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羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET
- MOSFET(209657)
- SiC(61349)
- 羅姆(65965)
- 電源公司(7480)
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2023-06-03 09:54:443379
3379如何實現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護？
過程中SiC MOSFET的高短路電流會產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護。同時，電流關斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關斷時產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:07998
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SiC MOSFET學習筆記2：短路保護—軟關斷
想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關我開，你開我關
2023-05-30 11:35:071905
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動的方法
在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462
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柵極驅動器以及SiC MOSFET柵極驅動
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063
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泄漏電流的測試方案分享
泄漏電流是一種普遍存在于電器電子設備中的現(xiàn)象。當設備中的絕緣被破壞或未經(jīng)充分絕緣而形成的電流，被稱為泄漏電流。泄漏電流對電器電子設備正常運行產(chǎn)生了很大的影響。為了保證設備的正常工作，我們需要及時檢測泄漏電流。電流探頭就是在這個過程中起著重要的作用。
2023-05-18 09:45:211151
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如何降低驅動系統(tǒng)漏電流
驅動系統(tǒng)總漏電流由驅動器本身漏電流、電機電纜線漏電流、電機漏電流組成。驅動系統(tǒng)漏電流大小取決于驅動器逆變IGBT的開關頻率，逆變IGBT的開關的速度，直流母線電壓的幅值，電機的繞組對機殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關頻率由10kHz降低到5kHz時，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:53730
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642
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MOS晶體管漏電流的6個原因
漏電流會導致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： 反向偏置PN結漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007772
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了解短通道MOS晶體管中的漏電流元件
本文介紹了MOS晶體管的基礎知識，以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致了氧化物厚度的減少，從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279
1279R課堂 | SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法－總結
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813
813碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
，單極性反向導通電流是條形花紋排列SBD實現(xiàn)電流的兩倍。2.7m??cm2條件下，RonA降低約20%。SiC MOSFET用于電機驅動應用逆變器時，這種經(jīng)過驗證的改進效果是至關重要的。目前正在繼續(xù)進行
2023-04-11 15:29:18
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731
731SiC MOSFET的短溝道效應
在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
工商網(wǎng)監(jiān)
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