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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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FDD6685-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): FDD6685-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):FDD6685-VB
絲?。篤BE2317
品牌:VBsemi
參數(shù)說(shuō)明:
- MOSFET類(lèi)型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-40A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):18mΩ @ 10V, 25mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 閾值電壓(Vth):-1.7V
- 封裝:TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
FDD6685-VB是一款P溝道MOSFET,適用于多種電子設(shè)備和電路中,特別適用于需要功率開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理的應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說(shuō)明:**

1. **電源開(kāi)關(guān)模塊**:
  - 由于其P溝道MOSFET的特性,F(xiàn)DD6685-VB適用于電源開(kāi)關(guān)模塊,可用于功率開(kāi)關(guān)和電源管理。
  - 在便攜式電子設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、充電器和適配器中用于實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊**:
  - 該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其成為負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊的理想選擇。
  - 在LED照明、電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中用于高效的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。

3. **電源管理模塊**:
  - FDD6685-VB可用于功率管理模塊,實(shí)現(xiàn)電路的功率控制和管理。
  - 在各種電子設(shè)備中用于優(yōu)化功率分配和降低待機(jī)功耗。

4. **電池保護(hù)模塊**:
  - 該MOSFET可用于電池保護(hù)模塊,用于控制和保護(hù)鋰電池等電池的充電和放電。
  - 在便攜式電子設(shè)備、電池組裝設(shè)備、電動(dòng)工具中用于保護(hù)電池免受過(guò)充和過(guò)放的損害。

總結(jié),F(xiàn)DD6685-VB是一款P溝道MOSFET,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理和電池保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域的模塊。其特性使其成為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,有助于提高效率、可靠性和功率管理能力。

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