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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>用于汽車D類音頻系統(tǒng)的DirectFET2功率MOSFET系

用于汽車D類音頻系統(tǒng)的DirectFET2功率MOSFET系

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2023-08-04 17:43:05

LM386語音音頻功率放大器電路設(shè)計(jì)

  使用LM386語音音頻功率放大器電路設(shè)計(jì)用于低壓消費(fèi)應(yīng)用,可以設(shè)計(jì)出具有可變增益和音量控制的非常簡單的語音放大器。   該 LM386 語音音頻功率放大器電路的增益在內(nèi)部設(shè)置為 20,以保持
2023-08-04 17:28:26

基于LM1875的30瓦功率音頻放大器電路

  使用LM1875功率音頻放大器集成電路可以設(shè)計(jì)出非常簡單的音頻音頻放大器,可以在30歐姆負(fù)載下提供8瓦的最大輸出功率。   美國國家半導(dǎo)體公司制造的LM1875是一款單片功率放大器,為消費(fèi)音頻
2023-08-04 17:22:35

采用TDA1020的12w音頻放大器電路圖

放大器,但可用于許多其他音頻應(yīng)用。   該音頻放大器電子項(xiàng)目可以在12歐姆負(fù)載上提供2瓦的輸出功率,在7歐姆負(fù)載上提供4瓦的輸出功率。   TDA1020必須由14.4V直流電源供電,并且與TDA1010引腳兼容。   
2023-08-02 18:16:50

采用TDA7296 AB放大器設(shè)計(jì)的60瓦音頻放大器電路圖

  這款60瓦音頻放大器電路采用TDA7296AB放大器設(shè)計(jì),可用于高保真音頻應(yīng)用。   該60瓦音頻放大器電路將提供60瓦的最大輸出功率和10%的總諧波失真。   由于寬電壓范圍和高輸出電流能力
2023-08-02 18:12:08

TDA2052有源音頻系統(tǒng)電路

  這個(gè)TDA2052有源音頻系統(tǒng)電路使用三個(gè)TDA2052芯片和5個(gè)揚(yáng)聲器(一個(gè)低音揚(yáng)聲器,兩個(gè)高音揚(yáng)聲器和兩個(gè)中音)。   對于此TDA2052 TDA2052有源音頻系統(tǒng)電路,我們需要雙20伏
2023-08-02 18:08:13

TDA7384 AB音頻功放電路

  TDA7384是一款簡單的AB音頻功率放大器,采用Flexiwatt 25封裝,專為高端汽車無線電應(yīng)用而設(shè)計(jì)。   TDA7384的輸入與地面兼容,可以承受非常高的輸入信號(±8Vpk),而
2023-08-01 18:28:14

基于TDA1519的音頻放大器電路

  該音頻放大器電路基于TDA1519放大器IC,可用于不需要高輸出功率音頻應(yīng)用。   TDA1519電路可以提供2x6瓦的輸出功率。TDA1519是一款集成B雙輸出放大器,采用9引腳單列直插式
2023-08-01 18:21:34

1000W功率放大器電路原理圖

這是使用許多功率晶體管構(gòu)建的1000W功率放大器電路。以下方案圖僅用于單聲道/單聲道,您可以構(gòu)建兩個(gè)相同的電路用于立體聲音頻系統(tǒng)
2023-08-01 17:12:522463

600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計(jì)

這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450,即可為您提
2023-07-28 17:04:191357

使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)

這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801

音頻系統(tǒng)解決方案

音頻系統(tǒng)解決方案
2023-07-06 19:45:020

功率場效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個(gè)管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369

DMC62D2SVQ 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

DMC62D2SVQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMC62D2SVQ 這種MOSFET設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由PPAP,非常適合用于:通用接口交換機(jī)電源管理功能
2023-06-26 22:48:51

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07

10N65L-ML高壓功率MOSFET規(guī)格書

UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET,它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET,設(shè)計(jì)具有更好的特性,如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450

行業(yè)應(yīng)用||安森德SJ MOSFET產(chǎn)品在充電樁上的應(yīng)用

廣,不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū),都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累,研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET,具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37

電源管理IC下游市場向高端工業(yè)和汽車領(lǐng)域轉(zhuǎn)型,這家芯片設(shè)計(jì)廠商值得關(guān)注

發(fā)投入占比均超過10%。 數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理 目前電源管理IC主要采用成熟工藝(8寸晶圓、0.13-0.35μm制程),電源管理IC廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、工控、汽車電子、醫(yī)療
2023-06-09 15:06:10

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個(gè)管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

CS5290兼容CS5230防破音AB/D切換,5.2W單聲道GF音頻功放IC

;功放集成了D和AB兩種工作模式即可保證D模式下強(qiáng)勁的功率輸出,又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下,消除功放對系統(tǒng)的干擾;CS5290E具有獨(dú)特的防破音(NCN)功
2023-06-03 17:10:42

音頻放大器的特點(diǎn)及原理

音頻放大器是一種用于放大聲音信號的電子設(shè)備,它將輸入的低電平電信號放大到足夠大的電平,以便驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器產(chǎn)生足夠的聲音。它是音頻系統(tǒng)中不可或缺的組成部分,廣泛應(yīng)用于音響系統(tǒng)、電視機(jī)、電腦、手機(jī)等各種電子設(shè)備中。
2023-06-02 10:38:532744

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

一個(gè)帶有TDA1562Q的汽車音頻放大器電路

一個(gè)帶有TDA1562Q的汽車音頻放大器,可輸出50W的音頻功率
2023-05-23 16:55:461566

一款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路

這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個(gè)MOSFET(IRF9530和IRF530),可在45Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)8W的功率,在70Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164

這種MOSFET管可以用什么代替?

Boost升壓電路,DC60-DC72大功率用于電動(dòng)車增速使用,MOSFET管燒壞導(dǎo)致短路,這種管子網(wǎng)上找不到啊,可以用什么代替? LR080N10S3-A LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34

由晶體管構(gòu)建的1000W功率音頻放大器電路分享

這是由晶體管構(gòu)建的1000W功率音頻放大器電路,從前置放大器到最終晶體管級。本放大電路設(shè)計(jì)為單通道。但是如果你想要立體聲音頻系統(tǒng),你可以構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。
2023-05-13 17:36:464479

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?怎樣實(shí)現(xiàn)?
2023-05-08 16:16:27

D 音頻功放

有性能好一點(diǎn)的 D 音頻功放中的驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)控制電路嗎?我設(shè)計(jì)的電路高低電平轉(zhuǎn)換的時(shí)候,有尖峰脈沖
2023-05-08 15:11:23

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288

SAE發(fā)布用于評估電動(dòng)汽車功率的新標(biāo)準(zhǔn)

J2908標(biāo)準(zhǔn)為電動(dòng)汽車建立了SAE系統(tǒng)功率測試、數(shù)據(jù)后處理和報(bào)告框架。該標(biāo)準(zhǔn)將SAE系統(tǒng)功率定義為在峰值功率狀態(tài)下,用于推進(jìn)系統(tǒng)的所有傳動(dòng)系組件的機(jī)械軸功率的總和。該文件的發(fā)起人、阿崗國家實(shí)驗(yàn)室的研究工程師Michael Duoba表示,這一規(guī)程是自愿性質(zhì)的。
2023-04-28 16:28:321289

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠,本文重點(diǎn)提到基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實(shí)現(xiàn)更快充電和更遠(yuǎn)的續(xù)航里程。 B1M160120HC主要用于用于電動(dòng)汽車的車載充電和高壓DCDC轉(zhuǎn)換,可提高能效并縮
2023-04-19 09:41:41729

碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

空調(diào)壓縮機(jī)是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個(gè)系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MOSFET和硅IGBT的開關(guān)損耗進(jìn)行對比
2023-04-17 11:08:41722

CS83787單節(jié)鋰電池內(nèi)置升壓2x13W雙聲道D音頻功放IC

可以驅(qū)動(dòng)低至35的揚(yáng)聲器,最大輸出 2X13W的恒定功率。CS83787E的ABD可切換模式的設(shè)計(jì),最大限度的減少音頻系統(tǒng)中功放對FM的干擾,為終端產(chǎn)品提供
2023-04-09 17:27:18

高清音頻系統(tǒng)的基礎(chǔ)是什么

與每個(gè)高性能設(shè)計(jì)一樣,采用全系統(tǒng)的方式處理整個(gè)音頻信號鏈,確保了強(qiáng)大和高性能的解決方案。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">音頻信號鏈中的每一個(gè)環(huán)節(jié)都很重要,確保它沒有最弱的環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)必須能夠滿足所有設(shè)計(jì)目標(biāo)規(guī)格,如性能、成本、上市時(shí)間和易用性。圖1所示為HD系統(tǒng)中的基礎(chǔ)。
2023-04-06 10:33:22698

bk3296單芯片藍(lán)牙5.2音頻系統(tǒng)芯片規(guī)格書

BK3296是一款高度集成的單芯片藍(lán)牙5.2音頻系統(tǒng)芯片(SoC),支持藍(lán)牙LE、BR和EDR。它集成了高性能藍(lán)牙射頻收發(fā)器、功能豐富的基帶處理器、內(nèi)存控制器、,多個(gè)模擬和數(shù)字外圍設(shè)備,以及藍(lán)牙協(xié)議
2023-04-04 09:30:2111

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

AUIRF7739L2TR

MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2
2023-03-29 10:49:47

AUIRF7665S2TR

MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
2023-03-29 10:41:39

IU8309單雙節(jié)鋰電內(nèi)置升壓12V,輸出25W單聲道AB/D音頻功放IC

IU8309可鋰電池和12V適配器雙電源供電應(yīng)用,適用于2.7V~12V各個(gè)供電節(jié)點(diǎn),防破音,AB/D切換功率限制,內(nèi)置升壓模塊,具備自適應(yīng)升壓功能,恒定25W輸出功率F單聲道音頻功率
2023-03-26 17:16:42

IU8373兼容CS83711,兩節(jié)鋰電8.4V供電內(nèi)置升壓17W立體聲D音頻功放IC

IU8373兼顧12V適配器供電應(yīng)用,兩種防破音模式,擴(kuò)頻模式,內(nèi)置BOOST升壓模塊雙節(jié)鋰電池串聯(lián)供電,恒定2×17W輸出功率R立體聲音頻功率放大器,腳位完全兼容CS83711。IU8373E
2023-03-24 22:16:24

IU8689帶主從模式,145W單聲道&2X75W立體聲D音頻功放

IU8689E是一款單聲道最高可輸出145W,立體聲2×75W D音頻放大器;這款器件在頂層設(shè)計(jì)了散熱焊盤,焊盤上連接散熱器后在供電電壓24V的情況下,最大可以輸出2×75W的連續(xù)功率;通過主從
2023-03-23 20:24:39

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