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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5026 PWM 控制器包含實現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比,可以實現(xi...
2025-04-03 標簽:轉(zhuǎn)換器MOS電流模式 125 0
電氣符號傻傻分不清?一個N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動應(yīng)用實例
MOS管在電路設(shè)計中是比較常見的,按照驅(qū)動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似,但又不完全相同,那...
三極管開關(guān)電路設(shè)計思路假設(shè)成真,還要保證啥條件?
本文只介紹作為開關(guān)管使用時的電路設(shè)計介紹電路之前,我們需要了解一下壓控和流控的概念壓控:是指電壓作為控制信號,理想狀態(tài)下,對于MOS只要VGS的電壓滿足....
2025-03-08 標簽:三極管開關(guān)電路MOS 817 0
LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN (0.915V)、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器
LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工...
從焊接虛焊到靜電擊穿:MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題
在電子制造中,MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效,返工成本超百萬...
驅(qū)動電路設(shè)計踩坑錄:MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)
在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS...
MDD辰達半導(dǎo)體MDD100N03D 先進Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動工具領(lǐng)域,電機驅(qū)動的效率與可靠性直接決定了用戶體驗。無論是洗地機的強勁動力、掃地機器人的持久續(xù)航,還是電動工具的高效作業(yè)...
MOS管發(fā)燙嚴重:從散熱設(shè)計到驅(qū)動波形的優(yōu)化實戰(zhàn)
在電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等場景中,MDDMOS管嚴重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動器因MOS管溫升達105℃,導(dǎo)...
類別:電子資料 2025-04-11 標簽:半導(dǎo)體MOSMOSFET功率器件
XBM2138QFA鋰離子/聚合物2芯集成MOS保護器英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-10 標簽:集成電路鋰離子聚合物
類別:電子資料 2025-01-08 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管
類別:電子資料 2025-01-06 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS
Toshiba東芝TPN11003NL MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-13 標簽:MOSFETMOSN溝道
TOSHIBA東芝TPH3R704PC MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-12 標簽:MOSFETMOSN溝道
TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-11 標簽:MOSFETMOSN溝道
IP2315高效同步降壓轉(zhuǎn)換充電IC中文手冊立即下載
類別:IC中文資料 2024-10-24 標簽:充電MOS降壓轉(zhuǎn)換
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13m...
功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化先鋒:長晶科技的創(chuàng)新與崛起
近年來,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國政策支持的背景下,國產(chǎn)化替代已成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對國際技術(...
2025-04-09 標簽:MOS功率半導(dǎo)體 180 0
國產(chǎn)化人形機器人原地側(cè)空翻,其中涉及到哪些MOS?
行業(yè)背景 前幾天宇樹G1機器人實現(xiàn)了側(cè)空翻動作并保持了平衡,這種側(cè)空翻需要克服旋轉(zhuǎn)帶來的非對稱角動量分布問題,實驗數(shù)據(jù)顯...
從 2.4V 輸入到 12V 輸出,F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢 “圈粉”?
在電子設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、可靠性及用戶體驗。隨著便攜式設(shè)備、消費電子及工業(yè)應(yī...
吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動力
吸塵器動力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無線吸塵器滲透率超60%的今天,電機驅(qū)動MOS過熱降速卻成為用戶體驗的致命傷——行業(yè)測試數(shù)據(jù)顯示,80%的...
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的ESD(靜電放電)防護措施與設(shè)計要點對于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的...
MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者?仁懋三款MOS器件引爆主機能效革命
高性能主機的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示,27%...
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