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標(biāo)簽 > FET
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動,所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對于FET,由于柵極沒有電流流過,所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實(shí)際上,VGS是以源極為基準(zhǔn)的,像N溝JFET那樣,當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號。因此,VS等于將VGS加到VG上時,就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對于FET來說,當(dāng)器件型號和工作點(diǎn)(ID)不同時,VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過,ID=IS,所以上式也可以寫成: VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS
LM3488Q-Q1 40V 寬 VIN 低側(cè) N 溝道控制器,適用于關(guān)斷電流為 5μA 的開關(guān)穩(wěn)壓器技術(shù)資料
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2025-03-31 標(biāo)簽:控制器電阻器開關(guān)穩(wěn)壓器 65 0
TPS40200-HT 高溫寬輸入非同步降壓 DC/DC 控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS40200 是一款靈活的異步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動器,用于 P 溝道 FET。該電路在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有省電功能,一旦外部...
TPS40210-HT 高溫寬輸入范圍電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS40210 是一款寬輸入電壓(5.5 V 至 52 V)非同步升壓控制器。它適用于需要接地源極 N 溝道 FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括升壓、反激式、S.....
2025-03-28 標(biāo)簽:led驅(qū)動器可編程FET 100 0
TPS53219A 具有 Eco 模式的 3V 至 28V、20A、同步 D-CAP 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS53219A 器件是一款小型單降壓控制器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP 模式控制。該器件適用于數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品中的低輸出電壓...
TPS59640 雙通道 SVID,D-CAP+;用于 IMVP-7 Vcore 的降壓工業(yè)級控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51640A、TPS59640 和 TPS59641 是雙通道,完全符合 SVID 標(biāo)準(zhǔn) IMVP-7 帶兩個集成柵極驅(qū)動器的降壓控制器。高級控制...
TPS53819A 帶 PMBus 的 3V 至 28V、40A、同步 D-CAP2 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS53819A 器件是一款小型單降壓控制器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP2 模式控制和 PMBus。該器件適用于數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品中的...
UCD74111 14 V、15 A 同步降壓功率級,帶輸出電流監(jiān)控技術(shù)資料
UCD74111 是一個多芯片模塊,集成了一個驅(qū)動器器件和兩個 NexFET 功率 MOSFET 采用熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN 封...
OPA817 800MHz、高精度、單位增益穩(wěn)定、FET輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊
OPA817 是一款單位增益穩(wěn)定的電壓反饋運(yùn)算放大器、適用于高速、高精度和寬動態(tài)范圍的應(yīng)用。
2025-03-26 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器高精度FET 187 0
UC1856-SP系列 航天級 QMLV、40V 輸入、1.5A 雙輸出 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UC1856 是廣受歡迎的 UC1846 系列電流模式控制器的高性能版本,適用于設(shè)計(jì)升級和注重速度和精度的新應(yīng)用。所有輸入到輸出延遲均已最小化,并且電流.....
TPS40210-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4.5V 至 52V 輸入電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS40210-EP 是一款寬輸入電壓(4.5 至 52 V)異步升壓控制器。 該器件適用于需要接地源極 N 溝道 FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括 升壓、反...
TPS53K上的統(tǒng)一接地連接建議-集成FET轉(zhuǎn)換器開發(fā)立即下載
類別:電子資料 2024-10-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET
用于汽車應(yīng)用中電機(jī)驅(qū)動的外部或內(nèi)部FET立即下載
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Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這...
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朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn)...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管 311 0
在2024年底剛開過IEDM的主題演講(keynote speech),二維場效電晶體(2D Field Effect Transistor;2D FE...
安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢,深化交流合作。安世半導(...
2024-12-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FETGaN 639 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 1912 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 836 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guā...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅...
2023-12-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 922 0
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