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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE55P05S-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: NCE55P05S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:NCE55P05S-VB
絲?。篤BA2658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大連續(xù)電流:-6A
- 靜態(tài)導通電阻(RDS(ON)):50mΩ @ 10V, 61mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.5V
- 封裝類型:SOP8

應用簡介:
NCE55P05S-VB是一款P溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于需要負電壓電源開關和電路中的功率開關應用。以下是一些可能的應用領域:

1. 負電壓電源開關:P溝道MOSFET通常用于負電壓電源開關,可用于反向電源保護和負電壓電源管理。

2. DC-DC轉換器:它可以用于負電壓的DC-DC轉換器,將電壓升高或降低,以適應特定電子設備的需求。

3. 負電壓電路:適用于負電壓電路中,如負電壓電源管理、電壓反轉器和負電壓逆變器。

4. 電池保護:P溝道MOSFET可以用于電池電路中,以實現(xiàn)電池的充電和保護功能。

5. 負電壓電源控制:適用于負電壓電源控制,如負電壓直流電源控制、電源切斷等。

總之,NCE55P05S-VB MOSFET適用于需要P溝道MOSFET的負電壓電源開關和負電壓電路中的應用。這種組件有助于實現(xiàn)負電壓電源的控制和保護,適用于各種模塊和電路,以滿足不同負電壓電源需求。

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