資料介紹
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種1200V和5種650V產(chǎn)品,已經(jīng)開始發(fā)貨。 新產(chǎn)品將單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3],使代表傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間關(guān)系的重要指標(biāo)——漏源導(dǎo)通電 阻*柵-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。開關(guān)損耗也減少了約20%[5],因而同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些新產(chǎn) 品可提高設(shè)備效率。
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