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碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-09-11 10:44 ? 次閱讀

引言

碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點、應用領域及其發(fā)展前景。

碳化硅功率器件的基本原理!

碳化硅是一種寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度約為3.2eV,遠大于硅的1.1eV。寬禁帶帶來了以下幾個重要特性:

高擊穿電場:碳化硅的擊穿電場強度約為硅的十倍,這使得SiC器件能夠在更高電壓下工作,而不會導致?lián)舸?/p>

高熱導率:碳化硅的熱導率約為硅的三倍,這意味著SiC器件在高功率密度工作時,能夠更有效地散熱。

電子飽和速度:碳化硅的電子飽和速度約為硅的兩倍,這使得SiC器件能夠在高頻應用中表現(xiàn)出色。

碳化硅功率器件的優(yōu)點!

高效能量轉換:由于碳化硅功率器件的高擊穿電場和高熱導率,它們可以在高電壓和高溫環(huán)境下高效工作。這使得能源轉換效率顯著提高,減少了能量損耗。

高開關速度:碳化硅功率器件的高電子飽和速度使其能夠在更高頻率下工作,從而提高了電力電子系統(tǒng)的開關速度和效率。

高溫穩(wěn)定性:碳化硅器件在高溫環(huán)境下依然能夠保持良好的性能,適用于航空、航天等極端環(huán)境。

尺寸和重量減?。河捎诟咝芰哭D換和高開關速度,使用碳化硅功率器件的電力電子系統(tǒng)可以設計得更小、更輕,這在電動汽車和便攜設備等領域尤為重要。

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碳化硅功率器件的應用領域

電動汽車:在電動汽車領域,碳化硅功率器件被廣泛應用于車載充電器、逆變器和電動驅動系統(tǒng)。SiC器件的高效能量轉換和高開關速度,使電動汽車的續(xù)航能力和充電速度大幅提升。

可再生能源:碳化硅功率器件在太陽能和風能等可再生能源系統(tǒng)中得到廣泛應用。它們在逆變器中的應用,提高了能源轉換效率,減少了能源損耗,提升了整個系統(tǒng)的可靠性。

工業(yè)電源:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,碳化硅功率器件被用于高效能量轉換和高頻應用,如高效電源模塊變頻器。它們的高可靠性和高效率,顯著降低了系統(tǒng)的能量損耗和運營成本。

航空航天:碳化硅功率器件的高溫穩(wěn)定性和高效能量轉換,使其在航空航天領域得到了廣泛應用。它們被用于飛機電源系統(tǒng)和航天器的電力電子設備中,顯著提升了系統(tǒng)的性能和可靠性。

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

制造技術進步:隨著制造技術的不斷進步,碳化硅晶圓的質(zhì)量和生產(chǎn)效率不斷提高,成本逐步下降。這將推動SiC功率器件在更多領域的應用。

新型器件結構:研究人員正在探索新的器件結構,如碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT,以進一步提升SiC器件的性能和可靠性。

集成化:隨著集成技術的發(fā)展,碳化硅功率器件將與其他電子元件集成在一起,形成高效、緊湊的電力電子模塊,提升系統(tǒng)的整體性能。

應用領域擴展:隨著技術的成熟,碳化硅功率器件將在更多新興領域得到應用,如高效無線充電系統(tǒng)、超高壓電力輸送和智能電網(wǎng)等。

環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展:碳化硅功率器件的高效能量轉換和低能量損耗,將在環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展方面發(fā)揮重要作用,減少碳排放,促進綠色能源的發(fā)展。

結論

碳化硅功率器件作為一種新型的寬禁帶半導體材料,憑借其高效能量轉換、高開關速度和高溫穩(wěn)定性,在電力電子領域引發(fā)了一場技術革命。它們在電動汽車、可再生能源、工業(yè)電源、航空航天和5G通信等領域的廣泛應用,展示了其巨大的潛力和優(yōu)勢。隨著制造技術的進步和新型器件結構的開發(fā),碳化硅功率器件的應用前景將更加廣闊,必將在未來的電力電子技術中發(fā)揮更加重要的作用,為實現(xiàn)高效、節(jié)能和可持續(xù)發(fā)展的目標做出貢獻。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產(chǎn)品芯片設計、生產(chǎn)與銷售并提供相關產(chǎn)品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設有研發(fā)中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應用解決方案和現(xiàn)場技術支持服務,使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業(yè)內(nèi)領先的研發(fā)團隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設計開發(fā)了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產(chǎn)應用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產(chǎn)品認定。

公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權管理的規(guī)范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:碳化硅功率器件:新時代的電力電子革命

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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