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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào)	封裝	BV (V)	最大 V_gs ?(V)	10V下的典型 / 最大RDS(on) (m?)	4.5V下的典型 / 最大RDS(on) (m?)
	SO-8	-30	20	3.9 / 4.6	5.8 / 6.8
	SO-8	-30	20	5.4 / 6.6	8.3 / 10.2
	SO-8	-30	20	5.9 / 7.2	9.3 / 11.2
	SO-8	-30	20	10.0 / 11.9	16.1 / 19.7
	SO-8	-30	20	13.6 / 17.5	22.5 / 28.1
	SO-8	-30	20	15.6 / 19.4	25.6 / 32.5
	SO-8	-30	20	48 / 59	83 / 110
	SO-8 (dual)	-30	20	17.0 /?21.0	25.7 / 32

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FS4067 SOP8 5V輸入兩節(jié)鋰電池升壓型充電管理芯片

時(shí)，F(xiàn)S4067再次進(jìn)入充電狀態(tài)。FS4067最高工作頻率可達(dá)1MHz。當(dāng)電池電壓低于輸入電壓或電池短路時(shí)，F(xiàn)S4067在外置N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的共同作用下，用較小電流繼續(xù)對(duì)電池

2023-11-21 12:14:43

ZXMC4559DN8TA-VB-SOP8封裝N+P溝道MOSFET

型號(hào) ZXMC4559DN8TA-VB絲印 VBA5638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類(lèi)型 N+P溝道

2023-11-15 17:08:55

20P03-VB-TO252封裝溝道MOSFET

Ω @ 4.5V 額定柵極源極電壓（Vgs） 20V (±V) 閾值電壓（Vth） 1.3V 封裝類(lèi)型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 20P03是一款P溝道MOSFET，具有高電流能

2023-11-06 11:24:18

SI4401DDY-T1-GE3-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.7Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電

2023-11-06 11:15:08

SI2323DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負(fù)電

2023-11-06 09:17:31

AOD425A-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.7Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 AOD425A 是一款 P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的高功率應(yīng)

2023-11-03 14:34:40

FDS4435BZ-NL-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V, 66mΩ@2.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.37Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 FDS4435BZNL是一款P溝道MOSFET，適用于

2023-11-03 14:04:50

AO4409-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 AO4409是一款P溝道MOSFET，

2023-11-03 11:37:23

ZXMP6A18DN8TA-VB-SOP8封裝2個(gè)P溝道MOSFET

, 70mΩ@4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1~3Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 ZXMP6A18DN8TA 是一款具有兩個(gè) P 溝道 MOSFET

2023-11-03 10:44:41

NDS9407-NL-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 NDS9407NL是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。其

2023-11-03 10:01:07

MT4606-VB-SOP8封裝 N+P溝道MOSFET

溝道), 19mΩ @ 4.5V (N溝道), 50mΩ @ 4.5V (P溝道) 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±1.65Vth (V) 封裝類(lèi)型 S

2023-11-02 16:15:57

ME4925-VB-SOP8封裝2個(gè)P溝道MOSFET

門(mén)源電壓范圍 12V 門(mén)源閾值電壓 1.8V 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 ME4925（絲印 VBA4317）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET，擁有2

2023-11-02 14:52:31

P06B03LVG-VB-SOP8封裝2個(gè)P溝道MOSFET

)- 閾值電壓 -1.5Vth (V)- 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 P06B03LVG是一款2個(gè)P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有負(fù)的額定電壓和額

2023-11-02 14:42:23

XP132A1275SR-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

) 閾值電壓 0.6~2Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 XP132A1275SR是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有負(fù)的額定電壓

2023-11-02 11:51:12

P0603BVG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓范圍 0.8V~2.5V 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 P0603BVG（絲印 VBA1311）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功

2023-11-02 11:17:21

NTF6P02T3G-VB-SOT223封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 0.83Vth 封裝 SOT223應(yīng)用簡(jiǎn)介 NTF6P02T3G是一款P溝道MOSFET，適用于需要負(fù)極電壓控制和

2023-11-02 10:16:18

STM4639-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

1.5Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 STM4639是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。其中，它具有負(fù)的額定電壓和額定電流特性，能夠

2023-11-02 09:37:49

SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)

2023-11-02 09:28:15

AFN4634WSS8RG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.72Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 AFN4634WSS8RG是一款N溝道MOSFET，適用于高電壓和

2023-11-01 11:21:18

AO4425-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.42Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 AO4425是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的高功率應(yīng)用。

2023-11-01 10:37:54

MDD3754RH-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 MDD3754RH是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的

2023-10-31 16:14:45

NTR0202PLT1G-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

Ω @2.5V 門(mén)源電壓 12Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 0.81Vth 封裝 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 NTR0202PLT1G是一款P溝道MOSFET，適用于低壓和中等電

2023-10-31 14:13:24

FDS8858CZ-NL-VB-SOP8封裝N+P溝道MOSFET

型號(hào) FDS8858CZNL絲印 VBA5311品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類(lèi)型 N+P溝道額定電壓 ±30V 額定電流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21m

2023-10-31 13:52:46

TPC8123-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 TPC8123是一款P溝道MOSFE

2023-10-31 11:58:20

FDN304P-NL-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓 1V 封裝類(lèi)型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 FDN304PNL（絲印 VB2355）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET

2023-10-31 11:24:55

AO4407A-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

, 66mΩ @2.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.37Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 AO4407A是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控

2023-10-30 15:56:14

CEM4435-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω @ 2.5V 門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓 1.37V 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 CEM4435（絲印 VBA2317）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P

2023-10-30 15:33:55

2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制或負(fù)載開(kāi)關(guān)的高功率應(yīng)用

2023-10-30 15:13:18

AO4407-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

) 閾值電壓 1.37Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 AO4407是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有負(fù)的額定電壓和額

2023-10-30 14:46:07

FR5305-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 FR5305是一款P溝道MOSFET，適用于需要負(fù)極電壓控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的高功率

2023-10-30 10:03:05

AP4563GH-VB-TO252-5封裝 N+P溝道MOSFET

, 18.75mΩ @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 ±1Vth 封裝 TO2525應(yīng)用簡(jiǎn)介 AP4563GH是一款N+P溝道MOSFET，適用于需要

2023-10-28 16:06:13

SUD50P04-08-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET，適用于高功率開(kāi)關(guān)和

2023-10-28 15:35:51

IRF7314TRPBF-VB-SOP8封裝2個(gè)P溝道MOSFET

) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類(lèi)型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 IRF7314TRPBF是一款雙P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有負(fù)的額定電壓和

2023-10-28 14:55:23

ME9435-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 ME9435是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制或負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。其最大耐壓

2023-10-28 14:24:47

FDD5614P-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 FDD5614P是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制或負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)

2023-10-28 11:48:41

PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2023-09-27 09:32:50

600 - 650V MDmesh DM9快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線(xiàn)TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

2023-09-08 06:00:53

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)

單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。

2023-09-05 07:32:19

美浦森N溝道超級(jí)結(jié)MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用需要

2023-08-18 08:32:56

513

深度剖析H橋應(yīng)用中的P溝道MOSFET

在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。

2023-06-29 15:28:02

957

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。

2023-06-27 17:29:31

599

IR Drop與封裝（一）

大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒(méi)有接觸過(guò)帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。

2023-06-16 10:05:18

674

MOSFET對(duì)使單刀雙擲開(kāi)關(guān)變得簡(jiǎn)單

以對(duì) MOSFET 使用單個(gè)控制輸入。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時(shí)表現(xiàn)出小于0.1V的壓降，并且兩個(gè)MOSFET都采用SO-8封裝。

2023-05-31 17:49:24

3200

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。

2023-04-29 09:35:00

5288

IR Drop與封裝分析

2023-04-21 09:31:09

1573

以工藝見(jiàn)長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱(chēng)為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。

2023-04-13 09:40:30

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IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件

評(píng)論