納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET，為高效、可靠能源變換再添助力！

納芯微推出1200V首款SiCMOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。

納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。

NPC060N120A產(chǎn)品特性

- 更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍（-8~22V）

支持+15V，+18V驅(qū)動(dòng)模式（可實(shí)現(xiàn)IGBT兼容：+15 V）

+18V模式下，RDSon可降低20%

- 更好的RDSon溫度穩(wěn)定性

- 出色的閾值電壓一致性

Vth在25°C~175°C的范圍保持在2.0V~2.8V之間

- 體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

- 100%的雪崩測(cè)試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強(qiáng)

此外，功率產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶(hù)更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過(guò)程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。此外，會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來(lái)執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證，如下圖：

圖源：納芯微

以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時(shí)測(cè)試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

圖源：納芯微

NPC060N120A產(chǎn)品選型表

圖源：納芯微

納芯微SiCMOSFET命名規(guī)則

圖源：納芯微

未來(lái)，納芯微將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出更多規(guī)格產(chǎn)品供客戶(hù)選擇。

審核編輯 黃宇