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標(biāo)簽 > GaAs
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HMC-C048低噪聲放大器模塊,5-9GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C048是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲放大器,封裝在微型密封模塊中,在5至9 GHz的頻率下工作。 這種高動(dòng)態(tài)范圍低噪聲放大器模塊提...
HMC-C040 InGaP HBT 10分頻模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C040是一款低噪聲10分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),封裝在微型密封模塊中,帶有可更換的SMA連接器。 該器件在0.5至...
HMC-C034 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C034是一款x2有源寬帶倍頻器,采用GaAs PHEMT技術(shù),封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在32至4...
HMC-C033 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C033是一款x2有源寬帶倍頻器,采用GaAs PHEMT技術(shù),封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在24至33...
HMC-C032 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C032是一款x2有源寬帶倍頻器,采用GaAs PHEMT技術(shù),封裝在微型密封模塊中。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在1...
HMC-C031 x2有源倍頻器模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C031是一款x2有源寬帶倍頻器,采用GaAs PHEMT技術(shù),封裝在微型密封模塊中。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在6至...
HMC-C030寬帶VCO,帶有緩沖放大器模塊,8.0-12.5GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C030是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器,集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管。 內(nèi)部穩(wěn)壓器提供出色的0.2 MHz/V推頻,...
HMC-C029寬帶VCO,帶有緩沖放大器模塊,5-10GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C029是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器,集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管。 內(nèi)部穩(wěn)壓器提供出色的0.2 MHz/V推頻...
HMC-C028寬帶VCO,帶有緩沖放大器模塊,4-8GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C028是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器,集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管。 內(nèi)部穩(wěn)壓器提供出色的0.2 MHz/V推頻...
HMC-C027寬帶低噪聲放大器模塊,29-36GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C027是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲放大器,封裝在微型密封模塊中,在29至36 GHz的頻率下工作。 這種高動(dòng)態(tài)范圍放大器模塊提供...
TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 51 0
HMMC-2007 DC–8 GHz端接SPDT開關(guān)產(chǎn)品簡(jiǎn)介立即下載
類別:電子資料 2023-07-19 標(biāo)簽:GaAsSPDT開關(guān) 291 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-19 標(biāo)簽:LNAGaAs 270 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-06 標(biāo)簽:LNAGaAs噪聲放大器 336 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-04 標(biāo)簽:LNAGaAs 296 0
類別:模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽:光刻蝕刻GaAs 555 0
聚燦光電宣布擴(kuò)建Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造項(xiàng)目
3月6日,聚燦光電發(fā)布公告,宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目”的部分募集資金(共計(jì)8億元)用途,用于新項(xià...
中國(guó)一直堅(jiān)定地追求技術(shù)優(yōu)勢(shì),特別是在5G、電動(dòng)汽車和可再生能源等新興領(lǐng)域。這些變革領(lǐng)域嚴(y...
2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaAs5G 1151 0
影響二極管開關(guān)速度的主要因素是什么? 二極管開關(guān)是電子設(shè)備領(lǐng)域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開關(guān)速度影響...
基于InGaAs NFAD的集成型低噪聲近紅外單光子探測(cè)器
近年來(lái),基于InGaAs單光子雪崩二極管(SPAD)的近紅外單光子探測(cè)技術(shù)在遠(yuǎn)距離激光雷達(dá)等系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛,展現(xià...
GaAs基VCSEL已廣泛應(yīng)用于三維成像、無(wú)人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領(lǐng)域,同時(shí)在光電對(duì)抗...
軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對(duì)比5nm差距在哪里?
其實(shí)就目前的情況(截止2022年)而言,現(xiàn)實(shí)和他們想的相反,在很多軍工領(lǐng)域,我國(guó)現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn)...
淺析Tower硅光子平臺(tái)結(jié)合光纖與硅芯片連接技術(shù)及量子點(diǎn)激光器
Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術(shù)與允許同時(shí)將大量光纖連接到芯片的功能相結(jié)合——顯著簡(jiǎn)化了組裝成用于數(shù)據(jù)中心和電信網(...
HMC624A是一款6位數(shù)字衰減器,以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)...
為了實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術(shù)在21 世紀(jì)初得到較為廣泛的研究。
Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs?MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國(guó)防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10GHz時(shí),CMD275提供16dB的增益.....
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