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發(fā)布了文章 2025-03-28 11:43
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發(fā)布了文章 2025-03-27 10:49
新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領(lǐng)未來電力電子！
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。近年來，新型SIC功率芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造技術(shù)取得了顯著進(jìn)展，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了有力支持。164瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-26 12:59
IC封裝產(chǎn)線分類詳解：金屬封裝、陶瓷封裝與先進(jìn)封裝
在集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)中，封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片，還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進(jìn)步。本文將詳細(xì)探討IC封裝產(chǎn)線的分類，重點(diǎn)介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進(jìn)封裝等幾種主要類型。174瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-25 13:19
深度解讀：真空共晶爐加熱板的材質(zhì)與性能關(guān)系
在半導(dǎo)體封裝、微電子器件制造等領(lǐng)域，真空共晶爐是一種至關(guān)重要的設(shè)備，它利用真空環(huán)境和精確的溫度控制，實(shí)現(xiàn)器件之間的高質(zhì)量焊接。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其材質(zhì)和性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的選擇及其區(qū)別，以期為相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員和決策者提供參考。164瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-24 11:27
不只依賴光刻機(jī)！芯片制造的五大工藝大起底！
在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時代的“心臟”，其制造過程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。276瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-22 10:14
HBM新技術(shù)，橫空出世：引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章
隨著人工智能、高性能計算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新興應(yīng)用對高性能、低延遲和高能效的嚴(yán)苛要求。正是在這樣的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，以其獨(dú)特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。308瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-21 13:11
破解散熱難題！石墨烯墊片助力高功率芯片穩(wěn)定運(yùn)行
隨著科技的飛速發(fā)展，高功率大尺寸芯片在數(shù)據(jù)中心、人工智能、高性能計算等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。然而，這類芯片的高功耗和物理尺寸的擴(kuò)展帶來了嚴(yán)重的散熱問題。據(jù)研究，芯片溫度每升高10℃，其可靠性可能降低約50%。因此，高效散熱技術(shù)對于維持高功率大尺寸芯片的穩(wěn)定、高效運(yùn)行至關(guān)重要。近年來，石墨烯導(dǎo)熱墊片作為一種新興的散熱技術(shù)，正逐漸嶄露頭角，為解決這一難題提供了新的236瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-20 15:30
下一代3D晶體管技術(shù)突破，半導(dǎo)體行業(yè)迎新曙光！
在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，每一次技術(shù)的突破都如同璀璨的星辰，照亮著人類科技進(jìn)步的道路。近年來，隨著計算和人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展，對高性能、低功耗電子產(chǎn)品的需求日益增長，這驅(qū)使著科研人員不斷探索新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步，他們利用二維（2D）半導(dǎo)體技術(shù)，成功研發(fā)出新型三維（3D）晶體管，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇327瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-19 11:00
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發(fā)布了文章 2025-03-18 10:14
