率、延長電池壽命。
2021-04-21 07:38:25
概述OC5820 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5820 在6-40V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 2.5 A 峰值輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
Hiroaki Nishimoto表示:“我們非常榮幸地推出新一代智能IPTV機頂盒,新產(chǎn)品的智能功能和高性能可滿足IPTV服務(wù)和完美用戶體驗的技術(shù)要求。新一代StreamCruiser? SmartTV
2013-09-22 11:35:00
Hiroaki Nishimoto表示:“我們非常榮幸地推出新一代智能IPTV機頂盒,新產(chǎn)品的智能功能和高性能可滿足IPTV服務(wù)和完美用戶體驗的技術(shù)要求。新一代StreamCruiser? SmartTV
2013-11-08 10:36:06
全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
`TI新一代5V無線充電發(fā)射、接收芯片 bq500211、bq51013簡介 德州儀器推出首款符合 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的 5V 無線電源發(fā)送器;新一代電源電路促進(jìn) USB 連接無線充電板普及日前,德州儀器
2013-02-21 10:55:57
近日,山特電子(深圳)有限公司(以下簡稱山特)宣布,將推出新一代城堡EX系列
2010-04-27 16:25:36
/DC開關(guān)電源的設(shè)計開發(fā)。2009年加入英飛凌科技(中國)有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師,負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹:英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個
2012-07-13 10:50:22
SEED-HPS6678(HPS6678)是北京艾睿合眾科技有限公司新推出的新一代高端DSP+FPGA應(yīng)用方案。DSP采用TI公司首顆最高主頻為10GHz的8核浮點DSP芯片TMS320C6678
2019-09-24 08:29:12
概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08
大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅(qū)動解決方案,不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電,而且需要一系列保護(hù)功能和狀態(tài)回饋,LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優(yōu)勢
2018-12-12 09:50:04
▄▅ TEL:135-3012-2202 ▄▅ QQ:8798-21252 ‖‖回收英飛凌ic ,回收英飛凌汽車ic,專業(yè)回收英飛凌ic,庫存英飛凌汽車ic高價回收,汽車庫存芯片專業(yè)回收,大量
2021-05-15 15:24:55
大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)驅(qū)動芯片TLE986x、TLE987x 的車載智能電機驅(qū)動和控制解決方案。隨 著汽車電子的發(fā)展,智能電機在汽車電子系統(tǒng)的應(yīng)用也越來越廣泛
2018-12-12 09:48:42
12月7日下午,奇虎360特供機官方微博承認(rèn)將與諾基亞合作,推出新一代 360 特供機。諾基亞和奇虎 360安全衛(wèi)士官方微博也隨后轉(zhuǎn)發(fā)此微博,證實合作的可能性。奇虎360和諾基亞此次合作極為保密
2012-12-09 17:40:48
新一代數(shù)據(jù)中心有哪些實踐操作范例?如何去推進(jìn)新一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展?
2021-05-25 06:16:40
德州儀器(TI)推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
產(chǎn)品概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46
斯巴魯近日宣布將從明年起運用其新一代EyeSight安全系統(tǒng),并在10月2日首先透露了新一代產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2020-08-26 07:28:47
范圍、低VIN引腳靜態(tài)電流(突發(fā)工作模式下)以及用于同步MOSFET的100%占空比能力(直通工作模式下,VIN ≥ VOUT),使其非常適合通用升壓和汽車預(yù)升壓應(yīng)用。LT8336集成了40V、2.5A
2020-08-28 10:06:36
`描述此降壓同步直流/直流解決方案從 40V/42V 輸入提供 5V 輸出 (@20A),可實現(xiàn)最大效率。特性帶有集成同步柵極驅(qū)動器的 TPS40170 控制 IC低柵極電荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
想用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時間為2us,計算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規(guī)級高壓運放,請問下使用LT1010可以實現(xiàn)嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
謝謝!
2023-11-13 14:20:54
達(dá)100A的電流處理能力等特性,使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng),應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機  
2010-01-13 17:18:57
請問怎么把函數(shù)發(fā)生器20v的PWM波升到40v呢?
2019-07-08 15:24:00
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
研華科技最新推出新一代串口上網(wǎng)服務(wù)器
近日,研華科技宣布最新推出新一代8/16 口串口上網(wǎng)服務(wù)器-EDG-4508+/4516+系列產(chǎn)品,它基于全
2009-06-12 10:32:43876 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢,可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 新唐科技推出新一代LPC 8051 MCU
新唐科技(Nuvoton Technology)推出新一代小型封裝SSOP20-N79E825與N79E824產(chǎn)品,繼低接腳LPC整合型單片機系列后,進(jìn)一步滿足客戶在更小體積的要
2009-11-24 08:31:241270 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57828 英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2
英飛凌科技股份公司宣布推出SMARTiTM UE2的樣品。SMARTiTM UE2是適用于移動設(shè)備的新一代多帶HSPA+/EDGE/GPRS射頻收發(fā)器。它的
2010-02-02 09:38:34961 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 三菱電機推出新一代功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機株式會社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊:第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351137 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22558 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(ICE)平臺以及微型混合動
2010-12-24 09:20:501049 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:221537 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381391 2015年3月24日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C,非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391070 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 高通宣布了正式推出新一代驍龍穿戴3100平臺,這是面向新一代智能手表的移動芯片。
2018-09-12 14:35:435879 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:01511 40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術(shù) 官網(wǎng))-40V轉(zhuǎn)24V,40V轉(zhuǎn)20V,40V轉(zhuǎn)15V ,40V轉(zhuǎn)12V,40V轉(zhuǎn)9V,40V轉(zhuǎn)5V,40V轉(zhuǎn)3.3V,40V轉(zhuǎn)3V,40V轉(zhuǎn)1.8V,40V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 12:56:2714 ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053321 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53785 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-03-13 19:19:530 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:240 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12519 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費下載
2023-11-23 09:39:280 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑,為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297
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