該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:00
1557 東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
采用的三電平電路，用兩個(gè)600V的Mosfet串聯(lián)，來解決高母線電壓帶來的MOS管應(yīng)力問題。 其次是高壓下的開關(guān)損耗很大，使得我們必須選擇軟開關(guān)的電路拓?fù)?。LLC變換器可以在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZVS，使
2018-10-17 16:55:50
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，同時(shí)降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?！ ?8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
的一半。開關(guān)損耗是另一個(gè)可以優(yōu)化的部分，如［3］所示。為了驅(qū)動(dòng) ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。STGAPxx MOSFET驅(qū)動(dòng)器有兩種不同的規(guī)格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
了?！ 」逃袃?yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素?；景雽?dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
92%的開關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
使用IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）等少數(shù)載流子元器件（雙極元器件）。但因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗大而具有發(fā)熱問題，實(shí)現(xiàn)高頻驅(qū)動(dòng)存在界限。由于SiC能使肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等高速多數(shù)載流子元器件的耐壓更高，因此能
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI。 以下測(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對(duì)溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開關(guān)速度快SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
可以減小內(nèi)部源極布線的電感，從而允許MOSFET實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率。TO263-7L采用7引腳封裝，采用開爾文連接，適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝，中間沒有引腳，以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關(guān)損耗2. 關(guān)斷過程中MOSFET開關(guān)損耗3. Coss產(chǎn)生的開關(guān)損耗4.Coss對(duì)開關(guān)過程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開關(guān)損耗。
2021-01-30 13:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
封裝還是TO-247-4引腳封裝?！ D5. 在800V、15A和150°C時(shí)，不同1200V碳化硅MOSFET技術(shù)能實(shí)現(xiàn)的最小導(dǎo)通開關(guān)損耗。被測(cè)器件的標(biāo)稱通態(tài)電阻為60-80mΩ，在柵極電壓18
2023-02-27 13:53:56
近年來，因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
的例子中，開關(guān)損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時(shí)與IGBT相比效率提高3%，可進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時(shí)提高跨導(dǎo)，也可以提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。但過低的閾值電壓會(huì)使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒有開關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個(gè)階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。同時(shí)，t1-t2和t2-t3二個(gè)階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的效率也會(huì)更高。當(dāng)客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關(guān)管后，通常也會(huì)愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導(dǎo)通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導(dǎo)通損耗
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時(shí)，只需在柵極和源極之間增加一個(gè)二極管電壓鉗位即可解決這一難題。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗?！ D（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的結(jié)電容更小，柵極電荷低，因此，開關(guān)速度極快，開關(guān)過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開關(guān)損耗顯著降低，但傳統(tǒng)封裝中雜散電感參數(shù)較大，在極高的 di/dt 下會(huì)產(chǎn)生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)。 接下來介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
，在這兩種情況下估算時(shí)間t3作為MOSFET的上升和下降時(shí)間，您可使用等式4估算開關(guān)損耗：開關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關(guān)頻率較高時(shí)，總效率相對(duì)降低。在輕負(fù)載時(shí)，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引腳封裝，也是基于這樣的背景，旨在在使用了SiC功率元器件的應(yīng)用中，進(jìn)一步降低損耗。這里有一個(gè)注意事項(xiàng)，或者說是為了有效使用4引腳封裝產(chǎn)品而需要探討的事項(xiàng)。前面提到
2020-07-01 13:52:06
C3M0015065D碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位
2022-05-21 11:12:51
C3M0025065D碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位
2022-05-21 15:52:28
C3M0060065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位
2022-05-21 18:00:35
C3M0120065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位
2022-05-21 21:54:44
C3M0120065K碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位
2022-05-21 22:04:32
PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固技術(shù)；提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對(duì)用于 EV 電池
2022-05-22 10:54:29
E3M0075120K為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級(jí)碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級(jí)碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴(kuò)展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
2022-05-24 21:59:02
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223531 
東芝面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
2021-02-25 14:14:40951 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151182 器件用于開關(guān)損耗和浪涌電壓，可降低開關(guān)損耗高達(dá)92%。半導(dǎo)體碳化硅功率器件功耗顯著降低，設(shè)備發(fā)熱量大大降低，進(jìn)一步簡化了設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)，減小了設(shè)備的體積，大大降低
2021-12-07 10:36:02546 
的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設(shè)計(jì)原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導(dǎo)損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級(jí)電壓
2022-11-30 15:28:282649 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32738 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00321 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
碳化硅（SiC）
MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)
設(shè)備的電流更大，那么它就會(huì)加熱，相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣，過境電流
降低，熱失衡級(jí)別也
降低。此外，他們?cè)跍囟?/div>
2023-12-19 11:59:32142 
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 已全部加載完成
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