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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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E3M0075120D碳化硅MOSFET

型號： E3M0075120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極 -源極電壓 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 80A
  • 功耗 145W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

E3M0075120D為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級碳化硅 MOSFET。通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；業(yè)內(nèi)首個汽車認證；業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用第三代堅固技術(shù)；提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，并在6.6kW 雙向車載充電器參考設(shè)計中采用。

E3M0075120D


優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 通過汽車認證 (AEC-Q101) 和 PPAP 能力

 

應(yīng)用
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器


相關(guān)型號
E3M0075120D CSD01060E
C3M0075120D CSD01060A
C3M0075120J C3D02060E
C3M0075120K C3D02060F
C2M0080120D C3D02060A
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C3M0160120D C3D03060F
C2M0160120D C3D03060A
C2M0280120D C3D04060E
C3M0350120J C3D04060F
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
 

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