影響。硅技術(shù)中RCA濕化學(xué)處理的特性基于SC-1和QDR的處理時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率。提出了一種通過(guò)增加濕法清洗化學(xué)過(guò)程的變量來(lái)改進(jìn)晶片表面制備的方法。 介紹 對(duì)SC-1和QDR的加工時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率的影響進(jìn)行了廣泛的研究.這些研究表明,對(duì)顆粒
2021-12-27 10:38:32796 引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對(duì)銅膜的粘附力以及添加劑對(duì)顆粒粘附
2021-12-29 11:00:011082 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-29 14:56:212249 器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合,以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°,這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過(guò)將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過(guò)程相結(jié)合,進(jìn)一步提
2022-04-27 16:55:521316 為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理,研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響,我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下,蝕刻殘留物形成良好,這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:501012 摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而,粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度,并隨著溶液pH值的增加而降低,在使用折痕。還研究了各種溶液
2022-06-01 14:57:576891 大家好,我的主板上設(shè)計(jì)的是1.5V,之前焊接的也是1.5V的DDR顆粒,現(xiàn)在要是不動(dòng)主板直接把DDR顆粒換成1.35V的,可有什么潛在的問(wèn)題,這1.35V的DDR我看手冊(cè)也是支持DDR3L的,都是
2018-06-21 01:27:24
38粒LED節(jié)能燈電路使用220V電源供電,220V交流電經(jīng)C1降壓電容降壓后經(jīng)全橋整流再通過(guò)C2濾波后經(jīng)限流電阻R3給串聯(lián)的38顆LED提供恒流電源,下圖中R1是保護(hù)電阻,R2是電容C1的卸放電阻,R3是限流電阻防止電壓升高和溫度升高LED的電流增大C2是濾波電容。
2021-04-23 07:21:03
可達(dá)2.0GB/s。 使用8個(gè)DDR2顆粒,總存儲(chǔ)容量達(dá)到1GB。4個(gè)DDR2顆粒組成一個(gè)32位512MB乒緩存,另4個(gè)DDR2顆粒組成一個(gè)32位512MB乓緩存,當(dāng)不作乒乓使用時(shí),合成1個(gè)64位
2014-06-06 16:48:25
原理的基礎(chǔ)上,對(duì)后驅(qū)動(dòng)環(huán)境下的退化機(jī)理作深入研究。以退化加速因子為主要分析指標(biāo),針對(duì)每一種退化機(jī)理(除引線鍵合熔化)推導(dǎo)出其加速因子模型,并以兩種常見(jiàn)的雙極型CMOS電路為對(duì)象進(jìn)行退化加速評(píng)估,得出
2010-04-22 11:29:19
AL-CU互連導(dǎo)線側(cè)壁孔洞形成機(jī)理及改進(jìn)方法側(cè)壁孔洞缺陷是當(dāng)前Al?Cu 金屬互連導(dǎo)線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會(huì)導(dǎo)致電遷移,從而降低器件的可靠性。缺陷的產(chǎn)生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
失效模式及機(jī)理進(jìn)行研究和討論,并簡(jiǎn)略介紹其他失效模式。 1 芯片碎裂引起的失效 由于IC卡使用薄/超薄芯片,芯片碎裂是導(dǎo)致其失效的主要原因,約占失效總數(shù)的一半以上,主要表現(xiàn)為IC卡數(shù)據(jù)寫入錯(cuò)、亂碼、全
2018-11-05 15:57:30
`對(duì)于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來(lái)看,光輸出功率以及電性能隨著時(shí)間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求,研究失效機(jī)理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對(duì)負(fù)電極脫落開(kāi)展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
圖像處理的形態(tài)學(xué)是處理二值圖,下面程序首先對(duì)圖像進(jìn)行二值化處理,然后使用形態(tài)學(xué)函數(shù)的IMAQ RemoveParticle進(jìn)行圖像去除部分顆粒,端子Number of Erosion可以控制移除
2015-08-12 21:00:09
描述TIDA-00378 TI 參考設(shè)計(jì)提供模擬前端解決方案來(lái)測(cè)量 PM2.5 和 PM10 顆粒物。此設(shè)計(jì)檢測(cè)由空氣中的懸浮顆粒散射的光。此設(shè)計(jì)中通過(guò)軟件算法示例將模擬輸出轉(zhuǎn)換為顆粒大小和濃度測(cè)量
2018-11-05 16:35:13
有時(shí)候,SH(SPM)后,會(huì)引入較多顆粒,一般在后面的FSI清洗中可以去除95%,但有的時(shí)候SH去膠后引入的顆粒,用FSI清洗無(wú)法去除,不知為何?有哪位同仁知道的請(qǐng)指點(diǎn)。
2011-04-14 10:44:26
有時(shí)候,SH(SPM)后,會(huì)引入較多顆粒,一般在后面的FSI清洗中可以去除95%,但有的時(shí)候SH去膠后引入的顆粒,用FSI清洗無(wú)法去除,不知為何?有哪位同仁知道的請(qǐng)指點(diǎn)。
2011-04-14 14:37:09
64D--85D. 進(jìn)口.國(guó)內(nèi)TPU塑膠原料. 透明再生顆粒.路博潤(rùn).德國(guó)巴斯夫. 美國(guó)陶氏. 亨斯邁聚氨酯. TPU副牌顆粒.再生抽粒. 可以按客戶要求. TPU 改性塑膠原料顆粒. 進(jìn)口TPU粒子
2021-11-21 17:33:06
高硬度64D--85D. 進(jìn)口.國(guó)內(nèi)TPU塑膠原料. 透明再生顆粒.路博潤(rùn).德國(guó)巴斯夫. 美國(guó)陶氏. 亨斯邁聚氨酯. TPU副牌顆粒.再生抽粒. 可以按客戶要求. TPU 改性塑膠原料顆粒. 進(jìn)口TPU
2021-11-21 17:21:25
我想采購(gòu)intel的flash或者東芝的flash顆粒,誰(shuí)能告知相關(guān)的聯(lián)系啊!非常感謝
2017-02-24 11:46:51
也相對(duì)緊密,運(yùn)動(dòng)氣流不能將其解體,炭的燃燒可充分利用?! z測(cè)生物質(zhì)顆粒燃料需要哪些設(shè)備? 1、萬(wàn)分之一分析天平一臺(tái)。用于稱重 2、鼓風(fēng)干燥箱一臺(tái)。用于檢測(cè)粒燃料熱值的水分。 3、粉碎機(jī):一臺(tái)
2019-09-07 09:15:40
申請(qǐng)理由:希望通過(guò)該產(chǎn)品的學(xué)習(xí)提高自身的知識(shí)儲(chǔ)備,并將其應(yīng)用于該項(xiàng)目及以后的工作中。項(xiàng)目描述:油液磨粒在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng),利用電渦流傳感器檢測(cè)金屬粒子,金屬離子在油液中的濃度越高顆粒越大,檢測(cè)信號(hào)幅值越大。該項(xiàng)目志在應(yīng)用于汽車行業(yè),實(shí)時(shí)將信號(hào)傳回車主的手機(jī),提醒車主該更換機(jī)油了。
2015-07-17 18:47:00
三防漆固化后的線路板還有可能會(huì)返修,這就需要把漆膜去除掉,然后才能更換元件。這里敏通給大家列舉幾種比較常見(jiàn)的去除方法。一,加熱法,不到萬(wàn)不得已不建議采用此方法。加熱法的具體操作是,一般采用
2017-05-28 10:44:47
顆粒活性炭濾芯以優(yōu)質(zhì)的果殼炭及煤質(zhì)活性炭為原料,輔以食用級(jí)粘合劑,采用高科技技術(shù),經(jīng)特殊工藝加工而成,它集吸附、過(guò)濾、截獲、催化作用于一體,能有效去除水中的有機(jī)物、余氯及其他放射性物質(zhì),并有脫色
2015-04-30 14:26:45
氣態(tài)污染物,最后一項(xiàng)顆粒物更是加重霧霾天氣污染的罪魁禍?zhǔn)?,?b class="flag-6" style="color: red">顆粒物的英文縮寫為PM,PM2.5顆粒物是指空氣動(dòng)力學(xué)直徑小于2.5微米的細(xì)小顆粒,又被稱為可入肺顆粒物或是細(xì)顆粒物。PM2.5顆粒物可以
2014-04-18 08:33:22
現(xiàn)在我在做一項(xiàng)關(guān)于PM2.5的創(chuàng)新項(xiàng)目,剛開(kāi)始就遇到一點(diǎn)難題,就是關(guān)于微小顆粒量的測(cè)量方法方面不太懂,不知道用什么方法測(cè)量已經(jīng)獲得的PM2.5顆粒的量,真心希望有想法的前輩指點(diǎn)指點(diǎn),謝過(guò)了。(聯(lián)系方式:手機(jī)*** 郵箱lihui10a@gmail.com)
2012-05-31 00:56:11
回收東芝顆粒,大量收購(gòu)東芝顆粒,深圳帝歐電子長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)東芝顆粒,專業(yè)回收東芝顆粒,有貨來(lái)電,價(jià)格絕對(duì)讓您滿意!趙生:***QQ1816233102/879821252/1714434248郵箱
2020-11-03 16:25:13
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2020-12-16 17:31:39
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2021-01-11 18:16:12
在從MA35D1把SPP筆從MA35D1中去除后,NAND沒(méi)有啟動(dòng)。
2023-09-06 07:15:22
?! ?)用戶自定義IO支持標(biāo)準(zhǔn)LVDS接口或單端接口?! ?)支持PCIE×8 Gen1,傳輸速度可達(dá)2.0GB/s?! ∈褂?個(gè)DDR2顆粒,總存儲(chǔ)容量達(dá)到1GB。4個(gè)DDR2顆粒組成一個(gè)32位
2012-06-18 11:40:51
協(xié)議或工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議?! ?)用戶自定義IO支持標(biāo)準(zhǔn)LVDS接口或單端接口。 3)支持PCIE×8 Gen1,傳輸速度可達(dá)2.0GB/s?! ∈褂?個(gè)DDR2顆粒,總存儲(chǔ)容量達(dá)到1GB。4個(gè)
2012-07-06 16:14:47
基于單片機(jī)環(huán)境監(jiān)測(cè)溫濕度PM2.5系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)時(shí)檢測(cè)環(huán)境中的溫濕度值,并檢測(cè)控制的PM2.5顆粒,同時(shí)可以設(shè)定報(bào)警范圍值,也可以通過(guò)led燈指示當(dāng)前的控制各參數(shù)的狀態(tài)。復(fù)制這段內(nèi)容后打開(kāi)百度網(wǎng)盤手機(jī)
2021-11-19 08:38:42
二進(jìn)制輸出。最好能給我仿真結(jié)果本人窮學(xué)生一個(gè) ,報(bào)酬不是很高,支付寶只有150RMB,謝謝各位論壇大神了使用Verilog語(yǔ)言設(shè)計(jì)顆粒物體灌裝系統(tǒng)完整的控制邏輯,灌裝顆粒數(shù)100粒以下(含100粒),程序
2015-05-25 23:00:55
室內(nèi)顆粒物的來(lái)源、健康效應(yīng)及分布運(yùn)動(dòng)研究進(jìn)展摘要:室內(nèi)的顆粒物質(zhì)與室內(nèi)空氣1~(indoor air quality,IAQ)有著密切關(guān)系。顆粒物質(zhì)可能給人體健康或者其他設(shè)備和物品帶來(lái)危害。該文回顧
2010-03-18 22:22:30
最近小弟遇到一項(xiàng)頭疼的項(xiàng)目,需要測(cè)出某一粒徑顆粒的濃度,精度要求挺高的,希望這方面有些想法的前輩能夠支援一下,在下不勝感激
2012-08-05 16:03:20
2023年2月27日,中國(guó)上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司,正式推出業(yè)界首顆5MP DSI-2技術(shù)全性能升級(jí)Pro系列安防應(yīng)用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級(jí)的清晰畫質(zhì),既是
2023-02-28 09:24:04
接上一篇...5.GDDR6技術(shù)細(xì)節(jié)以及Clamshell模式GDDR6它是采用16n Prefetch結(jié)構(gòu),一次寫操作或者讀操作的數(shù)據(jù)是16n。每個(gè)GDDR6顆粒有兩個(gè)獨(dú)立的通道,每個(gè)獨(dú)立的通道
2021-12-22 08:00:00
柴油機(jī)預(yù)混合燃燒機(jī)理的研究柴油機(jī)預(yù)混合壓縮燃燒是控制其排放的有效措施,因而引起國(guó)內(nèi)外研究的重視。本論文結(jié)合CA498柴油機(jī)設(shè)計(jì)了基于文丘里管方式的增壓發(fā)動(dòng)機(jī)EGR系統(tǒng)和模擬EGR系統(tǒng),在此基礎(chǔ)上在
2009-04-16 14:43:24
,生物質(zhì)顆粒大卡化驗(yàn)機(jī)器,化驗(yàn)生物質(zhì)燃料熱量的機(jī)器,檢驗(yàn)樹皮樹枝棗木顆粒熱值的設(shè)備生物質(zhì)熱量?jī)x詳詢:138.0392.17691、稱好試樣(生物質(zhì)質(zhì)量一般為1±0.1g),將試樣裝入坩堝,將坩堝裝入氧
2021-01-13 15:40:43
對(duì)于短溝道MOSFET中散粒噪聲的測(cè)試,主要影響因素有哪些?低溫散粒噪聲測(cè)試系統(tǒng)是由哪些部分組成的?低溫散粒噪聲測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試方案是什么?
2021-04-15 06:59:46
。對(duì)煤中的水分(煤中原有的水和氫燃燒生成的水)的氣化熱進(jìn)行校正后求得煤的低位發(fā)熱量。DCLRY-4顆粒專用量熱儀/熱值儀技術(shù)特點(diǎn):1.采用最新恒溫式技術(shù),芯片程序,采用面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì),模塊化管理芯片
2018-07-29 09:37:16
一臺(tái)。檢測(cè)木屑顆的熱值大數(shù)。【可連接電腦】?! ∩镔|(zhì)顆粒燃料灰分、揮發(fā)分測(cè)試儀:用于檢測(cè)化驗(yàn)顆粒燃料的灰分和揮發(fā)分?jǐn)?shù)據(jù)?! ∩镔|(zhì)燃料含硫量測(cè)定儀, 測(cè)量精度高,分析速度快,具有較高
2021-12-08 18:01:21
描述TIDA-00378 提供用于測(cè)量 PM2.5 和 PM10 顆粒物的模擬前端。該參考設(shè)計(jì)可檢測(cè)由空氣中的懸浮顆粒散射的光。提供的示例軟件算法可將設(shè)計(jì)的模擬輸出轉(zhuǎn)換為顆粒大小和濃度測(cè)量結(jié)果。隨
2022-09-20 06:19:40
合成射流激勵(lì)器的頻率和電壓特性(附圖3)。完成合成射流激勵(lì)器標(biāo)定后,使用高速相機(jī)和雙脈沖激光器進(jìn)行粒子圖像測(cè)速(PIV)實(shí)驗(yàn)獲得流場(chǎng)數(shù)據(jù),以研究合成射流高效摻混機(jī)理。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:合成射流激勵(lì)器在
2024-03-08 17:47:25
用來(lái)化驗(yàn)顆粒燃料發(fā)熱量的顆粒燃料專用量熱儀已經(jīng)問(wèn)世,DCLRY-9000顆粒燃料專用量熱儀設(shè)計(jì)原理完全符合顆粒燃料高發(fā)熱量,低灰分、低含硫量的特點(diǎn),穩(wěn)定性更高,精確度也有了質(zhì)的飛躍,可以實(shí)現(xiàn)零誤差!二
2018-11-03 18:01:42
金屬纖維氈用于鍋爐煙氣高溫除塵的研究分析了金屬纖維氈用于鍋爐煙氣高溫除塵的可行性,對(duì)金屬纖維氈的除塵性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試。金屬纖維氈能夠滿足燃煤鍋爐煙氣的除塵要求,特別是對(duì)小顆粒粉塵有很好的去除作用。關(guān)鍵詞: 除塵; 高溫除塵過(guò)濾; 金屬纖維氈; 纖維過(guò)濾[hide][/hide]
2010-04-02 10:02:04
利用射頻共濺射方法制備了一系列不同金屬含量x的Fex(SiO2)(1−x)金屬−絕緣體顆粒膜,系統(tǒng)地研究了薄膜的霍爾效應(yīng)及其產(chǎn)生機(jī)理。在室溫和1.3 T的磁場(chǎng)下,當(dāng)體積分?jǐn)?shù)為0.52
2008-12-03 13:10:259 采用體聲波傳感器(BAW ) 系統(tǒng)研究了22巰基苯駢噻唑(MBT ) 在酸性、中性和堿性介質(zhì)中的緩蝕行為, 并提出了相應(yīng)的緩蝕機(jī)理。關(guān)鍵詞: 體聲波傳感器; 22硫基苯駢噻唑; 緩蝕機(jī)理A
2009-07-15 08:33:517 碳基雙電層電容器的結(jié)構(gòu)機(jī)理及研究進(jìn)展
摘要活性炭基雙電層電容器是一種新型電化學(xué)能量?jī)?chǔ)存裝置,其儲(chǔ)電機(jī)理是利用電極材料比較大的比表面積在電極和電
2009-11-16 14:35:0813 粗粒土顆粒滲透系數(shù)計(jì)算模型的研究摘要: 滲透系數(shù)是滲流分析中最基本的也是非常重要的計(jì)算參數(shù), 研究粗粒土顆粒滲流系數(shù)計(jì)算模型為工程設(shè)計(jì)提供相對(duì)準(zhǔn)確可
2010-04-28 11:48:2315
SC-1型超聲波加濕器電路圖
2009-02-28 00:21:033350 腦電信號(hào)偽跡去除的研究進(jìn)展腦電信號(hào)偽跡去除的研究進(jìn)展
2016-01-15 16:15:390 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 免疫機(jī)理的圖像去噪方法研究_劉歡
2017-01-03 15:24:450 中頻電源間諧波發(fā)射特性機(jī)理研究_朱明星
2017-01-08 11:20:200 磁致伸縮液位傳感器機(jī)理研究_任波
2017-03-21 20:01:594 為解決氣液固三相磨粒流拋光加T巾氣泡破裂對(duì)SiC顆粒運(yùn)動(dòng)的可控性研究等問(wèn)題,研究了氣液固三相流巾近壁面微納米氣泡破裂對(duì)周圍流場(chǎng)和顆粒的影響,采用Fluent軟件巾多相流體體積模型與可實(shí)現(xiàn)k-s湍流
2018-02-28 14:11:350 針對(duì)機(jī)械構(gòu)件主系的封閉空間巾填充微小顆粒,進(jìn)行振動(dòng)抑制問(wèn)題,對(duì)填充顆粒的尺寸、數(shù)量以及材料特性因素對(duì)振動(dòng)抑制效果的影響開(kāi)展了研究。通過(guò)采用離散單元法( discrete element method
2018-03-10 09:56:201 新概念Cart SC-1是一款概念車,融合了索尼研發(fā)的人工智能(AI)和機(jī)器人技術(shù)。
2019-03-31 10:07:433868 我們都知道發(fā)動(dòng)機(jī)顆粒物排放的形貌、結(jié)構(gòu)取決于顆粒物的生成條件,對(duì)他們特性的研究有助于了解不同條件下顆粒物的生成機(jī)理,同時(shí),柴油車發(fā)動(dòng)機(jī)顆粒物的形貌、結(jié)構(gòu)特征的微觀特征又決定了顆粒物的氧化特性,氧化
2020-07-13 14:53:391378 大型餐廳洗碗機(jī)酒店洗碗機(jī)優(yōu)質(zhì)洗碗機(jī)主要用動(dòng)力在主洗泵和漂洗泵,這類型的洗碗機(jī)電機(jī)主要應(yīng)用到單相交流電機(jī)不同尺寸。 洗碗機(jī)清洗主洗泵,功率強(qiáng)大,高效旋轉(zhuǎn)式洗滌和漂洗臂,洗碗機(jī)電機(jī)應(yīng)用到單相
2020-11-30 09:42:204699 電池容量衰減的機(jī)理已被廣泛研究和報(bào)道過(guò)。電池容量衰減的影響因素主要有:主要因素是電極表面副反應(yīng)引起的可循環(huán)鋰量的減少;次要因素是活性物質(zhì)的減少(如金屬的溶出、結(jié)構(gòu)的破壞、材料的相變等);電池阻抗的增加。而負(fù)極與上述衰減機(jī)理中的許多影響因素均有關(guān)系。
2021-03-04 16:52:221716 它們已經(jīng)成為當(dāng)今晶片清潔應(yīng)用的主要工具之一。 本文重點(diǎn)研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理并研究了從氮化物基質(zhì)中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后,檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30449 器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合,以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°,這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過(guò)將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過(guò)程相結(jié)合,進(jìn)一步提
2022-01-26 16:02:02321 本文討論了稀氫氟酸清洗過(guò)程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明,硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過(guò)改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271443 納米。另一方面,在2008年發(fā)表的報(bào)告中,對(duì)于32納米高壓線和空間圖案,EUV掩模上吸收體缺陷的臨界缺陷尺寸被描述為大約24納米,這意味著必須去除具有相同尺寸的顆粒。在如此嚴(yán)格的缺陷要求下,清潔工
2022-02-17 14:59:271349 研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒,然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效,但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于
2022-02-23 13:26:322010 摘要 隨著 ULSI 設(shè)備越來(lái)越小型化,對(duì)產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響的顆粒直徑一直在縮小。最近,直徑為 0.1 或更小的超細(xì)顆粒變得很重要。預(yù)計(jì)這種類型的超細(xì)顆粒難以去除。本研究建立了一種評(píng)估超細(xì)顆粒去除效率
2022-03-03 14:17:36376 本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)。納米粒子首先通過(guò)可控污染工藝沉積在硅晶片上。對(duì)于新沉積和老化的顆粒,研究了作為兆頻超聲波功率的函數(shù)的顆粒去除效率。通過(guò)改變處理?xiàng)l件和漂洗
2022-03-07 15:26:56541 應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見(jiàn)的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看,這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:481023 面朝下按壓時(shí),繞軸旋轉(zhuǎn)以及對(duì)著旋轉(zhuǎn)拋光墊覆蓋的載體膜。具有特定化學(xué)性質(zhì)的硅溶膠泥漿(圖1)。例如,由50 - 70納米組成的磨料漿 熔融石英在水溶液中,濃度在8.5-11之間,在材料種去除機(jī)理中起著重要作用。
2022-03-23 14:17:511643 本研究在實(shí)際單位工藝中容易誤染,用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì),為了提高效率,只進(jìn)行了HF濕式清洗,考察了對(duì)表面粗糙度的影響,為了知道上面提出的清洗的效果,測(cè)量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271760 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:01:252376 介紹 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:02:502376 對(duì)于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過(guò)氧化氫混合物)發(fā)揮主要作用。不幸的是,SC-1 (APM) 對(duì)表
2022-03-30 14:29:42311 為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機(jī)理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5mm)沉積
2022-04-06 16:53:501046 過(guò)程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過(guò)程,甚至來(lái)自圖案晶片,具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制,最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過(guò)計(jì)算施加給細(xì)顆粒的
2022-04-08 17:22:531231 能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過(guò)程,甚至來(lái)自圖案晶片,具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制,最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520 為目的的鹽酸-過(guò)氧化氫溶液組成的SC―2洗滌相結(jié)合的洗滌技術(shù)。SC-1洗滌的機(jī)理說(shuō)明如下。首先,用過(guò)氧化氫氧化硅晶片的表面,用作為堿的氨蝕刻氧化硅,并通過(guò)剝離去除各種顆粒。另一方面,在SC-2清洗中,許多
2022-04-21 12:26:571552 本研究利用臭氧去離子水(DIO3)開(kāi)發(fā)了擁有低成本的新型清洗工藝(氧化亞鈷),臭氧濃度為40ppm,用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒,僅經(jīng)過(guò)商業(yè)除蠟處理后,蠟渣仍超過(guò)200A。 DIO3代替脫蠟劑在8000a
2022-05-05 16:38:33834 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-05-07 15:48:381575 器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合,以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°,這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過(guò)將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過(guò)程相結(jié)合,進(jìn)一步提
2022-05-07 15:49:26920 本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過(guò)程中使用兆聲波來(lái)增強(qiáng)顆粒去除,在SC1清洗過(guò)程中,兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補(bǔ)償作用,H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物,這種氧化物的形成受到氧化性物質(zhì)擴(kuò)散的限制
2022-05-18 17:12:59575 ./oschina_soft/piranha.zip
2022-06-21 10:29:171 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了不同因素對(duì)成鏈的影響。探索了一種新的流場(chǎng)顯示方法,利用磁性納米
2022-06-21 15:14:25995 用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái),與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展,并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了不同因素對(duì)成鏈的影響。探索了一種新的流場(chǎng)顯示方法,利用磁性納米
2022-11-02 16:17:10364 摘 要:隨著低碳經(jīng)濟(jì)的快速推進(jìn),人造石墨技術(shù)得到飛速的發(fā)展。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)人造石墨的包覆、石墨化、電化學(xué)及儲(chǔ)鋰機(jī)理進(jìn)行了大量的研究,取得了豐碩的成果,但對(duì)粒度大小對(duì)電化學(xué)及儲(chǔ)鋰特性的影響研究較少。針對(duì)
2023-04-23 14:31:001507 清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性
基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403862 集成設(shè)備制造的縮小圖案要求濕化學(xué)加工的表面清潔度和表面光滑度,特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA清潔(SC-1和SC-2)。本文討論了表面制備參數(shù)的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407 實(shí)驗(yàn)名稱: 功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2023-05-08 11:35:01265 實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2022-12-12 09:40:29331
評(píng)論
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