電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶PFC電路的75W輸出功率、高效率的單級反激式電源TOP250YN中文資料.pdf》資料免費下載
2024-03-22 09:37:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶PFC電路的75W輸出功率、高效率的單級反激式電源TOP250YN75W數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-22 09:28:230 法蘭盤封裝能夠實現(xiàn)最理想的電氣設備和熱穩(wěn)定性。特征24 dB 小信號增益值40 W 典型脈沖信號 PSAT額定電壓高至 40 VOQPSK 下 20 W 線性功率A/B類高增益；高效率 50
2024-02-27 14:09:50
BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設計技巧 設計高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費和提高系統(tǒng)功耗，以下是一些設計技巧： 1. 選擇高效率的功率轉換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:38
110 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動調頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補償建立動態(tài)
2024-02-21 16:26:37
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負載范圍內實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
YB2414高效率同步降壓轉換器
概述：
YB2414是一款高效率500 kHz同步降壓DC-DC轉換器，能夠提供4A/5A電流。 YB2414可在4.5V至18V的寬輸入電壓范圍內工作，并集成
2024-01-13 12:14:59
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動調頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補償建立動態(tài)
2024-01-11 17:17:01
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵是第三代半導體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領域
2023-12-26 14:38:54270 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動調頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調輸入限流功能。用
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2023-12-15 18:06:18
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
2023-12-09 14:45:35532 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56358 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動調頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調輸入限流功能。用
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2023-12-01 18:05:10
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 高效能：倍思氮化鎵充電器采用先進的氮化鎵功率器件，具有高開關頻率、高導通電阻等特性，使得電源的轉換效率更高，相比傳統(tǒng)的硅基電源，能夠實現(xiàn)更高的能效。 體積小，重量輕：由于倍思氮化鎵充電器的高開關頻率和高效率
2023-11-24 11:18:44561 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率20A單芯片Silent Switcher 2穩(wěn)壓器.pdf》資料免費下載
2023-11-23 15:09:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率、低功率轉換IC提高可穿戴設備性能.pdf》資料免費下載
2023-11-23 11:01:480 高效率DrMOS大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的興起，通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動駕駛等終端應用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強勁的算力需求。這對供電電壓調節(jié)模塊(VRM)提出了嚴峻挑戰(zhàn)
2023-11-22 08:19:19634 
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高壓高效率白光led驅動電路的研究與設計.pdf》資料免費下載
2023-11-14 09:56:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率醫(yī)療植入式刺激裝置無線充電系統(tǒng).pdf》資料免費下載
2023-11-10 10:59:252 鍵盤測試設備的性能檢測和高效率解決方案
2023-11-08 09:19:57490 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動調頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補償建立動態(tài)
2023-11-06 14:22:02
該SD8942是一個完全集成，高效率2A同步整流降壓轉換器。SD8942在寬輸出電流負載范圍內以高效率工作。該器件提供兩種工作模式，PWM控制和PFM模式開關控制，從而允許在更寬的負載范圍內的高效率。該SD8942需要一個現(xiàn)成的標準外部元件的最低數(shù)量，并在一個6引腳SOT23 ROHS兼容封裝。
2023-10-27 16:09:550 電流的降壓型開關穩(wěn)壓器?？晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率輸出，可在移動環(huán)境輸入的條件下實現(xiàn)各種降壓型電源變換
2023-10-23 15:44:10
單片機驅動LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
為什么DC-DC電路開關電源高效率呢？怎樣實現(xiàn)穩(wěn)壓的目的呢？ DC-DC電路開關電源是由一系列電子器件構成的，包括變壓器、半導體開關管、電感器和電容器等元件。這些元件的協(xié)同作用能夠實現(xiàn)DC-DC電壓
2023-10-22 15:13:27624 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:44544 眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運行，實現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55022 B類標準）要求。
2023-10-16 14:32:451139 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規(guī)范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
是什么因素導致充電器充電效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
提高效率既是行業(yè)的關鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅動力。社會需求的壓力和相關法規(guī)都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市場的關鍵。主要例子包括汽車電氣化趨勢、高壓
2023-09-25 08:17:54422 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MIC5205高效率線性穩(wěn)壓器.pdf》資料免費下載
2023-09-21 10:06:230 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:342680 
漏感問題是反激變換器的基本問題。漏感是硬傷。要實現(xiàn)高效率，控制漏感是重頭戲。先做好漏感，再說其余。漏感有多大？意味著能量傳遞損失多大，變換器效率損失有多大，鉗位電路熱損耗有多大。這都是額外的，其他變換器沒有的。
2023-09-19 07:44:19
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
在競爭激烈的當今市場中，可再生能源、儲能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
功率器件在工業(yè)應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 DC電源模塊是目前應用廣泛的電源系統(tǒng)之一，它的高效率是其最為顯著地特點之一。本文將從以下三個方面進行介紹：什么是DC電源模塊、DC電源模塊的工作原理以及DC電源模塊的高效率特點。
2023-08-22 13:24:09450 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
大功率同步LED降壓恒流驅動方案高效率96%溫度低
方案產(chǎn)品優(yōu)點特點
寬輸入電壓范圍：4V～40V
可設定電流范圍：10mA～3600mA
固定工作頻率：130KHZ
對其他設備的 EMI 抗干擾
2023-08-18 12:05:56
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)中心節(jié)約多達 700 萬美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330 
概述
OC 6701 是一款高效率、高精度的升
壓型大功率 LED 恒流驅動控制芯片。
OC6701 內置高精度誤差放大器， 固
定關斷時間控制電路，恒流驅動電路等，
特別適合大功率、 多個高亮度
2023-07-29 14:17:04
工程師不斷面臨著提高效率，同時降低成本、減小尺寸和電磁干擾 (EMI) 的壓力。因此，有必要采用既滿足客戶需求、同時具有高效率，低成本且易于集成的EMI整改技術。本文我們將通過案例分析來分享整改
2023-07-20 09:20:05906 
功率密度計算解決方案實現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn)，而且在實驗室測試和大批量客戶應用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產(chǎn)車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
概述
OC4000 是一款內置 100V 功率 MOS的寬輸入輸出電壓范圍的高精度、高效率的升降壓型 LED 恒流驅動控制芯片。OC4000 采用電流模閉環(huán)控制方式，可實現(xiàn)高精度的恒流驅動
2023-06-13 10:24:29
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復退化”與“不可恢復退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
除了被廣泛應用的高效率，小尺寸單路輸出供電之外，我們近期配合客戶利于CUS600M電源為基礎平臺，輔助TDK-Lambda高效率大電流輸出模塊電源產(chǎn)品，并利用CUS600M內建有趣而實用的功能來實現(xiàn)醫(yī)療等級的高效率，高可靠性和長壽命設計的ATX供電方案。
2023-06-07 18:17:13804 
、顯示等領域。 2. 激光器：氮化鎵可制成激光器器件，用于通信、材料加工等領域。 3. 太陽能電池：氮化鎵可用于制造高效率的太陽能電池。 4. 無線通訊：氮化鎵的高頻特性使其成為高速無線通訊的理想材料。 5. 集成電路：氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:467174 這種切換式DC/DC功率轉換器可以實現(xiàn)更高的開關頻率并減少開關損耗，使其更適用于高功率和高效率應用。在電源領域的應用相當廣泛，包含:高端消費電子產(chǎn)品、工業(yè)電源管理以及電動車相關充電系統(tǒng)等。
2023-05-25 11:25:26644 其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領先的穩(wěn)健性、易用性，可實現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型
2023-05-15 10:47:11947 
同步降壓-升壓控制器用途廣泛且效率高。它們可通過單個電感器產(chǎn)生高功率作為升壓和降壓，從而使電源設計保持簡單。通常，高功率應用中的降壓-升壓控制器以標準或低開關頻率工作，這樣可以最大限度地提高效率
2023-05-01 12:14:00659 
產(chǎn)品概述 AP8660B是一款微小型、高效率、升壓型 DC/DC 調整器。電路由電流模COT 控制環(huán)路，誤差放大器，斜坡補償電路，比較器和功率開關等模塊組成。該芯片可在較寬負載范圍內高效穩(wěn)定的工作
2023-04-14 11:15:18231 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 PCB加工如何實現(xiàn)高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
OC5138 是一款內置 90V 功率 MOS高效率、高精度的開關降壓型大功率 LED恒流驅動芯片。OC5138 采用固定頻率的 PWM 工作模式，典型工作頻率為 140KHz。OC5138 采用
2023-04-07 16:57:52
概述OC6701B 是一款高效率、高精度的升壓型大功率 LED 恒流驅動控制芯片。OC6701B 內置高精度誤差放大器，固定關斷時間控制電路，恒流驅動電路等，特別適合大功率、多個高亮度 LED 燈串
2023-04-07 16:45:17
在半導體材料領域，碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 高效率恒流限流白光LED驅動
2023-03-28 14:32:31
自氮化鎵進軍快充市場以來，不過短短幾年時間，其憑借著極高的電能轉換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半的前提下，提升3倍的充電速度， 迅速
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
降壓轉換器（降壓轉換器）是一種DC-DC 開關轉換器，可在保持恒定功率平衡的同時降低電壓。降壓轉換器的主要特點是效率，這意味著板載降壓轉換器可以延長電池壽命、減少熱量、減小尺寸并提高效率。
2023-03-28 09:06:311962
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