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英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET。結合創(chuàng)新的包裝技術和英飛凌的薄晶圓的工藝技術,新的40V的OptiMOS?T2的功率MOSFET。英飛凌采用擴散焊接模具附加的方法來生產的無鉛封裝,包括TO - 220,TO - 262和TO - 263。由于在封裝幾何方面的具體要求,模具墊厚度和芯片尺寸的擴散焊接模具適合這三種封裝類型,英飛凌能夠提供他們的OptiMOS T2的包在這些產品的生產準備。
隨著新的MOSFET系列,英飛凌超過目前符合RoHS(有害物質限制)與鉛基焊料,用來連接硅芯片令。待2014年實施后,可能需要100%無鉛封裝。由于在同行業(yè)中第一個MOSFET,英飛凌新設備使客戶能夠滿足這些嚴格的要求。
“英飛凌是在功率半導體和相關封裝技術的領導者。引進無鉛封裝,英飛凌是世界上第一個芯片供應商,目前我們的汽車客戶未來的證明,符合RoHS標準,環(huán)保MOSFET,以發(fā)展高效節(jié)能的“綠色”產品?!?/p>
英飛凌專利的無鉛芯片連接(包芯片和引線框架之間的互聯(lián))使用擴散焊接方法,它可以更好的電氣性能和熱性能,制造和質量。
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