英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。

了解使用此SMD封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐挠w凌代表，詳細(xì)了解無風(fēng)扇伺服驅(qū)動(dòng)的實(shí)現(xiàn)、機(jī)器人和自動(dòng)化行業(yè)的逆變器-電機(jī)一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。

CoolSiC溝槽MOSFET技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有3μs的短路時(shí)間。由于采用.XT連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，.XT連接技術(shù)可多消散30%的額外損耗。該全新CoolSiC .XT產(chǎn)品系列表現(xiàn)出一流的熱性能和循環(huán)能力：與標(biāo)準(zhǔn)連接技術(shù)相比，輸出電流最多提高14％，開關(guān)頻率提高一倍，工作溫度則降低10-15°C。

特 性

開關(guān)損耗極低

短路時(shí)間3μs

完全可控dV/dt

典型柵極閾值電壓，VGS(th) =4.5V

不易寄生導(dǎo)通，可選用0V關(guān)斷柵極電壓

堅(jiān)固耐用的體二極管，實(shí)現(xiàn)硬開關(guān)

.XT連接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

為1200V優(yōu)化的SMD封裝，其爬電距離和電氣間隙在PCB上>6.1mm

Sense引腳，可優(yōu)化開關(guān)性能

應(yīng)用示意圖

優(yōu) 勢(shì)

效率提升

實(shí)現(xiàn)更高頻率

增大功率密度

減少冷卻設(shè)計(jì)工作量

降低系統(tǒng)復(fù)雜性并降低成本

SMD封裝能直接集成于PCB，采用自然對(duì)流冷卻方式，無需額外的散熱器

目標(biāo)應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

基礎(chǔ)設(shè)施-充電樁

發(fā)電-太陽能組串式逆變器和優(yōu)化器

工業(yè)電源–工業(yè)UPS

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

無風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)

實(shí)施被動(dòng)冷卻

最高效率，無需散熱器

通過減少零件數(shù)量并減小外形尺寸實(shí)現(xiàn)緊湊型解決方案

SMD集成于PCB，采用自然對(duì)流冷卻方式，僅有熱通孔

電機(jī)和逆變器一體化

采用具備大爬電距離和電氣間隙的SMD封裝的1200V器件符合安全要求

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：新品 | 采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

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