--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓 650V
- 柵極 - 源極電壓 -8/+19V
- 脈沖漏極電流 51A
- 功耗 86W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -40 to +175?C
- 焊接溫度 260?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
C3M0120065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗,可實現(xiàn)最高效率和功率密度,通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位;啟用更??;打火機; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應用;服務器/電信電源;電動汽車充電系統(tǒng);儲能系統(tǒng);不間斷電源;和電池管理系統(tǒng)。
好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 啟用新的硬開關 PFC 拓撲(圖騰柱)
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 帶驅(qū)動源引腳的低電感封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應用
? 太陽能逆變器
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關模式電源
? 電動汽車電池充電器
? UPS
相關型號
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