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碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢

國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2023-09-05 09:04 ? 次閱讀

隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn),因此在新能源汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進(jìn)行分析。

一、碳化硅功率器件的基本原理

碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同,只是在材料上有所不同。碳化硅功率器件中的主要器件有MOSFET、JFET、BJT和Schottky二極管等,其中MOSFET是應(yīng)用最廣泛的。

在MOSFET中,碳化硅材料分為N型和P型兩種,通過摻雜可以得到不同的電導(dǎo)率類型。MOSFET中的柵極是用金屬制成的,而源極和漏極是用N型或P型碳化硅材料制成的。當(dāng)在柵極上加上正電壓時(shí),MOSFET中形成了電子氣體,使得源極和漏極之間形成了一個(gè)導(dǎo)通的通道。當(dāng)在柵極上施加負(fù)電壓時(shí),電子氣體消失,源極和漏極之間的通道斷開,MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。

二、碳化硅功率器件的優(yōu)勢

1、高工作溫度

碳化硅功率器件可以在高溫環(huán)境下正常工作,其工作溫度可以高達(dá)300℃以上。在新能源汽車領(lǐng)域中,碳化硅功率器件可以承受高溫環(huán)境下的工作,從而保證了電動汽車的穩(wěn)定性和可靠性。

2、高能耗效率

碳化硅功率器件的能耗效率比傳統(tǒng)的硅功率器件高,可以達(dá)到90%以上。碳化硅功率器件的高能耗效率可以減少電能的損耗,提高電動汽車的續(xù)航里程和性能。

3、高開關(guān)速度

碳化硅功率器件的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅功率器件快,可以達(dá)到100倍以上。碳化硅功率器件的高開關(guān)速度可以減少電能的損耗,提高電動汽車的性能和效率。

4、小尺寸

碳化硅功率器件的體積比傳統(tǒng)的硅功率器件小,可以達(dá)到原來的1/3左右。碳化硅功率器件的小尺寸可以提高電動汽車的能源密度,從而減少電動汽車的重量和體積。

三、碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

1、電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)

碳化硅功率器件可以用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,可以提高電機(jī)的效率和性能,從而提高電動汽車的性能和續(xù)航里程。

2、充電系統(tǒng)

碳化硅功率器件可以用于充電系統(tǒng)中,可以提高充電效率和速度,從而縮短電動汽車的充電時(shí)間。

3、電池管理系統(tǒng)

碳化硅功率器件可以用于電池管理系統(tǒng)中,可以提高電池的充電和放電效率,從而延長電池壽命。

4、輔助電源系統(tǒng)

碳化硅功率器件可以用于輔助電源系統(tǒng)中,可以提高輔助電源的效率和性能,從而提高電動汽車的性能和可靠性。

總之,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用前景廣闊。隨著碳化硅功率器件技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用,它將成為新能源汽車領(lǐng)域中的重要支撐技術(shù),為電動汽車的發(fā)展和普及提供了強(qiáng)有力的支持。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時(shí)提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點(diǎn)科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項(xiàng)目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項(xiàng)國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:彭菁

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原文標(biāo)題:碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用有哪些?

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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