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碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用現(xiàn)狀

國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2023-12-14 09:14 ? 次閱讀

碳化硅功率器件:現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來

一、引言

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點,因此在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對碳化硅功率器件的原理、特點、應(yīng)用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢進行詳細介紹。

二、碳化硅功率器件的原理和特點

碳化硅功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,其工作原理是通過控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能來實現(xiàn)對電流和電壓的控制。碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點,主要表現(xiàn)在以下幾個方面:

高效率:碳化硅材料的電子飽和遷移率較高,使得碳化硅功率器件具有高效率。

高功率密度:與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有更高的功率密度,能夠在短時間內(nèi)為設(shè)備提供大量的能量。

高耐壓:碳化硅功率器件能夠承受較高的電壓,使得其在高壓環(huán)境下具有較好的性能。

高耐流:碳化硅功率器件具有較大的額定電流,能夠滿足大功率應(yīng)用的需求。

三、碳化硅功率器件的應(yīng)用現(xiàn)狀

目前,碳化硅功率器件在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在電動汽車領(lǐng)域,碳化硅功率器件被用于驅(qū)動電機控制器和充電樁等設(shè)備;在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅功率器件被用于風(fēng)力發(fā)電機的電源轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng);在軌道交通領(lǐng)域,碳化硅功率器件被用于牽引電機控制器和輔助電源等設(shè)備。

四、碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

雖然碳化硅功率器件具有許多優(yōu)點,但是在實際應(yīng)用中仍然面臨著一些挑戰(zhàn)。首先,碳化硅功率器件的成本較高,限制了其在一些領(lǐng)域的應(yīng)用。其次,碳化硅功率器件的可靠性需要進一步提高,以滿足長時間運行和高環(huán)境溫度等惡劣條件下的要求。此外,碳化硅功率器件的散熱問題也需要得到更好的解決,以保證其在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

五、碳化硅功率器件的未來發(fā)展趨勢

隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的未來發(fā)展趨勢將主要體現(xiàn)在以下幾個方面:

降低成本:隨著生產(chǎn)工藝的改進和生產(chǎn)規(guī)模的擴大,碳化硅功率器件的成本將逐漸降低,從而促進其在更多領(lǐng)域的應(yīng)用。

提高可靠性:通過改進材料和工藝,提高碳化硅功率器件的可靠性,以滿足惡劣條件下的運行要求。

優(yōu)化散熱設(shè)計:通過優(yōu)化散熱設(shè)計,提高碳化硅功率器件的散熱性能,以保證其在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

拓展應(yīng)用領(lǐng)域:隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒉粩嗤卣?,例如?a target="_blank">智能家居、工業(yè)自動化等領(lǐng)域的應(yīng)用。

六、結(jié)論

碳化硅功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。雖然在實際應(yīng)用中仍然面臨著一些挑戰(zhàn),但是隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的未來發(fā)展趨勢將非常廣闊。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設(shè)計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構(gòu)的新產(chǎn)品認定。

公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計、可靠性設(shè)計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:碳化硅功率器件:現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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