FET

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  MS8258D——高增益帶寬積 FET 輸入放大器

  MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運算放大器，適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。提供方案和FAE支持，歡迎

  2024-11-28 標(biāo)簽： CMOS FET 輸出放大器 241 0

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  如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓

  上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓

  2024-11-04 標(biāo)簽： 變壓器 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 293 0

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  N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

  晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號

  2024-10-25 標(biāo)簽： 場效應(yīng)管 晶體管 FET 1074 0

• FET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

  FET（Field Effect Transistor，場效應(yīng)晶體管）的放大原理是基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性的調(diào)控作用。

  2024-09-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 FET 1851 0

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  簡述開關(guān)電源芯片U8608的工作原理

  開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高

  2024-08-21 標(biāo)簽： FET GaN 開關(guān)電源芯片 958 0

• 場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別

  場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junctio

  2024-08-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 FET 場效應(yīng)晶體管 1702 0

• 場效應(yīng)管控制電流大小的原理

  場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）控制電流大小的原理主要基于其獨特的電壓控制特性。F

  2024-07-23 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 場效應(yīng)管 FET 1635 0

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  使用FET的低壓晶體振蕩器電路

  我們可以很容易地使用FET和晶體來產(chǎn)生頻率作為低壓晶體振蕩器電路，1.5V-10V電源。

  2024-06-09 標(biāo)簽： FET 振蕩器電路 晶體振蕩器 549 0

• 場效應(yīng)管的分類及其特點

  場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)

  2024-05-31 標(biāo)簽： 放大器 場效應(yīng)管 FET 3907 0

• 場效應(yīng)管燒毀的主要原因

  場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分，其穩(wěn)定性和可靠性對

  2024-05-31 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 場效應(yīng)管 FET 3580 0

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