與功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢，例如更高的電導率，更低的開關速度和更低的傳導損耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 11:59:02
7219 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領域[2-9] ，展示了新技術的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小?！ ≈饕獞糜诠I(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
擊穿耐受能力SiC-MOSFET的優(yōu)點是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，靜電擊穿（ESD）耐受能力卻較低。因此，處理時需要采取充分的防靜電措施。靜電對策舉例?利用離子發(fā)生器除去人體
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會嚴重影響全局開關損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當電源開關關閉時，驅(qū)動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應導通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
為了使水下航行器裝入密封艙后所有模塊正常運行，設計了一個模擬平臺，涵蓋了模擬電路、數(shù)字電路、信號處理、無線射頻、電源、傳感器等方面，特別是小車軌跡使用上層的PID參數(shù)的智能化控制，具有遠距離數(shù)據(jù)傳輸
2019-08-09 07:00:33
求教水下航行器應該如何接地？負極接機殼？浮地？還是其他？請各位大神賜教
2014-12-11 15:55:59
航行器半實物仿真的主要優(yōu)點有哪些？水下航行器控制系統(tǒng)半實物仿真的特點是什么？水下航行器控制半實物仿真系統(tǒng)的組成部分
2021-04-14 06:01:25
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產(chǎn)品的規(guī)格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導入。不過，市場估算，循續(xù)漸進采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動基于SiC或IGBT的三相電機半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
業(yè)內(nèi)先進的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，單極性反向?qū)娏魇菞l形花紋排列SBD實現(xiàn)電流的兩倍。2.7m??cm2條件下，RonA降低約20%。SiC MOSFET用于電機驅(qū)動應用逆變器時，這種經(jīng)過驗證的改進效果是至關重要的。目前正在繼續(xù)進行
2023-04-11 15:29:18
本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉(zhuǎn)換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
在真實海洋環(huán)境下進行，實驗時的海況成為了影響和制約實驗可行性和結果正確性的關鍵因素，再加上海洋項目的成本比較高，就需要一個智能平臺來實驗水下航行器的功能，更加接近的模擬實驗的環(huán)境，通過各種傳感器的綜合運用，這樣才能在真實的環(huán)境中得到更加有效的數(shù)據(jù)，從而更加合理的開發(fā)和利用海洋資源，造福人民，保衛(wèi)祖國的海疆。
2019-08-16 06:54:00
功率MCU，分立器件和功率器件的領先公司。為了追求卓越和高品質(zhì)的產(chǎn)品，羅姆已經(jīng)垂直整合了其碳化硅供應鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
提出了一種基于CAN總線的分布式水下航行器控制器的設計方法，主要描述了其硬件總體設計方案和實現(xiàn)辦法。控制器作為分布式控制系統(tǒng)的一個節(jié)點，與其他節(jié)點之間以CAN總線連接并形
2013-06-08 17:54:55
31 水下航行器非接觸式電能傳輸技術研究_王司令
2017-01-07 15:17:120 針對潛艇發(fā)射水下航行器攻擊水面目標這一想定進行視景仿真。利用Multigen Creator進行三維實體建模和地形生成，基于Vega Prime實時視景仿真平臺開發(fā)水下航行器攻擊可視化仿真應用，展現(xiàn)
2017-11-16 10:53:1210 Seabed并不像那些典型的自動水下航行器。很多水下航行器形狀像魚雷，可以像水柱一樣有效地穿透海水。
2018-08-05 11:18:063133 據(jù)獲悉，南方電網(wǎng)首個水下機器人項目于近日完成最終驗收，這也是國內(nèi)首個能在水下隧洞遠距離航行檢測的機器人。
2018-08-14 10:23:001361 盡管自主水下航行器(AUV)確實能使海洋數(shù)據(jù)的收集過程變得更加容易，但是發(fā)射東西仍然很麻煩。這就是科學家開發(fā)一種新系統(tǒng)的原因，該系統(tǒng)使用無人水面艇來部署自主水下航行器。通常，自動水下航行器是從一艘大型船只發(fā)射的。
2020-01-11 11:01:052516 美國國防部高級計劃研究局（DARPA）剛剛向三家公司授予了開發(fā)合同，以支持新一代長距離、遠程水下航行器（UUV）的開發(fā)。
2020-03-14 14:50:242120 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:403728 針對水下傳感器網(wǎng)絡（UwSN）存在能耗高、傳輸率低和帶寬窄等問題，提岀自主水下航行器（AUV輔助的水下地理杌會路由協(xié)議（ GOHRP）。初始階段， GOHRP基于普通節(jié)點的深度設計間距不等的分層網(wǎng)絡
2021-04-09 16:19:075 水下航行器通用的數(shù)據(jù)處理軟件設計方案
2021-06-30 15:29:055 基于CAN總線的水下航行器分布式控制系統(tǒng)
2021-07-01 16:53:379 AUV水下工作定位難 自主式水下航行器（AUV）是一種重要的用于水下勘測的機器人，同時也是用于檢測的精密儀器。 AUV在進行水下任務時會遇到兩個難題： 一是在沒有具體的環(huán)境信息的條件下，水下
2021-07-16 16:02:23840 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）與其對應物相比具有一系列優(yōu)勢，例如更高的導電性、更低的開關速度和更低的傳導損。
2022-08-05 08:04:431305 
應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:51956 SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 提高任何水下平臺能力的關鍵是推進其供電技術研發(fā)。美國國防部高級研究計劃局（DARPA）是領導開發(fā)無人水下航行器（UUV）新電源硬件的機構之一。
2023-01-09 15:00:121223 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 常見的搭載平臺經(jīng)歷了從水面艦船到載人潛器（HOV）到水下無人航行器（UUV）的歷程。HOV和UUV的研究分別起步于1890年和1960年左右。它們具有活動范圍大、機動性強和作業(yè)效率高等優(yōu)點。近年來，隨著深遠海海洋調(diào)查的需求，HOV和UUV扮演著越來越重要的角色。
2023-12-20 10:47:20617 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應，并提供一些
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