國芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力光伏儲能
光伏儲能系統(tǒng)是利用太陽能進行光伏儲能發(fā)電的系統(tǒng)，其中光伏設備會吸收太陽能轉化成電能，儲能設備會將光伏設備產(chǎn)生的電能進行存儲，當光伏系統(tǒng)電力不足時，儲能系統(tǒng)會通過轉換，將存儲的電能轉換為所需的交流電供電網(wǎng)使用。
隨著光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對碳化硅器件性能提出了更高的要求。基本半導體的第二代碳化硅MOSFET，在開關速度、開關損耗、成本等方面進行了改善，以進一步提升客戶端光伏逆變器的功率密度。在碳化硅功率模塊方面，基本半導體推進工業(yè)級碳化硅二極管模塊、MOSFET模塊以及混合模塊的開發(fā)，以滿足百千瓦級別以上更高功率的光伏逆變器的應用需求。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET 40mR/1200V TO247-3封裝的B2M040120H非常適合老設計中的單管IGBT器件P2P替換升級，可替代英飛凌、安森美、ST、Wolfspeed等品牌；能夠助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。
碳化硅MOSFET B2M040120H是基本半導體基于6英寸晶圓平臺開發(fā)的，與上一代產(chǎn)品相比，擁有更低比導通電阻（降低約40%）、器件開關損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結溫（175°C）等優(yōu)越性能。綜上所述，B2M040120H能夠使發(fā)電系統(tǒng)的成本大大降低，滿足節(jié)能減排的需求，提升電網(wǎng)的安全性。
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