英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)在保證高質(zhì)量和可靠性的基礎(chǔ)上，顯著提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，如能量和電荷儲量，這一提升幅度高達(dá)20%。

這一技術(shù)突破不僅大幅提升了整體能效，更為推動低碳化進(jìn)程做出了積極貢獻(xiàn)。隨著全球?qū)Φ吞?、環(huán)保的重視日益加深，英飛凌的這一創(chuàng)新無疑為工業(yè)、消費(fèi)、汽車等領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化發(fā)展提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。

CoolSiC MOSFET G2技術(shù)的推出，進(jìn)一步發(fā)揮了碳化硅在性能上的優(yōu)勢。通過降低能量損耗，這一技術(shù)顯著提高了功率轉(zhuǎn)換過程中的效率，使得功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的客戶能夠享受到更高的性能和更低的能耗。

特別是在光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源等領(lǐng)域，CoolSiC MOSFET G2技術(shù)展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。以電動汽車為例，采用CoolSiC G2的直流快速充電站能夠最高減少10%的功率損耗，從而在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電功率，大大提升了用戶體驗(yàn)。同時，基于CoolSiC G2器件的牽引逆變器還能夠進(jìn)一步增加電動汽車的續(xù)航里程，為電動汽車市場的快速發(fā)展提供了有力支持。

在可再生能源領(lǐng)域，CoolSiC G2技術(shù)同樣發(fā)揮了重要作用。采用這一技術(shù)的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，從而降低了每瓦成本，提高了太陽能系統(tǒng)的整體經(jīng)濟(jì)效益。

總的來說，英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了前所未有的變革。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用將有力推動各行業(yè)的低碳化進(jìn)程，為構(gòu)建綠色、可持續(xù)的未來社會做出重要貢獻(xiàn)。