SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作

從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。

前言

MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。

其中，在將開關(guān)元件上下串聯(lián)連接的橋式結(jié)構(gòu)中，通常交替地導(dǎo)通與關(guān)斷各個元器件。下面是常規(guī)的橋式結(jié)構(gòu)同步方式boost電路，波形圖是根據(jù)柵極信號交替地導(dǎo)通/關(guān)斷的低邊（LS）MOSFET和高邊（HS）MOSFET的漏極－源極間電壓（VDS）和漏極電流（ID）示例。

通過開關(guān)工作，流過各元件的電流和變化的電壓以復(fù)雜的方式相互影響。尤其是在處理高電壓高電流的電路中，受安裝電路板和結(jié)線引起的寄生分量等影響，產(chǎn)生電壓和電流的動作，并因此導(dǎo)致工作不穩(wěn)定、效率下降，從而可能導(dǎo)致?lián)p耗增加、產(chǎn)生異常發(fā)熱等問題。

近年來，SiC MOSFET等高性能功率元器件的應(yīng)用，使得通過高速開關(guān)轉(zhuǎn)換大功率成為可能，但在操作過程中，需要對開關(guān)工作有深入的了解。在該系列文章中，我們將著眼于MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中的各MOSFET的柵極－源極間電壓的動作，以簡單的同步方式boost電路為例，對以下內(nèi)容進(jìn)行探討：

?MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)與同步方式boost電路

?柵極驅(qū)動電路與導(dǎo)通/關(guān)斷工作

?因dVDS/dt、dID/dt而產(chǎn)生的電流和電壓

?導(dǎo)通時柵極信號的動作

?關(guān)斷時柵極信號的動作

文章來源：Rohm

審核編輯 黃宇