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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RSS090P03-TB-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: RSS090P03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi RSS090P03-TB-VB MOSFET 參數(shù):
- 封裝:SOP8
- 溝道類型:P—Channel
- 最大電壓:-30V
- 最大電流:-11A
- RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:-1.42V

應(yīng)用簡介:
該 MOSFET 適用于中功率應(yīng)用,如電源開關(guān)、電機控制和功率逆變器。其P—Channel溝道類型使其在需要負(fù)電壓操作的電路中具有優(yōu)越性能。

使用領(lǐng)域模塊:
1. 電源開關(guān):作為負(fù)電壓電源開關(guān)元件,用于中功率電源系統(tǒng)。
2. 電機控制:在中功率電機控制系統(tǒng)中作為電流控制元件。
3. 功率逆變器:用于需要P—Channel MOSFET的功率逆變器電路。

作用:
1. 提供中功率應(yīng)用的高效能力。
2. 在電源開關(guān)和電機控制中實現(xiàn)負(fù)電壓操作。
3. 適用于需要P—Channel MOSFET的功率逆變器電路。

使用注意事項:
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以避免損壞設(shè)備。
2. 在設(shè)計中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?,以確保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓,以防止設(shè)備過載。
4. 在使用過程中,注意靜電防護,避免損壞敏感元件。

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