動態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-12-26 13:58
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發(fā)布了文章 2024-12-25 13:08
納米銀燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)陣面高功率密度的需求下,SiC寬禁帶半導(dǎo)體器件逐步取代傳統(tǒng)硅功率器件。然而,SiC功率器件的高結(jié)溫和高功率特性對封裝技術(shù)提出了更高的要求。納米銀燒結(jié)技術(shù)作為一種先進(jìn)的界面互連技術(shù),以其低溫?zé)Y(jié)、高溫使用的優(yōu)點(diǎn)162瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-24 12:58
揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電力電子、電動汽車、可再生能源等。功率半導(dǎo)體器件的封裝材料作為連接芯片與外部世界的橋梁,其選擇與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的性能表現(xiàn)、可靠性以及整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著功率半導(dǎo)體器件向大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻等方向發(fā)展191瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-23 11:30
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發(fā)布了文章 2024-12-21 10:14
原子鐘芯片封裝挑戰(zhàn)重重,真空共晶爐如何應(yīng)對?
在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天,時(shí)間精度成為了許多領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵因素。原子鐘,作為時(shí)間頻率標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的巔峰之作,以其極高的頻率精度,在航空航天、數(shù)字通信、網(wǎng)絡(luò)授時(shí)、廣播電視、鐵路交通、電力傳遞等系統(tǒng)中扮演著基礎(chǔ)性支撐角色。然而,傳統(tǒng)原子鐘體積龐大、重量重、功耗高,難以滿足日益增長的便攜化和微型化需求。近年來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)和微電子學(xué)的飛速發(fā)展,國產(chǎn)芯片級微型原子 -
發(fā)布了文章 2024-12-20 13:40
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發(fā)布了文章 2024-12-19 10:44
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發(fā)布了文章 2024-12-18 14:32
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發(fā)布了文章 2024-12-17 13:34
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發(fā)布了文章 2024-12-16 15:59