0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2024-09-11 10:25 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢,因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度約為3.2eV,相比于硅的1.1eV具有顯著優(yōu)勢。寬禁帶意味著碳化硅功率器件能夠在更高的電場下工作而不發(fā)生擊穿,同時也能夠在更高的溫度下穩(wěn)定工作。碳化硅功率器件的主要類型包括碳化硅肖特基二極管(SiCSchottkyDiode)、碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiCMOSFET)以及碳化硅晶閘管(SiCThyristor)等。

1.SiC肖特基二極管:利用碳化硅的高擊穿電場和低正向壓降特性,適用于高效能和高速開關(guān)應(yīng)用。

2.SiCMOSFET:具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,適用于高頻、高效的功率轉(zhuǎn)換電路。

3.SiC晶閘管:用于高電壓、大電流應(yīng)用中,如高壓直流輸電(HVDC)和脈沖功率系統(tǒng)。

碳化硅功率器件的優(yōu)勢

1.更高的擊穿電場

碳化硅材料的擊穿電場強(qiáng)度約為硅材料的10倍。這使得SiC功率器件可以在更高的電壓下工作,同時還能實現(xiàn)更小的器件尺寸和更高的功率密度。這對于高壓應(yīng)用,如電動汽車、工業(yè)電源和電網(wǎng)設(shè)備,具有重要意義。

2.更高的熱導(dǎo)率

碳化硅的熱導(dǎo)率約為硅的3倍,這意味著SiC器件在高功率密度應(yīng)用中能夠更有效地散熱,減少了對外部散熱器和冷卻系統(tǒng)的依賴,從而降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。

3.更高的開關(guān)速度

碳化硅的飽和電子漂移速度比硅快兩到三倍,使得SiC器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率。這對提升功率轉(zhuǎn)換效率和減小被動元件(如電感和電容)的體積和重量非常有利。

4.更高的工作溫度

碳化硅器件能夠在高達(dá)200℃甚至更高的溫度下穩(wěn)定工作,而硅器件通常只能在150℃以下工作。這使得SiC器件在高溫環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行,特別適用于航空航天和深井鉆探等苛刻環(huán)境。

wKgaombhAlaAHS-jAABv-UhnDRU864.jpg

應(yīng)用領(lǐng)域

1.電動汽車

在電動汽車(EV)中,碳化硅功率器件用于逆變器、車載充電器和直流-直流轉(zhuǎn)換器等核心部件。SiC器件的高效率和高功率密度特性,能夠顯著提升電動車的續(xù)航里程和充電速度。

2.可再生能源

在光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,SiC功率器件用于逆變器和轉(zhuǎn)換器,提升了能量轉(zhuǎn)換效率,減少了系統(tǒng)損耗,有助于降低可再生能源的發(fā)電成本。

3.工業(yè)電源

在工業(yè)電源系統(tǒng)中,碳化硅功率器件應(yīng)用于高效電源供應(yīng)器(SMPS)、不間斷電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動器中。其高效和高頻特性,有助于提升系統(tǒng)的能效和可靠性。

4.電網(wǎng)

在高壓直流輸電(HVDC)和柔性交流輸電(FACTS)系統(tǒng)中,碳化硅功率器件用于提高電能傳輸?shù)男屎头€(wěn)定性,支持更遠(yuǎn)距離的電力傳輸和更靈活的電網(wǎng)管理。

市場前景

隨著全球?qū)?jié)能減排的需求增加和新能源技術(shù)的發(fā)展,碳化硅功率器件市場前景廣闊。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù),全球SiC功率器件市場預(yù)計將在未來幾年內(nèi)保持高速增長,年復(fù)合增長率(CAGR)超過20%。特別是在電動汽車、可再生能源和高效電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域,碳化硅功率器件的需求將持續(xù)上升。

發(fā)展挑戰(zhàn)

盡管碳化硅功率器件具有眾多優(yōu)勢,但其大規(guī)模應(yīng)用仍面臨一些挑戰(zhàn):

1.制造成本高:碳化硅材料和器件的制造成本仍然較高,需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)工藝和降低成本。

2.技術(shù)成熟度:雖然SiC器件在高性能應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,但其制造工藝和可靠性仍需進(jìn)一步驗證和改進(jìn)。

3.市場接受度:市場對新技術(shù)的接受需要時間,特別是在一些傳統(tǒng)行業(yè)中,推廣SiC器件仍需一定的市場教育和推廣。

結(jié)語

碳化硅功率器件以其卓越的性能正在改變功率電子領(lǐng)域,為電動汽車、可再生能源和工業(yè)電源等應(yīng)用帶來了革命性的進(jìn)步。盡管面臨一些挑戰(zhàn),但隨著技術(shù)的不斷成熟和制造成本的降低,碳化硅功率器件的市場前景十分光明。未來,SiC功率器件將為實現(xiàn)更高效、更節(jié)能的電力系統(tǒng)發(fā)揮重要作用。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設(shè)計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計、可靠性設(shè)計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28309

    瀏覽量

    229763
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1867

    瀏覽量

    91723
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2960

    瀏覽量

    49872

原文標(biāo)題:碳化硅功率器件概述!-國晶微半導(dǎo)體

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅深層的特性

    電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,2100℃。2)高硬度。碳化硅
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅半導(dǎo)體器件哪些?

      由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體
    發(fā)表于 01-12 11:48

    功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

      本文重點介紹賽米控碳化硅功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?! 》至?b class='flag-5'>器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但
    發(fā)表于 02-20 16:29

    歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化
    發(fā)表于 02-22 16:06

    在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

    MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計,例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class='flag-5'>碳化硅
    發(fā)表于 03-14 14:05

    碳化硅功率模組哪些

    碳化硅功率模組哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了
    發(fā)表于 05-31 09:43 ?765次閱讀

    碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
    發(fā)表于 06-28 09:58 ?4379次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的基本原理、特點和<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢

    汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進(jìn)行分析。 一、碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:04 ?2891次閱讀

    碳化硅功率器件優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

    隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:15 ?977次閱讀

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?3391次閱讀

    碳化硅功率器件優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?1021次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>和分類

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?872次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅功率器件優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1185次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1012次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品