向欣電子

動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-02-10 08:24

  半導(dǎo)體芯片高導(dǎo)熱絕緣低介電氮化硼散熱膜 | 晟鵬技術(shù)

  

  芯片功耗提升,散熱重要性凸顯1，芯片性能提升催生散熱需求，封裝材料市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)AI需求驅(qū)動(dòng)硬件高散熱需求。根據(jù)Canalys預(yù)測(cè)，兼容AI的個(gè)人電腦將從2025年開(kāi)始快速普及，預(yù)計(jì)至2027年約占所有個(gè)人電腦出貨量的60%,AI有望提振消費(fèi)者需求。2023年10月，高通正式發(fā)布驍龍8Gen3處理器，該處理器將會(huì)成為2024年安卓旗艦的標(biāo)配處理器，包含一個(gè)基于

  AI 半導(dǎo)體芯片 散熱

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• 發(fā)布了文章 2025-02-09 15:50

  DeepSeek創(chuàng)始人的60條思考

  

  摘要：在整個(gè)2025年春節(jié)期間，DeepSeek熱度持續(xù)攀升，超預(yù)期的產(chǎn)品體驗(yàn)帶來(lái)了口碑裂變。DeepSeek創(chuàng)始人梁文鋒的公開(kāi)報(bào)道并不多。但在DeepSeek火爆之前，他曾于2023和2024年兩次接受36氪旗下《暗涌》專(zhuān)訪(fǎng)，從這兩篇專(zhuān)訪(fǎng)中，可以清晰看出無(wú)論是在技術(shù)洞見(jiàn)，還是理想主義的思維模式上，梁文鋒許多與眾不同之處。本文匯總了他最核心的60條思考，一定

  AI DeepSeek 人工智能 大模型

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• 發(fā)布了文章 2025-02-09 07:41

  AI時(shí)代 | 未來(lái)淘汰你的不是 AI 而是比你更會(huì)用 AI 的人

  

  **AI（人工智能，ArtificialIntelligence）**是計(jì)算機(jī)科學(xué)的一個(gè)分支，旨在開(kāi)發(fā)能夠模擬人類(lèi)智能行為的系統(tǒng)或機(jī)器。它的核心目標(biāo)是讓機(jī)器具備學(xué)習(xí)、推理、感知、規(guī)劃、決策甚至創(chuàng)造的能力，從而完成通常需要人類(lèi)智能才能完成的任務(wù)。###**AI的常見(jiàn)類(lèi)型**1.**弱人工智能（NarrowAI）**-專(zhuān)注于特定任務(wù)，例如：-**語(yǔ)音助手**（如

  AI 人工智能

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• 發(fā)布了文章 2025-01-24 05:40

  5.8KV耐壓13.6W高導(dǎo)熱系數(shù) | 耐高溫陶瓷涂層

  

  耐高溫絕緣散熱納米涂層材料全球領(lǐng)先技術(shù)工藝耐高溫絕緣散熱納米涂層材料，憑借其獨(dú)特的納米結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。一、主要特性耐高溫性能：能夠在極端高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定，不燃燒、不分解，保持其原有的物理和化學(xué)性質(zhì)。納米涂層材料可耐高達(dá)1000度的高溫，甚至更高。絕緣性能：具有優(yōu)異的電氣絕緣性能，能夠有效防止電流通過(guò)，保護(hù)電路和設(shè)備的安全

  導(dǎo)熱 材料 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-01-23 09:21

  陶瓷的微觀(guān)結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能

  

  本文采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)工藝，在不同燒結(jié)溫度下制備了一系列CaCuTiO?（CCTO）陶瓷樣品，并對(duì)其微觀(guān)結(jié)構(gòu)以及介電和復(fù)阻抗性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。研究結(jié)果表明，這些樣品的微觀(guān)結(jié)構(gòu)可分為三種類(lèi)型。CCTO陶瓷的高介電性與其微觀(guān)結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。在室溫下，樣品的低頻介電常數(shù)隨晶粒尺寸的增大而顯著提高。隨著測(cè)試溫度的升高，不同微觀(guān)結(jié)構(gòu)類(lèi)型的樣品展現(xiàn)出不同的電學(xué)性質(zhì)變化，但

  顯微鏡 測(cè)量 陶瓷

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• 發(fā)布了文章 2025-01-23 08:20

  耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料

  

  IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性及用途特性高輸入阻抗：IGBT的柵極具有高輸入阻抗，類(lèi)似于MOSFET，因此驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單且功耗低。低導(dǎo)通壓降：IGBT的導(dǎo)通壓降低于MOSFET，接近于BJT（雙

  IGBT MOSFET 材料

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• 發(fā)布了文章 2025-01-22 11:22

  nature communications | 未來(lái)智能電池技術(shù)

  

  【研究背景】鋰離子電池（LIB）具有高能量密度和長(zhǎng)壽命，是現(xiàn)代儲(chǔ)能方案中的主流技術(shù)之一。為了滿(mǎn)足對(duì)高性能鋰離子電池的需求，提高其安全性、耐用性和性能已變得至關(guān)重要，這一挑戰(zhàn)需要對(duì)先進(jìn)電池管理系統(tǒng)（BMS）進(jìn)行廣泛研究，包括監(jiān)測(cè)電池健康狀態(tài)（SoH）的方法。SoH用于描述電池單元的老化程度，通過(guò)將其觀(guān)察到的比容量與初始容量進(jìn)行比較而獲得，取決于電池組分（如電解

  lib 智能電池 鋰離子電池

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• 發(fā)布了文章 2025-01-22 08:19

  2025未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新任務(wù) | 清潔氫

  

  據(jù)悉，1月17日，工業(yè)和信息化部辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織開(kāi)展2025年未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新任務(wù)揭榜掛帥工作的通知》（簡(jiǎn)稱(chēng)《通知》）。《通知》顯示，揭榜任務(wù)內(nèi)容面向量子科技、原子級(jí)制造、清潔氫3個(gè)未來(lái)產(chǎn)業(yè)，布局一批核心基礎(chǔ)、重點(diǎn)產(chǎn)品、公共支撐、示范應(yīng)用創(chuàng)新任務(wù)，發(fā)掘培育一批掌握關(guān)鍵核心技術(shù)、具備較強(qiáng)創(chuàng)新能力的優(yōu)勢(shì)單位，突破一批標(biāo)志性技術(shù)產(chǎn)品，加速新技術(shù)、新產(chǎn)品落地應(yīng)用。其

  反應(yīng)器 燃料電池

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• 發(fā)布了文章 2025-01-22 07:20

  凝聚前行攜手共贏 | 耐高溫絕緣氮化硼導(dǎo)熱墊片

  

  電子器件高頻、高速和集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展，電子元器件的總功率密度急劇增加，而物理尺寸卻越來(lái)越小。由此帶來(lái)的高溫環(huán)境不可避免地對(duì)電子元器件的性能產(chǎn)生影響，因此需要更有效的熱控制方法。解決電子元器件散熱問(wèn)題成為當(dāng)前的重點(diǎn)任務(wù)。電子元器件的高效散熱問(wèn)題主要受傳熱學(xué)和流體力學(xué)原理的影響。電氣器件的散熱是控制電子設(shè)備運(yùn)行溫度，從而保證其溫度性能和安全性的過(guò)程。這涉及

  墊片 導(dǎo)熱 氮化硼

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• 發(fā)布了文章 2025-01-21 11:20

  “陶瓷”隔熱涂層材料的開(kāi)發(fā)與特性分析

  

  隨著航空技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步以及對(duì)飛行速度、飛行距離和安全性能等要求的不斷提高，燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)正朝著高推重比、高效率、低油耗和長(zhǎng)壽命的方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)更高的推重比和燃料使用效率，必須提升渦輪前進(jìn)口溫度（turbineinlettemperature,TIT）。較高的TIT對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)的熱端部件提出了更為嚴(yán)苛的性能要求。目前，鎳基單晶高溫合金和陶瓷基復(fù)合材料（cera

  材料 陶瓷

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