北京中科同志科技股份有限公司

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-02-10 11:35

  半導體封裝革新之路：互連工藝的升級與變革

  

  在半導體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負責將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實現(xiàn)電信號的傳輸與交互。本文將詳細介紹半導體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點、應(yīng)用場景以及未來的發(fā)展趨勢。

  半導體封裝 封裝 芯片

  610瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-08 10:44

  從研發(fā)到應(yīng)用：國產(chǎn)高速高精度貼片機的全面發(fā)展之路

  

  在電子制造行業(yè)的快速發(fā)展浪潮中，表面貼裝技術(shù)（SMT）作為電子組裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，正以前所未有的速度推動著電子產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和質(zhì)量提升。而貼片機作為SMT生產(chǎn)線中的核心設(shè)備，其性能和技術(shù)水平直接決定了電子產(chǎn)品的制造效率和品質(zhì)。近年來，國產(chǎn)高速高精度貼片機在技術(shù)創(chuàng)新、市場拓展等方面取得了顯著的成就，正逐步打破國際品牌的壟斷，成為全球電子制造業(yè)中不可忽視的力量。

  smt 半導體 貼片機

  815瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-07 11:32

  濕度大揭秘！如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻？

  

  近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)。特別是濕度對功率半導體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討濕度對功率半導體器件芯片焊料熱阻的影響機理，以期為功率半導體器件的設(shè)計、制

  半導體封裝 熱阻 焊料

  636瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-06 11:33

  碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！

  

  碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研發(fā)和應(yīng)用過程中也面臨著一系列技術(shù)問題。本文將詳細探討SiCMOSFET的八大技術(shù)問題，并給出相應(yīng)的解決方案或研究方向。一、SiCMOSFET的柵極氧化層可靠性問題問題概述：SiCMOSFET的柵極氧化層是其核

  MOSFET SiC 半導體器件 碳化硅

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-24 11:01

  集成電路外延片詳解：構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

  

  集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對芯片性能的影響。

  半導體封裝 外延片 集成電路

  913瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-23 10:30

  揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案

  

  隨著微型機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的快速發(fā)展，其在汽車、醫(yī)療、通信、消費電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。MEMS器件由于其獨特的結(jié)構(gòu)和功能特性，對封裝技術(shù)提出了極高的要求。其中，氣密性封裝是MEMS封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅能夠保護MEMS器件免受外部環(huán)境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術(shù)作為一種先進的封裝技術(shù)，在MEMS氣密性封裝中展現(xiàn)出

  MEMS封裝 微型機電 鍵合

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-22 12:57

  集成電路新突破：HKMG工藝引領(lǐng)性能革命

  

  隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，性能不斷提升。然而，這種縮小也帶來了一系列挑戰(zhàn)，如柵極漏電流增加、多晶硅柵耗盡效應(yīng)等。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，業(yè)界開發(fā)出了高K金屬柵（High-K Metal Gate，簡稱HKMG）工藝。HKMG工藝作為現(xiàn)代集成電路制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一，對提升芯片性能、降低功耗具有重要意義。本文將詳細介紹HKMG工藝的基本原理、分類

  HKMG 芯片 集成電路

  1.4k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-20 11:44

  半導體制造里的ALD工藝：比“精”更“精”！

  

  在半導體制造這一高度精密且不斷進步的領(lǐng)域，每一項技術(shù)都承載著推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）工藝，作為一種先進的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導體中為何會用到ALD工藝，并分析其獨特優(yōu)勢和應(yīng)用場景。

  半導體制造 半導體設(shè)備 晶圓制造 芯片封裝

  1.8k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-17 14:45

  揭秘PoP封裝技術(shù)，如何引領(lǐng)電子產(chǎn)品的未來？

  

  隨著電子產(chǎn)品的日益小型化、多功能化，對半導體封裝技術(shù)提出了更高要求。PoP（Package on Package，疊層封裝）作為一種先進的封裝技術(shù)，在智能手機、數(shù)碼相機、便攜式穿戴設(shè)備等消費類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用。本文將詳細探討PoP疊層封裝工藝的原理、特點、結(jié)構(gòu)類型、關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢。

  POP封裝 電子產(chǎn)品 芯片封裝

  1.5k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-01-16 13:14

  引線框架質(zhì)量大起底：影響集成電路的關(guān)鍵因素

  

  集成電路（IC）是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的核心內(nèi)容，是現(xiàn)代電子工程、計算機和信息工業(yè)開發(fā)的重要基礎(chǔ)。在集成電路的構(gòu)成中，引線框架作為連接芯片與外部電路的關(guān)鍵部件，其質(zhì)量對集成電路的整體性能、可靠性和使用壽命具有至關(guān)重要的影響。本文將深入分析集成電路中引線框架的質(zhì)量影響因素，探討其對集成電路性能的具體影響，并提出相應(yīng)的質(zhì)量控制措施。

  半導體封裝 芯片 集成電路

  1k瀏覽量