充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅(qū)動(dòng)BTD25350

BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案

BTD25350系列雙通道隔離型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，峰值輸出電流可達(dá)10A（典型值），采用SOW-18（寬體）封裝， 高達(dá)5000Vrms的隔離電壓，適用于于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

BTD25350功能框圖

BTD25350系列產(chǎn)品原邊提供禁用管腳DIS和死區(qū)時(shí)間管腳DT設(shè)置，副邊提供3種管腳配置：

1、BTD25350MM提供門(mén)極米勒鉗位功能，以防止米勒電流造成功率器件誤導(dǎo)通。

2、BTD25350MS提供獨(dú)立的開(kāi)通和關(guān)斷輸出管腳， 可分別獨(dú)立控制功率器件的開(kāi)通和關(guān)斷行為。

3、BTD25350ME對(duì)副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能， 確保功率器件可以獲得足夠的門(mén)極開(kāi)通正電壓。

雙通道隔離驅(qū)動(dòng)BTD25350產(chǎn)品特點(diǎn)介紹：

?隔離電壓高達(dá)5000VRMS（SOW-18）@UL1577

?峰值輸出電流典型值高達(dá)10A

?傳輸延時(shí)低至60ns

?瞬態(tài)共?？箶_度（CMTI）典型值為150kV/us

?最高支持開(kāi)關(guān)頻率1MHz

?原邊電源支持3~20V

?副邊電源最高支持33V

?原邊副邊電源分別支持欠壓保護(hù)

?輸入電平兼容3.3V、5V、15V電平

?SOW-18（寬體）封裝，爬電距離8.5mm

?工作環(huán)境溫度：-40~125℃

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