英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展

碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。

Part 1

CoolSiC MOSFET G2技術(shù) 的關(guān)鍵性能提升

英飛凌的CoolSiC MOSFET G2技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵性能指標(biāo)的提高，包括存儲能量和電荷等。這不僅提高了整體能源效率，而且在碳化硅技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步促進(jìn)了脫碳進(jìn)程。

G2技術(shù)在硬開關(guān)和軟開關(guān) MOSFET 操作的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)上提高了20%以上，同時快速開關(guān)能力提高了30%以上。以光伏逆變器、儲能裝置、電動汽車充電、UPS等應(yīng)用為例，G2在所有運(yùn)行模式下均能以較低的功率損耗運(yùn)行。

在三相電源方案中，相較于上一代CoolSiC G2，運(yùn)行功耗可降低5-30%，實(shí)現(xiàn)了每瓦特的節(jié)能。

CoolSiC G2 MOSFET產(chǎn)品組合在市場上擁有SiC MOSFET中最低的導(dǎo)通電阻（Rdson），采用SMD封裝的同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。通過英飛凌的專利.XT技術(shù)改進(jìn)封裝互連，減少熱阻、提高輸出功率、降低工作溫度。

新一代的熱性能提高了12%，同時增加了60%以上的功率，提高了功率轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃。

這使得CoolSiC G2在光伏、儲能、電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源等各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用中具備顯著優(yōu)勢。例如，搭載CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站可減少高達(dá)10%的功率損耗，同時實(shí)現(xiàn)更高的充電容量。在可再生能源領(lǐng)域，采用CoolSiC G2設(shè)計(jì)的太陽能逆變器可在保持高功率輸出的同時縮小尺寸，降低每瓦成本。

Part 2

溝槽技術(shù) 競爭壁壘與可靠性

溝槽技術(shù)在現(xiàn)代硅功率器件中已經(jīng)取代了平面技術(shù)，而對于碳化硅而言同樣如此。英飛凌的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)不僅在性能上具備優(yōu)勢，而且在可靠性方面也保持了高水平。相較于SiC材料中的橫向界面，垂直界面的缺陷密度顯著降低，為性能和魯棒性特征與可靠性相匹配提供了新的優(yōu)化潛力。

英飛凌強(qiáng)調(diào)了CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)的高可靠性，基于已售CoolSiC MOSFET G1的百萬缺陷數(shù)（DPM）數(shù)據(jù)，SiC產(chǎn)品報(bào)損率低于基于硅的功率開關(guān)。這一高可靠性將為英飛凌的能源效率提供可持續(xù)競爭力。

小結(jié)

英飛凌的CoolSiC MOSFET G2技術(shù)的推出標(biāo)志著碳化硅技術(shù)的新一步進(jìn)化。其在性能、能效和可靠性方面的顯著提升為電力系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換帶來了新的可能性，為實(shí)現(xiàn)高效、可靠、可持續(xù)的能源轉(zhuǎn)換做出了重要貢獻(xiàn)。

這一技術(shù)的成功應(yīng)用將助力推動工業(yè)、消費(fèi)和汽車領(lǐng)域的脫碳和數(shù)字化，是英飛凌在推動創(chuàng)新方面的重要一步。

審核編輯：劉清