上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET,為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢,有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。
1.平面工藝與Trench溝槽工藝MOSFET區(qū)別
兩種結構圖如下:
由于結構原因,性能區(qū)別如下
(1)導通電阻
Trench工藝MOSFET具有深而窄的溝槽結構,這可以增大器件的有效通道截面積,從而降低導通電阻,能夠實現(xiàn)更高的電流傳輸和功率處理能力。
平面工藝MOSFET的通道結構相對較簡單,導通電阻較高。
(2)抗擊穿能力
Trench工藝MOSFET通過控制溝槽的形狀和尺寸,由于Trench工藝的深溝槽結構,漏源區(qū)域的表面積得到顯著增加。這使得MOSFET器件在承受高電壓時具有更好的耐受能力,適用于高壓應用,如電源開關、電機驅動和電源系統(tǒng)等。
平面工藝MOSFET相對的耐電壓較低。廣泛應用于被廣泛應用于數(shù)字和模擬電路中,微處理器,放大器,音響,逆變器,安防,報警器,卡車音響喇叭及光伏儲能上。
(3)抗漏電能力
Trench工藝MOSFET通過溝槽內的絕緣材料和襯底之間形成較大的PN結,能夠有效阻止反向漏電流的流動。因此,Trench工藝MOSFET在反向偏置下具有更好的抗漏電性能。
平面工藝MOSFET的抗漏電能力相對較弱。
(4)制造復雜度
Trench工藝MOSFET的制造過程相對復雜,包括溝槽的刻蝕、填充等步驟,增加了制造成本。平面工藝MOSFET制造工藝成熟:PLANAR平面工藝MOSFET是最早的MOSFET制造工藝之一,經過多年的發(fā)展和改進,制造工藝已經非常成熟。相關設備和技術已經得到廣泛應用和實踐,具有較高的可靠性和穩(wěn)定性。
(5)看到這些方面是不是覺得溝槽工藝MOSFET 更有優(yōu)勢,其實我們可以簡單理解這兩種工藝。
平面工藝就好比我們小時候的土屋,幾乎不需要挖地基純平面架構特點:成本高,內阻大,ESD能力強,屬于純力量型選手,抗沖擊力強。
Trench工藝,俗稱潛溝槽工藝,就好比我們農村的樓房,需要挖地基到一定深度,同樣的使用面積所需要的地皮少,相比平面工藝,成本略低, 同電壓平臺,內阻略小,電流大,輸出能力強,但是,抗沖擊能力也更弱,速度與力量的結合。
簡單總結就是 :
Trench工藝 內阻低 ,高耐壓,單元芯片面積小,一致性相對差 但抗沖擊能力弱 。
平面工藝 內阻大,耐壓低,單元芯片面積大,一致性好 抗沖擊能力強。
2.至于Trench工藝為什么抗沖擊能力差
主要是:
(1)結構脆弱:Trench工藝中形成的深溝槽結構相對較細,橫向尺寸較小。這使得結構相對脆弱,容易受到機械沖擊或應力集中的影響而產生破壞。
(2)異質材料接口問題:Trench工藝通常涉及不同材料之間的接口,例如在溝槽中填充絕緣材料或襯底與溝槽之間的接觸等。這些異質材料接口會引入應力集中和接觸問題,降低了整體的抗沖擊能力。
(3)缺陷和損傷:在Trench工藝中,制造過程中可能會出現(xiàn)缺陷或損傷,例如溝槽表面的粗糙度、填充材料的不均勻性等。這些缺陷和損傷會導致材料強度下降,從而降低了抗沖擊能力。
3.如何選擇
選擇使用PLANAR工藝MOSFET還是Trench工藝MOSFET需要考慮以下幾個因素:
(1)功能需求:
首先需要明確所需的功能和性能要求。例如,如果需要高功率處理和低漏電流特性,
則Trench工藝MOSFET可能更適合。如果需要較高的開關速度則PLANAR工藝MOSFET可能更適合。
(2)功耗和效率:
需要考慮設備的功耗和效率需求。Trench工藝MOSFET具有較低的導通電阻適用于高效率的功率轉換應用。
PLANAR工藝MOSFET則在一些低功耗應用中表現(xiàn)較好。
(3)溫度特性:
需要考慮設備溫度特性等因素。取決于器件結構和材料選擇。一般來說,Trench工藝MOSFET具有較好的封裝和散熱能力,可在高溫環(huán)境下工作并具有較低的漏電流。
但一般工控上選擇推薦選擇平面工藝,因為要求穩(wěn)定可靠,一致性好,抗沖擊力強,對于散熱可以采用其它措施彌補。
也就是,我使用的場合決定我們使用哪種工藝MOSFET更合適.
總之,一個新的工藝技術產生一定有它的優(yōu)勢所在比如Trench,功率大,漏電小。但同時也伴有小的缺陷,比如抗沖擊力弱,一致性相對差。隨著技術的進步成熟,缺陷不斷會被大家想辦法彌補。但老的工藝雖然市場份額在不斷縮小,但它的市場需求也無法替代。
比如下面,幾種場合 使用平面工藝 產品性能會更優(yōu)。
上海雷卯電子既有Trench工藝MOSFET,也有平面工藝MOSFET,這篇僅作簡單區(qū)別闡述,如需具體型號,請聯(lián)系EMC 小哥。上面闡述如果有誤,請聯(lián)系交流。
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