電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為第三代半導體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導體產(chǎn)品去庫存的市場節(jié)奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發(fā)展，也帶動著碳化硅市場熱度
2023-07-07 01:15:00
943 近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導體企業(yè)芯動半導體與國際知名半導體供應(yīng)商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:4398 碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410 
平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優(yōu)勢。
2024-02-21 09:32:31337 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
晶片切割是半導體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:20704 
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
在這次考察中，考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達十億元人民幣，其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算，該項目完成后每年潛在銷售額將達到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 第三代半導體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14292 
碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導體（Si）是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點： 更高的熱導率：碳化硅的熱導率是傳統(tǒng)硅半導體
2024-01-10 14:26:52230 碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關(guān)頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 。 ? 第三代半導體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體材料。某機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408 
隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長， 也使設(shè)計工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-02 10:01:06545 
在當今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56306 
12 月 22 日消息，據(jù)意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。
2023-12-24 10:35:24564 龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。 隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里
2023-12-22 08:20:01284 
碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點，在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318 碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
和IGBT的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異： 碳化硅是一種化合物半導體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性，使其在高溫和高功率應(yīng)用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結(jié)構(gòu)通常更復雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531785 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53555 
汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場。在整個汽車半導體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場行情？
2023-12-05 09:44:51151 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 此外，由于碳化硅逆變器體積較小，還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng)，從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載 OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器已率先開啟 SiC SBD、SiC MOS 的滲透。
2023-11-30 17:35:141884 
本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 工藝環(huán)節(jié)，其發(fā)展主要依賴于半導體器件技術(shù)、電力電子技術(shù)以及現(xiàn)代控制技術(shù)的發(fā)展。
發(fā)展現(xiàn)狀：光伏裝機量帶動光伏逆變器需求提升，市場規(guī)模有望持續(xù)擴張
圖-2：光伏逆變器分類及介紹
光伏逆變器產(chǎn)業(yè)鏈上游為其
2023-11-21 16:07:04
目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產(chǎn)能，預(yù)計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。
2023-11-15 15:25:52473 
硅是半導體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率，并擴展了功率密度和工作溫度等領(lǐng)域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
2023-11-08 09:30:28359 、大組串”的時代，光伏電站電壓等級將從1000V提升至1500V及以上，對功率器件的物理性能提出了更高的要求，此時碳化硅進入了大眾視野。
2023-11-06 09:42:17394 
公司之一， GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?， 重點關(guān)注性能和穩(wěn)健性， 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù)，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01603 
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 2023年9月，科友半導體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導體場效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05812 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅又稱金剛砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料，經(jīng)電阻爐高溫冶煉而成。事實上，碳化硅在很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。其特點是:化學性能穩(wěn)定，導熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等級
2023-09-22 15:11:04306 
汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導體器件，它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421880 目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進行分析。
2023-08-31 14:14:22285 在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導體是市場上最先進的半導體之一。
2023-08-29 11:34:02253 
igbt和碳化硅區(qū)別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導體器件，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣
2023-08-25 14:50:049040 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 在半導體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。
2023-08-17 14:27:151085 
碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
來源：寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟 碳化硅將在電子、醫(yī)療、新能源汽車等領(lǐng)域擁有廣泛的市場前景。 編輯：感知芯視界 隨著科技的快速發(fā)展，半導體行業(yè)也在不斷尋求新的材料和工藝，以實現(xiàn)更高的性能、更低的功耗
2023-08-03 09:22:43207 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093 供電網(wǎng)使用。 隨著光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對碳化硅器件性能提出了更高的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的第二代碳化硅MOSFET，在開關(guān)速度、開關(guān)損耗、成本等方面進
2023-07-27 10:44:09
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 電動汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278 
長達 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)模化生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 8億元資金，用于SiC材料研發(fā)制造總部項目、SiC材料研發(fā)項目等。 志橙半導體成立于2017年，聚焦半導體設(shè)備的碳化硅涂層石墨零部件產(chǎn)品，并提供相關(guān)碳化硅涂層服務(wù)，主要產(chǎn)品可用于碳化硅外延設(shè)備、MOCVD設(shè)備、硅外延設(shè)備等多種半導體設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)。 根據(jù)QY Resea
2023-06-29 00:40:002182 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
，這一塊也是金航標產(chǎn)品的研發(fā)方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導體研發(fā)的igbt、碳化硅場效應(yīng)管、ldo電源管理芯片，也廣泛應(yīng)用于逆變器、電池管理等場合，和金航標的信號連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國產(chǎn)基本半導體芯片
2023-06-12 14:58:36337 三安光電近日宣布，將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385 發(fā)布公告稱全資子公司湖南三安半導體有限責任公司與意法半導體（中國）投資有限公司擬在重慶共同設(shè)立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產(chǎn)的合資代工公司，湖南三安持股51%，意法半導體持股49%，合資公司由湖南三安控股，預(yù)計投入總金額32億美元（約合
2023-06-08 19:33:051051 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34801 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 ? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國產(chǎn)基本半導體芯片
2023-05-29 10:16:48
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導體器件。
2023-05-25 10:05:21459 
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681 首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222 
近期國際功率半導體巨頭英飛凌拓展碳化硅材料供應(yīng)商體系，簽約國產(chǎn)碳化硅襯底頭部產(chǎn)商天岳新進、天科合達。在業(yè)內(nèi)人士看來，其重要性被業(yè)內(nèi)認為堪比消費單子廠商納入“蘋果產(chǎn)業(yè)鏈”。
2023-05-16 10:45:27505 碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬
2023-05-10 09:43:241338 
援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
在半導體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論