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電子發(fā)燒友網>新品快訊>英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

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2023-09-08 06:00:53

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝MOSFET器件的產品陣容

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202

英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器,曬一曬你的工具庫

英飛凌功率器件模型
英飛凌工業(yè)半導體發(fā)布于 2023-08-31 19:21:23

一文了解新能源汽車中包含多少種芯片

達等) 03****功率芯片:IGBT、碳化硅、功率MOSFET 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。在新能源汽車中,中高壓MOSFET
2023-08-25 11:32:31

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600

功率MOSFET數(shù)據手冊技術解析

功率MOSFET數(shù)據表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,有助于汽車設備實現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557

TOLL封裝MOSFET系列

產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885

安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率

隨著現(xiàn)代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設計實現(xiàn)更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367

英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開關解決方案

TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術,它解決了廣泛的應用,如適配器,電視、電機驅動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:25426

英飛凌與賽米控簽署多年期批量供應硅基電動汽車芯片協(xié)議

據分析師預測,到2028年,采用完全或部分電氣化動力傳動系統(tǒng)的汽車將占汽車產量的三分之二。? 電動汽車的快速增長推動了功率半導體的需求。在此背景下,英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX
2023-07-17 15:33:06316

英飛凌與賽米控丹佛斯達成車用功率芯片供貨協(xié)議

英飛凌汽車部門總經理Peter Schiefer表示:“作為汽車半導體領域的全球領軍人物,英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天,igbt和二極管通過電力動力系統(tǒng)的有效電力轉換,對電動汽車產業(yè)的轉換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385

功率場效應管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975

功率MOSFET基本結構:平面結構

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產品

功率MOSFET最常用于開關型應用中,發(fā)揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369

英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302

行業(yè)應用||安森德SJ MOSFET產品在充電樁上的應用

廣,不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務區(qū),都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累,研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結MOSFET,具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37

英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅動器IC,提升SMPS設計的系統(tǒng)性能

【 2023 年 5 月 15 日,德國慕尼黑訊】 如今,3.3 kW的開關電源(SMPS)通過采用圖騰柱PFC級中的超結(SJ硅)功率MOSFET和碳化硅(SiC)功率MOSFET,以及能夠滿足
2023-06-07 15:16:56561

英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:361026

PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824

功率MOSFET基本結構:平面結構

功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

分立3.3 kV SiC MOSFET關鍵指標的分析

理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382

功率模組封裝代工

功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品,所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287

芯導科技推出的一系列TOLL封裝MOSFET產品

TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點,已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393

功率MOSFET驅動保護電路方案大全

分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 ? 文:英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機行業(yè),諸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:18618

功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現(xiàn)?

功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現(xiàn)?怎樣實現(xiàn)?
2023-05-08 16:16:27

功率器件頂部散熱封裝技術的優(yōu)勢及普及挑戰(zhàn)

不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585

英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存,助力打造下一代汽車電子電氣架構

【 2023 年 4 月 25 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存,助力打造下一代汽車電子電氣
2023-04-26 11:10:57591

英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

為了應對相應的挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。
2023-04-13 16:54:252876

英飛凌與臺達電子簽署電動汽車合作備忘錄

日前,英飛凌與臺達電子宣布將其長期合作范圍由工業(yè)拓展至汽車應用。同時雙方已簽署一份長期合作備忘錄,旨在深化雙方的合作與創(chuàng)新,為飛速增長的電動汽車市場提供更高功率密度與能源效率的解決方案
2023-04-06 11:56:30426

KUU推出SOT-723封裝MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987

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