大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:34
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為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術的功率半導體，這款專門定制的解決方案旨在滿足軌道交通市場的需求。
2022-03-07 14:52:09537 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181494 
? 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供 超高的設計靈活性和高電流密度 。同時，該模塊采用了領先的封裝技術，與CoolSiC? MOSFET配合使用，實現(xiàn)了 低電感設計以及極小
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
解決方案的功率僅為其75%?！ ⌒缕骷母?b class="flag-6" style="color: red">功率密度允許設計人員升級現(xiàn)有設計，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實現(xiàn)更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
2018-10-23 16:21:49
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
英飛凌科技股份有限公司低壓驅(qū)動應用工程師Ralf Walter 2012年，電子器件一如既往地沿著更高性能和更高功率密度的方向發(fā)展。取決于具體的應用，要么側(cè)重于封裝的微型化，要么側(cè)重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
全球半導體領先供應商英飛凌聯(lián)合第三方，推出了性能優(yōu)越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
。第二級尺寸減小的后續(xù)增益對應了第一級尺寸的增加。第二級變換器的靈活使用和第一級變換器的響應調(diào)整功能，增加了解決方案的可調(diào)性。采用此種解決方案，在保證數(shù)據(jù)中心成本和尺寸不變的同時，可實現(xiàn)每機架100kW的功率密度。
2021-05-26 19:13:52
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內(nèi)實現(xiàn)最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） . 產(chǎn)品規(guī)格 AUIRF8736M2適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
2018-09-28 15:57:04
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創(chuàng)新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能
2018-09-12 15:14:20
, 同步整流, 太陽能微逆變器, 低壓馬達驅(qū)動等應用量身定制。英飛凌新的OptiMOS 產(chǎn)品在以下方面具有最佳方案：－在各種負載情況下降低功率損耗提升能效－采用CanPAK 或者 S3O8更能節(jié)省空間
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
設計帶來更低的溫升更高的可靠性?！ ∧敲矗谠O計過程中如何才能提高電源模塊產(chǎn)品的功率密度呢?工程師可以從下面三個方向入手：第一，工程師可以在線路設計過程中采用先進的電路拓樸和轉(zhuǎn)換技術，實現(xiàn)大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
的BLDC電機時，功率密度就是游戲的代名詞。TI新的功率模塊解決方案可在前所未有的水平上實現(xiàn)這一目標。其他信息有關這些新功率模塊的更多信息，請查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%。對損耗的改善情況顯示在圖4中，尤其是在15A的峰值電流下的損耗降低得非常明顯。結論：TrenchFET IV產(chǎn)品用在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，能夠提高整體的系統(tǒng)效率和功率密度。這些產(chǎn)品的更高性能還能夠實現(xiàn)更小
2013-12-31 11:45:20
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態(tài)開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
分立式電源解決方案和預先設計好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設備
2018-12-03 10:00:34
定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應用靈活性；降低客戶開發(fā)周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設計；符合RoHS標準。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產(chǎn)品組合。因此
2018-12-07 10:13:16
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)
2022-11-07 06:45:10
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn)，飛兆半導體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164
意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467 
。該模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:003726 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 可以把開關頻率提升到100kHz左右的，得益于IGBT技術進步和軟開關技術應用，家用的逆變焊機功率密度高，焊機重量輕體積小，真正實現(xiàn)便攜式。
2020-03-31 15:32:383409 帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術，提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:512951 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:00
0 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 使用此SMD封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。請聯(lián)系您當?shù)氐?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌代表，詳細了解無風扇伺服驅(qū)動的實現(xiàn)、機器人和自動化行業(yè)的逆變器-電機一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術經(jīng)過優(yōu)化，將性能與
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:022084 10A DC/DC 微型模塊在一個緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級
2021-03-19 08:07:577 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 3D封裝對電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:0315 與業(yè)內(nèi)人士交流互動產(chǎn)品和應用技術。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發(fā)展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502748 的散熱
通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術之上，能夠在高性能應用中實現(xiàn)高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:471317 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783 
功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213713 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:201160 
在功率器件領域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度
2023-06-22 10:14:43332 
增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 電力電子產(chǎn)品設計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06375 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設計
2023-11-23 09:08:35284 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 在電力電子系統(tǒng)的設計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 德州儀器（TI）近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性的技術進展，無疑將推動汽車和工業(yè)系統(tǒng)等領域的技術革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:13107 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126
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