電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。
2024-03-12 09:43:29125 格式：二進(jìn)制補(bǔ)碼3.3 V或5 V CMOS兼容輸出電平AD6640ASTZ 更多細(xì)節(jié)show more Icon利用ADI公司突破性的數(shù)字無線電接收機(jī)設(shè)
2024-02-28 19:16:42
Autotalks 作為V2X通信解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，依托羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）的專業(yè)測試技術(shù)和設(shè)備，驗(yàn)證了其第三代V2X 芯片組的性能。
2024-02-28 18:27:20938 2月26日，紫光展銳攜手通則康威，共同推出了兩大搭載紫光展銳V620芯片平臺的新品：5G CPE ZTL S200和5G工業(yè)網(wǎng)關(guān)ZLT IR40M。
2024-02-27 10:14:43322 在本指南中，您將學(xué)習(xí)如何設(shè)置 Arduino IR發(fā)射器電路。它使您可以控制IR（紅外線）LED，并從Arduino發(fā)送任何遠(yuǎn)程控制代碼。這意味著你可以用它來控制你的電視或其他任何你喜歡的東西！
2024-02-11 09:44:00235 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了新一代的次級側(cè)受控ZVS反激式轉(zhuǎn)換器芯片組EZ-PD? PAG2，以滿足市場對高效能USB-C PD適配器和充電器的需求。該芯片組由EZ-PD PAG2P和EZ-PD
2024-01-25 16:11:38218 光伏IR相機(jī)是一種特殊的光電設(shè)備，它使用紅外線（IR）技術(shù)來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機(jī)的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常，幫助工程師和科學(xué)家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 
6 芯片組。OpenWrt One/AP-24.XY 板的初步規(guī)格包括雙核 Cortex-A53 處理器、1GB DDR4 內(nèi)存、128 MB SPI NAND 閃存、4 MB SPI NOR 閃存
2024-01-13 09:56:19
)于1月9日宣布推出用于量產(chǎn)感知雷達(dá)的準(zhǔn)量產(chǎn)芯片組。該芯片組由三個(gè)芯片組成:發(fā)射器、接收器和處理器,這標(biāo)志著Arbe的首個(gè)高通道陣列“大規(guī)模MIMO”成像雷達(dá)芯片組解決方案誕生,將為汽車行業(yè)提供較高的性能,進(jìn)一步助力道路安全。Arbe目前已經(jīng)完成預(yù)認(rèn)證測試,正在接受車規(guī)級AEC-Q100認(rèn)證
2024-01-10 09:35:04183 2104全橋驅(qū)動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅(qū)動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個(gè)N溝MOSFET或IGBT的驅(qū)動信號，實(shí)現(xiàn)全橋輸出。IR2104內(nèi)部集成了一個(gè)高壓引發(fā)電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動器。 低側(cè)驅(qū)動器：
2024-01-05 16:11:041106 目前在使用上發(fā)現(xiàn)三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5損壞且芯片EXTVCC管腳與GND短路
損壞后的MOSFET呈以下特性
：1、用萬用表二極管檔測量：VDD-S 為無窮大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890 
隨著芯片復(fù)雜度的增高和摩爾定律的放緩，半導(dǎo)體行業(yè)正在迅速向先進(jìn)封裝中的異質(zhì)芯片組裝轉(zhuǎn)型。這種轉(zhuǎn)變實(shí)現(xiàn)了通過組件的拆分與新的架構(gòu)配置下的重新集成來持續(xù)縮小線距和創(chuàng)新。然而也帶來了顯著的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、制造和供應(yīng)鏈等方面的挑戰(zhàn)。本文探討了實(shí)現(xiàn)異質(zhì)芯片組裝主流化所涉及的驅(qū)動因素、方法、權(quán)衡取舍和未解決問題。
2023-12-08 15:52:07374 
IR這個(gè)詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結(jié)果就是電壓。
2023-12-06 14:33:07452 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 PKD01是一款很好用的峰值保持電路，因停產(chǎn)很難買到貨，請問用哪款芯片能替代它？
2023-11-24 08:27:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《英特爾? 3010 芯片組特點(diǎn)介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:42:36
0 聚元微近期推出了專利的調(diào)光芯片PL378X+寬溫應(yīng)用的無線控制SoC PL51WT020+非隔離供電芯片PL338X的全套芯片組合，為業(yè)界帶來可滿足各類無極調(diào)光調(diào)色應(yīng)用的可低至1‰深度的極致體驗(yàn)。
2023-11-07 09:53:15327 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IR2110芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 10:04:290 國產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 
*附件：和芯潤德 USB3.0HUB 設(shè)計(jì)資料.rar
推薦一款國產(chǎn) USB3.0 HUB芯片，型號SL6340
推薦一款國產(chǎn)3.0HUB，型號SL6340，是一款由和芯潤德科技自主研發(fā)的國產(chǎn)
2023-10-20 18:20:58
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品
2023-10-17 18:44:54
三星電子將在 Galaxy S24 系列中重新推出 Exynos 芯片組——Exynos 2400。例如，據(jù)爆料者 Ice Universe 稱，歐洲 Galaxy S24 將“100%”由 Exynos 2400 芯片組供電。
2023-10-12 15:57:4598 DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
2023-09-28 11:34:263177 
發(fā)光器件的投影技術(shù)是一種創(chuàng)新的固體-制作狀態(tài)光源以取代投影中的弧光燈系統(tǒng)。通過獨(dú)特使用光子晶格技術(shù)-Gy，平光M芯片組是在提供固態(tài)光的所有好處的亮度。
2023-09-22 16:39:450 北橋芯片（North Bridge）和南橋芯片（South Bridge）合稱就是主板的芯片組，是支撐整個(gè)主板運(yùn)行的關(guān)鍵，早在586時(shí)期的電腦主板就已經(jīng)采用了這種架構(gòu)。
2023-09-20 11:37:52620 
高通公司表示，該協(xié)議強(qiáng)化了其在5G技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)域持續(xù)的領(lǐng)導(dǎo)力。5G公眾號（ID：angmobile）了解到高通補(bǔ)充說，其長期財(cái)務(wù)規(guī)劃假設(shè)“為2026年推出的20%的智能手機(jī)提供的芯片組（即屆時(shí)高通所供應(yīng)芯片的份額）”。
2023-09-12 16:58:58616 
IR2110使用手冊
2023-09-12 09:20:129 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
應(yīng)用程序: 使用計(jì)時(shí)器 2 抓取功能獲取 IR 數(shù)據(jù)
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-09-01 07:19:08
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發(fā)器、LoRa調(diào)制解調(diào)器和一個(gè)8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU與SX1262 的SiP芯片，相對于
2023-08-30 15:34:19
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，電子設(shè)備對集成度、性能和功耗的要求越來越高。為了滿足這些要求，產(chǎn)業(yè)界不斷地探索新的封裝技術(shù)。單芯片封裝(SCP)和多芯片組件(MCM)是其中兩種最受歡迎的封裝解決方案。本文將深入探討這兩種封裝技術(shù)的特點(diǎn)和應(yīng)用。
2023-08-24 09:59:04876 
應(yīng)用程序: 使用計(jì)時(shí)器 2 抓取功能獲取 IR 數(shù)據(jù)
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-08-23 07:16:43
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49853 
SystemReady IR是一個(gè)基于一組硬件和固件的合規(guī)性認(rèn)證計(jì)劃實(shí)現(xiàn)與通用現(xiàn)成操作系統(tǒng)和管理程序的互操作性的標(biāo)準(zhǔn)。
這些標(biāo)準(zhǔn)包括基本系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)（BSA）和基本引導(dǎo)要求（BBR）規(guī)格和市場特定
2023-08-02 07:45:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:11:121 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
”CPU“ 和“芯片組”分立模式，系統(tǒng)瓶頸在兩者之間的主板總線， SOC變片外為片內(nèi)、解決了這- -瓶頸;
2023-07-15 15:23:39536 
ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-07-12 19:46:020 在這里，將展示如何制作基于Arduino的IR接收器，以解碼來自TV/DVD遙控器的IR信號。根據(jù)與遙控器上特定按鈕對應(yīng)的解碼值，我們將對Arduino進(jìn)行編程以控制多個(gè)繼電器開關(guān)。
2023-07-10 14:20:43715 
ISLA214IR72EV1Z 原理圖s and Layers
2023-07-06 20:52:300 ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層
2023-07-06 20:51:300 ISL91127IR 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 19:40:440 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
基于軟件的解決方案，助力尖端蜂窩車聯(lián)網(wǎng)芯片組自動完成復(fù)雜的校準(zhǔn)和驗(yàn)證測試 為汽車網(wǎng)絡(luò)接入設(shè)備模塊制造商和遠(yuǎn)程信息處理控制單元制造商提供現(xiàn)成、省時(shí)的解決方案 2023年6月19
2023-06-19 15:32:47389 大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:18674 
之前做過一個(gè)項(xiàng)目，有個(gè)模塊例化了10次，流片回來測試，有9個(gè)正常工作，另外一個(gè)工作不起來。這時(shí)這個(gè)模塊的負(fù)責(zé)人就來找我，問到：IR仿真時(shí)這10個(gè)模塊結(jié)果是怎樣的？
2023-06-16 10:00:241247 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Matrix IR非接觸式溫度計(jì)開源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop？其實(shí)，IR這個(gè)詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 
芯片就是集成電路，采用先進(jìn)技術(shù)將大量的晶體管等電路中的元器件集成堆疊在一塊很小的半導(dǎo)體晶圓上，從而縮減體積，并且能夠完成大量計(jì)算，由此可見，芯片的技術(shù)決定了電子產(chǎn)品的性能。以前的電子產(chǎn)品內(nèi)部存在著
2023-06-08 15:59:062311 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 最近在研究一個(gè)無人機(jī)電池管理系統(tǒng)，RDDRONE-BMS772。文檔中關(guān)于電池平衡的內(nèi)容不清楚——芯片組是內(nèi)置 FET 還是只是驅(qū)動器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的無線通信芯片組
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發(fā)器、LoRa調(diào)制解調(diào)器和一個(gè)8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
我正在尋找?guī)椭O(shè)置第二個(gè) spi 閃存芯片的鏈接。
這第二個(gè)芯片將在其他 spi 端口之一上。
第二個(gè)芯片不會與引導(dǎo)存儲器芯片并聯(lián)。
2023-05-30 07:50:13
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Marki Microwave 的 IR-0255 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 2 至 5.5 GHz，本振頻率為 2 至 5.5 GHz，中頻
2023-05-26 16:01:29
23日，由全景網(wǎng)主辦、南開大學(xué)參與推出的“全景投資者關(guān)系金獎”2022年度全國性評選正式揭曉，敏芯股份IR團(tuán)隊(duì)?wèi){借優(yōu)異表現(xiàn)榮獲投資者關(guān)系金獎? 杰出IR團(tuán)隊(duì)獎項(xiàng)。
2023-05-25 11:00:18476 Marki Microwave 的 IR-0618 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 6 至 18 GHz，本振頻率為 6 至 18 GHz，中頻頻率為
2023-05-24 16:48:07
Marki Microwave 的 IR-1545 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 1.5 至 4.5 GHz，本振頻率為 1.5 至 4.5 GHz
2023-05-24 16:38:14
Marki Microwave 的 IR-4509 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 4.5 至 9 GHz，本振頻率為 4.5 至 9 GHz，中頻頻率為 70
2023-05-24 15:38:34
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
Semtech針對5G移動設(shè)備開發(fā)的PerSe Connect SX9376芯片組，極大地改善了個(gè)人連接設(shè)備的5G連接性能，并維持其合規(guī)性
2023-05-15 17:49:351083 大家好，我正在做一個(gè)基于物聯(lián)網(wǎng)的項(xiàng)目，想使用 ESP8266。我希望在沒有 devkit 的情況下單獨(dú)使用芯片組，并且想知道是否有任何資源或任何關(guān)于如何設(shè)置它的信息。具體來說，我想知道獨(dú)立運(yùn)行
2023-05-15 08:38:27
如果我們使用 Yocto Linux 發(fā)行版，i.MX28 (MCIMX287CVM4C) 芯片組是否有足夠的空間來支持 OTA 內(nèi)核升級？
2023-05-09 06:50:41
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動芯片，帶有精確的電流監(jiān)控，電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ISL8120IR 數(shù)據(jù)表
2023-04-27 19:45:100 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023035 
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:091573 MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
是否是公版設(shè)計(jì)，就看你對芯片組的掌握程度了。 (二) 布局要點(diǎn)2 工控機(jī)主板上接口元件的位置一般是固定的，不能隨意改動。與PICMG等擴(kuò)展槽和鍵盤、鼠標(biāo)、USB等接口類似，它們必須與機(jī)箱上的孔配合才能保持
2023-04-06 14:18:23
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
之前做過一個(gè)項(xiàng)目，有個(gè)模塊例化了10次，流片回來測試，有9個(gè)正常工作，另外一個(gè)工作不起來。這時(shí)這個(gè)模塊的負(fù)責(zé)人就來找我，問到：IR仿真時(shí)這10個(gè)模塊結(jié)果是怎樣的？測試有問題那個(gè)是IR最差的那個(gè)
2023-04-03 09:56:581795 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-03-29 19:38:570 LTC4292芯片組是一款 4 端口供電設(shè)備 (PSE) 控制器，適合在符合 IEEE 802.3bt 3 類和 4 類標(biāo)準(zhǔn)的以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)中使用。LTC4292/LTC4291 適合
2023-03-29 15:18:01
LTC9101-2 芯片組是一款 12/24 端口電源設(shè)備 (PSE) 控制器，適合在符合 IEEE 802.3bt 3 類和 4 類標(biāo)準(zhǔn)的以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)中使用。LTC9101-2
2023-03-29 14:59:30
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35930 
IR21814類似的驅(qū)動芯片直接驅(qū)動MOS管，該電路具有驅(qū)動簡單，成本低，PCB占用面積小等優(yōu)點(diǎn)，在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是，所采用的LLC諧振拓?fù)鋪碚f，驅(qū)動頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746 
我想為 i.MX8M SoC 上的 IW416 芯片組制作藍(lán)牙驅(qū)動程序。 我閱讀了 NXP 文檔（11.1 藍(lán)牙無線技術(shù)和 Wi-Fi 的連接）和知識庫， 然后 我現(xiàn)在可以使用藍(lán)牙功能了。但是，我
2023-03-28 07:02:35
電路板的設(shè)計(jì)，學(xué)習(xí)arduino的簡單編程； 03. 學(xué)習(xí)軟硬件編程的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)上位機(jī)軟件與硬件數(shù)據(jù)交互； 二。 芯片IR2104原理 三。 模擬信號仿真（Multisim） 01.本設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)在
2023-03-27 14:57:37
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