動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-13 15:51
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發(fā)布了文章 2025-04-11 12:20
引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的先鋒陶瓷材料
陶瓷材料正經(jīng)歷從傳統(tǒng)制造向智能材料的革命性跨越，其角色已從工業(yè)配套升級(jí)為科技創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力。隨著新能源、人工智能、生物醫(yī)療等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長，陶瓷材料的性能優(yōu)勢(shì)在多維度應(yīng)用場景中持續(xù)釋放，形成跨界融合的產(chǎn)業(yè)新生態(tài)。以下深度解析十類引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的先鋒陶瓷材料及其戰(zhàn)略價(jià)值：01片式多層陶瓷電容器（MLCC）作為現(xiàn)代電子工業(yè)的'細(xì)胞級(jí)'元件，MLCC占據(jù)全 -
發(fā)布了文章 2025-04-09 06:22
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發(fā)布了文章 2025-04-07 06:50
未來產(chǎn)業(yè) | 量子科技核心材料體系
正文量子科技作為下一代信息技術(shù)的核心領(lǐng)域，正推動(dòng)材料科學(xué)進(jìn)入“按需設(shè)計(jì)”的新階段。其涉及的新材料不僅突破了傳統(tǒng)材料的物理極限，更通過量子效應(yīng)重構(gòu)了材料的功能邏輯。以下從技術(shù)路徑、產(chǎn)業(yè)變革和投資機(jī)遇三個(gè)維度展開分析：一、量子科技核心材料體系1.量子計(jì)算材料超導(dǎo)材料：鈮鈦合金（NbTi）、拓?fù)涑瑢?dǎo)體（如SrBiSe單晶體）構(gòu)成量子比特的核心基質(zhì)。國產(chǎn)稀釋制冷機(jī)e -
發(fā)布了文章 2025-04-06 06:34
芯片級(jí)散熱技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)探討
01算力發(fā)展與芯片熱管理隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及、云計(jì)算的擴(kuò)展、以及人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)的廣泛應(yīng)用，全球每年新產(chǎn)生的數(shù)據(jù)總量隨著數(shù)字化的發(fā)展快速增長。根據(jù)IDC和華為GIV團(tuán)隊(duì)預(yù)測，2020年全球每年產(chǎn)生數(shù)據(jù)量約2ZB，2025年可達(dá)到175ZB，2030年將達(dá)到1003ZB，即將進(jìn)入YB（1YottaBytes=1000ZettaBytes）時(shí)代 -
發(fā)布了文章 2025-04-05 08:20
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發(fā)布了文章 2025-03-23 06:34
AI新時(shí)代 | 芯片級(jí)散熱技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
一、算力發(fā)展與芯片熱管理隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及、云計(jì)算的擴(kuò)展、以及人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)的廣泛應(yīng)用，全球每年新產(chǎn)生的數(shù)據(jù)總量隨著數(shù)字化的發(fā)展快速增長。根據(jù)IDC和華為GIV團(tuán)隊(duì)預(yù)測，2020年全球每年產(chǎn)生數(shù)據(jù)量約2ZB，2025年可達(dá)到175ZB，2030年將達(dá)到1003ZB，即將進(jìn)入YB（1YottaBytes=1000ZettaBytes）時(shí)代 -
發(fā)布了文章 2025-03-21 06:31
二維氮化硼散熱膜 | 毫米波通訊透波絕緣散熱材料
5G毫米波通訊技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)：兼顧散熱和信號(hào)傳輸毫米波通信是未來無線移動(dòng)通信重要發(fā)展方向之一，目前已經(jīng)在大規(guī)模天線技術(shù)、低比特量化ADC、低復(fù)雜度信道估計(jì)技術(shù)、功放非線性失真等關(guān)鍵技術(shù)上有了明顯研究進(jìn)展。隨著新一代無線通信對(duì)無線寬帶通信網(wǎng)絡(luò)提出新的長距離、高移動(dòng)、更大傳輸速率的軍用、民用特殊應(yīng)用場景的需求，針對(duì)毫米波無線通信的理論研究與系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨重大挑戰(zhàn)， -
發(fā)布了文章 2025-03-18 13:59
半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)
光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類711瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-14 07:20
半導(dǎo)體芯片集成電路工藝及可靠性概述
半導(dǎo)體芯片集成電路（IC）工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，涉及從硅材料到復(fù)雜電路制造的多個(gè)精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述：1.晶圓制備材料：高純度單晶硅（純度達(dá)99.9999999%），通過直拉法（Czochralski）生長為圓柱形硅錠。切割與拋光：硅錠切割成0.5-1mm厚的晶圓（常見尺寸12英寸/300mm），經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）達(dá)到納米級(jí)平整度。2.氧497瀏覽量
