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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C3M0060065J碳化硅MOSFET

型號(hào)： C3M0060065J

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 650A
  • 柵極 - 源極電壓 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 99A
  • 功耗 136W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -40 to +175?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0060065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位；啟用更?。淮蚧饳C(jī); 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應(yīng)用；服務(wù)器/電信電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。

C3M0060065J


好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動(dòng)
? 啟用新的硬開關(guān) PFC 拓?fù)洌▓D騰柱）


特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 帶驅(qū)動(dòng)源引腳的低電感封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用
? 電動(dòng)汽車充電
? 服務(wù)器電源
? 太陽能光伏逆變器
? UPS
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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