【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:36
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 
能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。英飛凌科技股份公司的 CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用，使得臺(tái)達(dá)電子 向著 利用綠色電力實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)?！ ?、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2020-06-28 15:16:35
MOSFET是開關(guān)電源中的重要元器件，也是比較難掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC軟開關(guān)的設(shè)計(jì)中，對(duì)于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透徹了，也就應(yīng)用自如了。本文會(huì)從理論上
2018-07-12 11:34:11
和微電子電路相當(dāng)。新一代功率器件的制造技術(shù)已進(jìn)入亞微米時(shí)代。 作為功率MOSFET 來說，有兩項(xiàng)參數(shù)是最重要的。一個(gè)是RDS(ON),即通態(tài)時(shí)的漏源電阻。另一個(gè)是QG，即柵極電荷，實(shí)際即柵極電容。柵極電容
2019-06-14 00:37:57
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
硬開關(guān)開斷和接通時(shí)，開關(guān)上同時(shí)存在電壓和電流，有損耗是什么原因？是開斷是損耗大，還是接通時(shí)損耗大？
2015-04-16 14:55:12
導(dǎo)讀：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式開關(guān)電源--CUT75系列產(chǎn)品。CUT75系列新品是伴隨著市場對(duì)更輕薄、更高效率，更高性價(jià)比的三路輸出開關(guān)電源的需求而問世，為客戶系統(tǒng)的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代HQV視頻處理器能否改善低質(zhì)量視頻？
2021-06-08 06:29:55
新一代PON以及云數(shù)據(jù)中心的未來
2021-06-07 06:30:00
由于集成的功能不斷增多以及外形尺寸的日益縮小，最新一代功能豐富的更小型便攜式設(shè)備將使電源管理設(shè)計(jì)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2019-11-06 07:26:01
新一代軍用通信系統(tǒng)挑戰(zhàn)
2021-03-02 06:21:46
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊?，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應(yīng)用。
2018-09-30 16:10:52
新一代納秒級(jí)高帶寬仿真工具平臺(tái)——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代網(wǎng)絡(luò)分析儀是指什么？它具備哪些特性？安捷倫新型PNA-X網(wǎng)絡(luò)分析儀怎么樣？有哪些功能？
2021-04-15 06:39:43
新一代視頻編碼器怎么樣？
2021-06-02 06:39:01
新一代視頻編碼標(biāo)準(zhǔn)H,264/AVC有哪幾種關(guān)鍵技術(shù)？
2021-06-03 06:33:58
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)的架構(gòu)，專注于設(shè)計(jì)用于消費(fèi)電子應(yīng)用中提供高電壓線驅(qū)動(dòng)器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
并且開關(guān)速度快的IGBT，英飛凌公司開發(fā)的第四代IGBT—T4能很好地滿足這一要求，本文主要介紹T4芯片及其在軟開關(guān)逆變焊機(jī)中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IGBT, T4, 軟開關(guān)，逆變焊機(jī) 中圖分類號(hào)
2018-12-03 13:47:57
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
ADR421超精密，低噪聲，2.048 Vout XFET電壓基準(zhǔn)的典型應(yīng)用，有利于開爾文連接。 ADR42x是一系列超精密，第二代額外注入結(jié)FET（XFET）基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲，高精度和SOIC和MSOP封裝的出色長期穩(wěn)定性
2020-05-22 11:59:17
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
，新一代基站設(shè)施成為二者競爭的焦點(diǎn)，同時(shí)Femtocell的發(fā)展?jié)摿σ参薋PGA和DSP廠商?！ ★w思卡爾是第一個(gè)向市場推出商用四核心DSP的廠商。飛思卡爾現(xiàn)在在市場上主推的產(chǎn)品是第二代四核DSP
2019-07-19 06:10:44
的狀態(tài)，導(dǎo)致LLC的MOSFET硬開關(guān)，典型波形如下，可以看到上管（HVG）打第二個(gè)PWM時(shí)對(duì)應(yīng)的諧振腔的電流相位是不對(duì)的。 再來看過載/短路時(shí)，LLC工作在容性模式的情況，先看一張DC gain對(duì)應(yīng)的容
2016-12-12 15:26:49
LXI新一代測試自動(dòng)化平臺(tái)
2019-10-12 15:01:42
MIMO：新一代移動(dòng)通信核心技術(shù)
2020-07-17 16:38:06
新一代高級(jí)限幅ML8000高級(jí)限制器是下一代限制器技術(shù)，采用兩個(gè)完全獨(dú)立的處理階段，顯著改善峰值水平調(diào)整。ML8000 8波段的處理很容易從響應(yīng)圖、下面的大增益衰減器和方便的閾值標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)每個(gè)波段
2020-01-04 16:43:33
東芝新一代功率MOSFET產(chǎn)品幫助設(shè)計(jì)者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉(zhuǎn)換器的high side 及l(fā)ow side開關(guān)，以及交流-直流設(shè)計(jì)中的二次側(cè)同步整流。此技術(shù)也適合馬達(dá)控制及鋰電池電子設(shè)備中的保護(hù)模組。
2019-08-02 08:07:22
PLC新一代超小型控制器(LOGO！)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對(duì)于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
如何進(jìn)行超快I-V測量？下一代超快I-V測試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
` 智能時(shí)代的到來，推動(dòng)了更多的智能產(chǎn)品的誕生。云溫控器是中央空調(diào)溫控器的新一代產(chǎn)品，這種產(chǎn)品帶領(lǐng)中央空調(diào)走進(jìn)了新高度，打開了智能家居智能智能溫控面板的大門，春泉云溫控器擁有先進(jìn)的云技術(shù)，采用云端
2016-02-18 10:46:03
由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng)，在硬開關(guān)變流器的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對(duì)于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
快充及電源適配器通常采用傳統(tǒng)的反激變換器結(jié)構(gòu)，隨著快充及PD適配器的體積進(jìn)一步減小、功率密度進(jìn)一步提高以及對(duì)于高效率的要求，傳統(tǒng)的硬開關(guān)反激變換器技術(shù)受到很多限制。采用軟開關(guān)技術(shù)工作在更高的頻率
2018-06-12 09:44:41
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一
2018-09-03 15:17:57
分享一款不錯(cuò)的基于數(shù)字信號(hào)處理器的新一代車載娛樂系統(tǒng)解決方案
2021-05-17 06:07:53
▄▅ TEL：135-3012-2202 ▄▅ QQ：8798-21252 ‖‖回收英飛凌ic ,回收英飛凌汽車ic，專業(yè)回收英飛凌ic，庫存英飛凌汽車ic高價(jià)回收，汽車庫存芯片專業(yè)回收，大量
2021-05-15 15:24:55
國內(nèi)第一顆量產(chǎn)超結(jié)MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內(nèi)專業(yè)設(shè)計(jì)大功率MOS器件的公司。現(xiàn)我司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了SJ-MOS的量產(chǎn)，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網(wǎng)址
2011-01-05 09:49:53
兩款模塊分別采用下面兩項(xiàng)開關(guān)技術(shù)：3 A PowerMESH IGBT (STGIPQ3H60x)和 3 A 超結(jié)MOSFET(STIPQ3M60x)?！ ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和硬開關(guān)換流 電機(jī)控制的主要
2018-11-20 10:52:44
1、引言隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和社會(huì)的進(jìn)步，移動(dòng)通信技術(shù)正在經(jīng)歷著日新月異的變化。當(dāng)人們還在研究和部署第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的同時(shí)，為了適應(yīng)將來通信的要求，國際通信界已經(jīng)開始著手研究新一代的移動(dòng)通信系統(tǒng)
2019-07-17 06:47:32
【導(dǎo)讀】傳統(tǒng)電源領(lǐng)域幾乎全是模擬技術(shù)的地盤，然而，隨著數(shù)字技術(shù)的進(jìn)展，數(shù)字電源的諸多好處獲得實(shí)現(xiàn)，因此廠商紛紛投入。數(shù)字電源取代模擬電源是必然的市場趨勢，TI基于UCD3138 的高整合度新一代
2018-09-29 17:18:54
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
新一代數(shù)據(jù)中心有哪些實(shí)踐操作范例？如何去推進(jìn)新一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展？
2021-05-25 06:16:40
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
自動(dòng)化測試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)有哪些？如何去設(shè)計(jì)新一代自動(dòng)化測試系統(tǒng)？
2021-05-11 06:52:57
如何確保新一代車載網(wǎng)絡(luò)的性能和一致性？
2021-06-17 11:17:17
合肥發(fā)布新一代新能源客車管理系統(tǒng)——e控系統(tǒng)，搭載e控系統(tǒng)的安凱第五代純電動(dòng)客車同時(shí)亮相。其中超酷超炫的安凱12寸液晶中控屏更是吸引了足夠眼球，其擬物化的人機(jī)界面，所見即所得的操作交互，徹底顛覆了傳統(tǒng)
2014-09-30 17:01:46
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
將音頻編解碼器整合進(jìn)新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？如何去實(shí)現(xiàn)呢？
2021-06-03 06:41:10
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
` 你的HTPC體積是不是臃腫碩大、外觀平庸？是不是低端入門平臺(tái)、性能低下？是不是功耗幾百瓦耗電巨大？通宵下載時(shí)散熱不良、噪音煩人？… 全新一代家用娛樂HTPC神器：超迷你電腦立人Mr.NUC，幫你
2015-06-25 09:47:32
斯巴魯近日宣布將從明年起運(yùn)用其新一代EyeSight安全系統(tǒng)，并在10月2日首先透露了新一代產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2020-08-26 07:28:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
發(fā)光二極管(LightEmittinDiode，LED)作為新一代固態(tài)光源，具有壽命長、高效節(jié)能、綠色環(huán)保等眾多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地
2012-11-15 14:14:36
軟件無線電的基本結(jié)構(gòu)是什么？新一代SOPC的特點(diǎn)是什么？基于新一代SOPC的軟件無線電資源共享自適應(yīng)結(jié)構(gòu)
2021-05-07 06:17:33
、PiN二極管和超結(jié)二極管；功率開關(guān)管主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)開關(guān)管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管（JFET）、雙極型開關(guān)管（BJT）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO
2023-02-20 15:15:50
有哪位專家來解答一下電路板新一代清洗技術(shù)主要有哪幾種？它們分別有什么特點(diǎn)？
2021-04-20 07:14:41
性和低噪聲特征，超級(jí)結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點(diǎn):?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
負(fù)載供電。 值得一提的是， CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET，可以視作英飛凌不斷創(chuàng)新的工匠精神和數(shù)年沉淀的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的集大成之作。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)
2017-04-12 18:43:19
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
驪微電子供應(yīng)超結(jié)功率mos SVSP14N65FJHE2，可廣泛應(yīng)用于適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?，是士蘭 微mos代理商，提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請(qǐng)。>>
2022-05-18 15:26:23
SVS11N60FJD2 士蘭微國產(chǎn)超結(jié)mos，可廣泛應(yīng)用于適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?，驪微電子是士蘭微mos代理商，提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請(qǐng)。>>
2022-08-30 15:57:55
供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高壓超結(jié)mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌彰?，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請(qǐng) 向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:06:39
NexFETTM：新一代功率 MOSFET
對(duì)于理想開關(guān)的需求
功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)
2010-02-06 09:16:011437 
近日英飛凌擬收購ST半導(dǎo)體的消息受到廣泛關(guān)注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示強(qiáng)勁的增長，在全球MOSFET供應(yīng)吃緊，價(jià)格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時(shí)間超過26周，最長達(dá)52周。
2018-08-06 11:25:414299 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161651 
IM69D128S基于PDM（脈沖密度調(diào)制）輸出的數(shù)字麥克風(fēng)ASIC，樹立了520 μA電流消耗的新基準(zhǔn)。這相當(dāng)于市場上具有類似性能的可用型號(hào)的一半電流消耗量。
2023-02-14 11:25:35307 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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