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飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議

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2023-11-17 10:39:51358

英飛凌與Archetype AI簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,將加快開發(fā)具備AI功能的傳感器芯片

11月13日消息,英飛凌科技與Archetype AI于近日宣布,雙方已簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,將加快開發(fā)具備AI功能的傳感器芯片。 英飛凌將試用由Archetype AI開發(fā)的 “大型行為模型
2023-11-14 08:41:00188

現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議

協(xié)議英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年?,F(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲備。 ? 英飛凌與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議 ? 現(xiàn)代汽車集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室(GSO)負(fù)責(zé)人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51175

英飛凌與現(xiàn)代汽車、起亞汽車簽署功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌功率半導(dǎo)體對電動汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動功率半導(dǎo)體市場強(qiáng)勁增長,尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半導(dǎo)體市場。通過在馬來西亞居林?jǐn)U建廠房,英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體
2023-11-07 11:00:57385

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的,這里不作贅述,只對實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373

功率MOSFET的分類及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求

在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車和起亞達(dá)成為期多年的Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達(dá)成了一項(xiàng)為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲備制造能力,為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片,直至2030年?,F(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436

汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?,F(xiàn)在在最低功率級別,MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

MOSFET功率損耗詳細(xì)計(jì)算

MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39

pd充電協(xié)議和qc充電協(xié)議兼容嗎?

pd充電協(xié)議和qc充電協(xié)議兼容
2023-09-26 08:04:20

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590

500V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明, 高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34

650V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高 性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02

600V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明, 高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23

英飛凌與中移物聯(lián)網(wǎng)攜手為開發(fā)者提供物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品創(chuàng)新解決方案

日前,英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱“英飛凌”)與中移物聯(lián)網(wǎng)有限公司(以下簡稱“中移物聯(lián)”)簽署合作協(xié)議。
2023-09-14 16:03:11703

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202

功率MOSFET功耗計(jì)算指南

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例,詳細(xì)說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446

英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器,曬一曬你的工具庫

英飛凌功率器件模型
英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2023-08-31 19:21:23

Fluence宣布與遠(yuǎn)景動力簽署儲能電池采購協(xié)議

近日,全球最大儲能系統(tǒng)集成商之一Fluence宣布與遠(yuǎn)景動力簽署儲能電池采購協(xié)議。Fluence將采購遠(yuǎn)景動力在美國制造的儲能電池產(chǎn)品,預(yù)計(jì)于2024年開始交付。
2023-08-24 15:19:47594

功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552

英飛凌與賽米控簽署多年期批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片協(xié)議

/ OTCQX: IFNNY)與賽米控丹佛斯簽署了一項(xiàng)多年期批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將向賽米控丹佛斯供應(yīng)IGBT和二極管的芯片。采用這些芯片的功率模塊主要用于電動汽車的主驅(qū)。 ? 英飛凌汽車事業(yè)部總裁Peter Schiefer “作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,
2023-07-17 15:33:06316

勝科與華為數(shù)字能源簽署MOU協(xié)議

勝科工業(yè)集團(tuán)與華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司在新加坡儲能峰會現(xiàn)場簽署 聯(lián)合創(chuàng)新 MOU協(xié)議。勝科工業(yè)集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官黃錦賢,勝科工業(yè)集團(tuán)卓越中心總裁黃孝榮 , ? 華為高級副總裁、華為數(shù)字能源全球營銷
2023-07-14 18:30:01821

英飛凌與賽米控丹佛斯達(dá)成車用功率芯片供貨協(xié)議

英飛凌汽車部門總經(jīng)理Peter Schiefer表示:“作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍人物,英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天,igbt和二極管通過電力動力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換,對電動汽車產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385

沐曦與上海聯(lián)通簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

2023年7月6日第六屆世界人工智能大會舉辦期間,沐曦受邀出席由上海聯(lián)通主辦的“算網(wǎng)共生 數(shù)智未來”算力主題論壇,與上海聯(lián)通簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,共筑國產(chǎn)算力應(yīng)用新生態(tài)。沐曦銷售副總裁裘敏松與上海聯(lián)通
2023-07-07 10:38:49414

功率場效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37974

旗芯微半導(dǎo)體與上海電驅(qū)動、知從科技簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

2023年6月29日,旗芯微,上海電驅(qū)動,知從科技共同簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。三方將在汽車領(lǐng)域進(jìn)一步深化合作,推動純國產(chǎn)化的電驅(qū)控制器產(chǎn)品落地。
2023-07-04 13:49:36452

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個(gè)管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

新聞 | 羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

”)簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。 之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動汽車的
2023-06-21 08:10:02287

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54139

功率器件廠商福斯特半導(dǎo)體和世強(qiáng)先進(jìn)簽署授權(quán)代理協(xié)議

日前,為覆蓋更多工業(yè)用戶需求擴(kuò)大產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司下稱“福斯特半導(dǎo)體”與世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)簽署授權(quán)代理協(xié)議,將利用世強(qiáng)先進(jìn)30年技術(shù)分銷經(jīng)驗(yàn)和多年互聯(lián)網(wǎng)推廣經(jīng)驗(yàn),布局線上和線下功率器件渠道市場,讓更多的用戶了解并使用公司產(chǎn)品。
2023-06-20 14:16:17311

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個(gè)管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

航天宏圖與息通五洲簽署戰(zhàn)略協(xié)議

近日,航天宏圖信息技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“航天宏圖”)與北京息通五洲智聯(lián)科技有限公司(以下簡稱“息通五洲”)在北京簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議
2023-05-30 16:16:23461

功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

芯來科技簽署openKylin社區(qū)CLA協(xié)議

近日,芯來科技簽署openKylin社區(qū)CLA(Contributor License Agreement 貢獻(xiàn)者許可協(xié)議)正式加入openKylin社區(qū)。未來,芯來將發(fā)揮所處領(lǐng)域的技術(shù)與生態(tài)動能,與OpenKylin社區(qū)共同發(fā)展。
2023-05-23 17:27:42721

同步整流下功率MOSFET的分析介紹

同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421

功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值

功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133

安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應(yīng)協(xié)議

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者 安森美 ( onsemi ,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)和豪華智能純電品牌 極氪智能科技 ( ZEEKR )宣布雙方簽署長期供應(yīng)協(xié)議(LTSA
2023-05-11 20:16:29276

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?怎樣實(shí)現(xiàn)?
2023-05-08 16:16:27

英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

為了應(yīng)對相應(yīng)的挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-13 16:54:252876

英飛凌與臺達(dá)電子簽署電動汽車合作備忘錄

日前,英飛凌與臺達(dá)電子宣布將其長期合作范圍由工業(yè)拓展至汽車應(yīng)用。同時(shí)雙方已簽署一份長期合作備忘錄,旨在深化雙方的合作與創(chuàng)新,為飛速增長的電動汽車市場提供更高功率密度與能源效率的解決方案
2023-04-06 11:56:30426

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