英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設(shè)計還有一個顯著優(yōu)勢，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。

安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工業(yè)級模塊的DPM（百萬分之一缺陷率）數(shù)據(jù)顯示，SiC的產(chǎn)品失效率甚至低于Si功率開關(guān)這一非常成熟的技術(shù)。英飛凌還率先開展了應(yīng)用壽命測試，如今某些測試已被納入JEDEC標準。CoolSiC 溝槽式MOSFET設(shè)計推動了現(xiàn)在和未來在能效方面的可持續(xù)競爭力。

基于英飛凌CoolSiC MOSFET，安富利推出3.3KW碳化硅高功率密度雙向PFC電源方案，能夠提升能源轉(zhuǎn)換效率，為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運行提供堅實保障。

此安富利自研方案中，離線式DC/AC設(shè)計不僅提高了電能的轉(zhuǎn)換效率，還帶來了靈活性和廣泛適用性。這套全面系統(tǒng)方案采用英飛凌CoolSiC碳化硅，結(jié)合了高集成度、高功率密度和高效率的優(yōu)勢，能夠靈活適應(yīng)風(fēng)能和太陽能的不規(guī)則供應(yīng)，適用于電信、服務(wù)器SMPS、光伏逆變、儲能、工業(yè)用電、充電樁等應(yīng)用。

新型CoolSiC MOSFET G2溝槽式MOSFET可以將SiC產(chǎn)品性能提升到一個新高度，同時滿足所有常見電源方案的最高質(zhì)量標準：AC-DC、DC-DC和DC-AC。在光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、電源、電機驅(qū)動等眾多應(yīng)用中，SiC MOSFET都能提供比Si MOSFET更高的性能。

CoolSiC MOSFET G2產(chǎn)品具有一系列新的魯棒性，可在長期實際運行中達到最佳性能。

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每處理一瓦特電能的能率

功耗是關(guān)鍵。探索新型CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)如何改善AC-DC、DC-DC、DC-AC等電源方案中常用拓撲結(jié)構(gòu)的功率傳輸。與上一代產(chǎn)品相比，MOSFET在硬開關(guān)和軟開關(guān)運行時的關(guān)鍵性能指標都提高了20%以上。此外，快速開關(guān)能力（即SiC MOSFET的特征）也提高了30%以上。因此，G2系列在光伏逆變器、儲能裝置、電動汽車充電、UPS等所有運行模式下的功耗都較低。

提高特定外形尺寸下的功率標準

集SiC的優(yōu)點于一身：外形小巧，功耗低。SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻越低，傳導(dǎo)損耗也就越低，從而提高了能效、功率密度并減少了器件數(shù)量。CoolSiC G2 MOSFET產(chǎn)品組合降低了SiC MOSFET市場的最低Rdson。采用SMD封裝的同類最佳產(chǎn)品，使TO263-7封裝的耐壓650V和1200V的導(dǎo)通電阻額定值分別達到7 mOhm和8 mOhm。采用.XT改進封裝互連，使器件熱阻更小，輸出功率更大，工作溫度更低。SMD封裝可提供的功率提高了60%以上，提升了功率轉(zhuǎn)換方案的功率密度標準。

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為使用碳化硅性能設(shè)定新標準

650V CoolSiC MOSFET 分立器件G2

適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)

英飛凌650V CoolSiC MOSFET G2系列可優(yōu)化大電流和低電容條件下的開關(guān)性能，適用于各種工業(yè)應(yīng)用場合，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、電機驅(qū)動等。

1200V CoolSiC MOSFET 分立器件G2

在長期實際運行中達到最佳性能

1200V MOSFET G2系列適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域，如車載充電器/PFC、輔助逆變器和不間斷電源（UPS）。以三相電源方案為例，與上一代1200V CoolSiC產(chǎn)品相比，根據(jù)負載情況，G2系列運行時的功耗降低了5-30%，從而提高了功率傳輸中的每瓦特電能的利用率。

EICEDRIVER?柵極驅(qū)動器IC

適合 CoolSiC MOSFET的柵極驅(qū)動器IC

集成電氣隔離功能的柵極驅(qū)動器IC是CoolSiC MOSFET等650V和1200V超快速開關(guān)功率晶閘管的理想驅(qū)動方案。這些柵極驅(qū)動器具備驅(qū)動碳化硅MOSFET所需的最重要的關(guān)鍵功能和參數(shù)，比如傳播延遲精準匹配、精確的輸入濾波器、寬范圍的輸出側(cè)電源、負柵極電壓能力、有源米勒鉗位、擴展的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）能力、退飽和（DESAT）保護以及輸入-輸出電氣隔離。

CoolSiC MOSFET G2功率器件

保證高能效的電源轉(zhuǎn)換解決方案是實現(xiàn)脫碳目標和無限綠色能源的關(guān)鍵。在許多情況下，基于碳化硅的電力電子器件比碳化硅替代品能效更高。為了加快全球清潔能源和能源效率的實施，英飛凌發(fā)布了第二代CoolSiC MOSFET。

英飛凌CoolSiC MOSFET 650V G2介紹

熟悉英飛凌的CoolSiC MOSFET 650V G2第二代產(chǎn)品，了解其主要特性、目標應(yīng)用和優(yōu)勢，并理解其與其他技術(shù)相比的定位。