北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶亦精微”）成功通過科創(chuàng)板首次公開募股（IPO）審核，這標(biāo)志著這家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司將迎來新的發(fā)展機(jī)遇。晶亦精微主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及相關(guān)的技術(shù)服務(wù)，為集成電路制造商提供關(guān)鍵設(shè)備支持。
2024-03-06 14:37:49
249 上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶亦精微”）的首次公開募股（IPO）已經(jīng)成功過會(huì)，未來該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司，主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“晶亦精微”）科創(chuàng)板IPO順利過會(huì)，即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專注于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，特別是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件
2024-02-20 09:34:15171 CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微傳來科創(chuàng)板IPO的新動(dòng)態(tài)，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。晶亦精微作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，專注于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36431 
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動(dòng)強(qiáng)度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險(xiǎn)和無法滿足高質(zhì)量要求等痛點(diǎn)。因此，應(yīng)用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174 
宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機(jī)械臂，通過類人類觸覺、力位控制策略與直觀易用的打磨app，實(shí)現(xiàn)均勻一致的打磨效果，打破“被動(dòng)柔順”方案的不可控性與精度限制，使表面精加工技術(shù)效率和精度大幅提升
2024-01-03 13:36:22145 
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409 12月27日消息，根據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強(qiáng) ESG（環(huán)境、社會(huì)、治理）管理。
2023-12-27 13:48:50231 
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335 
HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學(xué)品，但是它們并不能用顯影液除去，根據(jù)是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？
2023-12-22 10:29:55414 
磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來說是十分重要的。
2023-12-21 09:44:26491 
在北京亦莊項(xiàng)目建設(shè)方面，華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)實(shí)行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，用于公司開展化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、建設(shè)周期預(yù)計(jì)26個(gè)月。
2023-12-07 16:30:58462 半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過程是晶圓清洗，這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程，否則可能會(huì)損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19416 
AD9781采用FPGA作為驅(qū)動(dòng)，采用200MHz時(shí)鐘，F(xiàn)PGA數(shù)字信號(hào)給DAC輸出3MHz正弦波，但DAC輸出信號(hào)上疊加有時(shí)鐘二次諧波信號(hào)（400MHz），請(qǐng)問要如何去除DAC輸出信號(hào)上疊加的時(shí)鐘諧波信號(hào)？
2023-12-01 06:26:32
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減?。ňA減薄）才能裝進(jìn)特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡(jiǎn)稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因?yàn)閱渭兊奈锢硌心?huì)引入顯著的機(jī)械損傷，如劃痕和位錯(cuò)，且無法達(dá)到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
死銅呢? 有人說應(yīng)該除去，原因大概是： 1、會(huì)造成EMI問題。 2、增強(qiáng)抗干擾能力。 3、死銅沒什么用。 有人說應(yīng)該保留，原因大概是： 1、去了有時(shí)大片空白不好看。 2、增加板子機(jī)械性能，避免出現(xiàn)受力不均彎曲的現(xiàn)象。 PCB設(shè)計(jì)去除死銅的必要性： 一、我們不要死銅
2023-11-29 09:06:24432 
Python是一個(gè)強(qiáng)大的編程語(yǔ)言，提供了許多解決問題的方法和功能。其中一個(gè)常見的問題是如何去除列表中的重復(fù)數(shù)據(jù)。在本文中，我們將詳細(xì)介紹Python中去除列表中重復(fù)數(shù)據(jù)的幾種方法，包括使用循環(huán)
2023-11-21 15:49:14271 據(jù)鼎龍控股集團(tuán)消息，鼎龍（仙桃）半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地218畝，建筑面積11.5萬平方米，項(xiàng)目總投資約10億元人民幣。經(jīng)過15個(gè)月的建設(shè)，同時(shí)進(jìn)入千噸級(jí)半導(dǎo)體oled面板光刻膠（pspi）、萬噸級(jí)cmp拋光液（slurry）和萬噸級(jí)cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694 去除PCBA板工藝邊的方法大致可以分為三大類：V-cut分板機(jī)、銑割分板機(jī)和手動(dòng)去工藝邊。如單純以品質(zhì)觀點(diǎn)來看，銑割分板機(jī)（又稱銑刀式分板機(jī)，曲線分板機(jī)）效果，克服了V-cut分板機(jī)只能直線分割的局限性，主要利用銑刀高速運(yùn)轉(zhuǎn)將多連片PCBA按預(yù)先編程路徑分割開來的設(shè)備
2023-11-16 17:21:44172 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過程中，晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212 近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測(cè)試模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是靜電放電的縮寫，指的是靜電在兩個(gè)物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設(shè)備和電子元件面臨的主要故障來源
2023-11-07 10:21:47384 如何使用AT32F415比較器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
在PCB設(shè)計(jì)中，是否應(yīng)該去除死銅（孤島）呢？ 在PCB（Printed Circuit Board）設(shè)計(jì)中，死銅（也稱之為孤島）是指沒有用于任何電氣連接的銅。孤島的存在并不影響電路的功能，但是可能會(huì)
2023-10-31 14:43:30928 AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比較器(CMP)。AT32F421系列內(nèi)置一個(gè)超低功耗比較器CMP，它可用作獨(dú)立器件（I/O上提供了全部接口），也可以與定時(shí)器結(jié)合使用。
2023-10-24 08:07:14
這篇應(yīng)用筆記描述了怎么使用AT32F415xx的比較器(CMP)。AT32F415系列內(nèi)置兩個(gè)超低功耗比較器CMP1和CMP2，可以用于多種功能，包括：外部模擬信號(hào)的監(jiān)測(cè)控制及從低功耗模式喚醒，與內(nèi)置定時(shí)器結(jié)合使用，進(jìn)行脈沖寬度測(cè)量和PWM信號(hào)控制等。
2023-10-24 07:38:06
科瑞特DMC600系列是一款多功能的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，主要應(yīng)用于焊接、拋光、機(jī)械手等設(shè)備。實(shí)現(xiàn)多軸聯(lián)動(dòng)，多種插補(bǔ)，如：直線、圓弧、拋物線、螺旋線插補(bǔ)等。下面以3軸拋光示教系統(tǒng)為例，舉例工件加工的編輯方法
2023-10-23 08:07:55379 
重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲(chǔ)存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個(gè)過程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵
2023-10-16 15:34:34258 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-22 09:13:04
服務(wù)內(nèi)容廣電計(jì)量是國(guó)內(nèi)鹽霧試驗(yàn)?zāi)芰^完善的權(quán)威檢測(cè)認(rèn)證服務(wù)機(jī)構(gòu)之一，為您提供專業(yè)的耐化學(xué)試劑試驗(yàn)和產(chǎn)品評(píng)價(jià)。服務(wù)范圍本商品可提供針對(duì)汽車零部件、電動(dòng)工具、家用電器、信息技術(shù)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電源設(shè)備
2023-09-21 16:55:57
兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:04
0 兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同時(shí)滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03
得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮，世界cmp拋光液市場(chǎng)正在經(jīng)歷明顯的增長(zhǎng)。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分，在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體的格局不斷重新形成，對(duì)cmp拋光液的需求從來沒有這么高過。
2023-09-14 10:28:36664 功能，內(nèi)置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運(yùn)放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時(shí)器、12位ADC、Touchkey等豐富外設(shè)資源。 CH32X035系列提供最多2個(gè)可獨(dú)立配置
2023-09-11 16:20:44
、USB PD及Type-C快充功能，內(nèi)置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運(yùn)放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時(shí)器、12位ADC、Touchkey等豐富外設(shè)資源
2023-09-02 14:45:14
5nm制造工藝是什么呢？首先，我們需要了解一下納米級(jí)別的定義。納米級(jí)別是指長(zhǎng)度范圍在1到100納米之間的物質(zhì)，也就是說，它們比人類頭發(fā)的直徑還要小100倍。由于這種尺寸在物理和化學(xué)上具有獨(dú)特的特性，因此在信息技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)和能源等領(lǐng)
2023-08-30 17:49:5717365 濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 新的晶圓工藝工具包括高溫外延生長(zhǎng)（>1,500°C）、熱離子注入、快速熱處理（RTP）和更快的脈沖原子層沉積。用于SiC 材料的晶圓研磨、CMP、拋光墊和漿料也在發(fā)生重大改進(jìn)，包括剝離劑和清潔化學(xué)品在內(nèi)的新材料可滿足設(shè)備和可持續(xù)性需求。
2023-08-28 15:21:35375 
近日，為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)上產(chǎn)業(yè)化CMP建模工具的空白，滿足芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓制造廠的需求，廣立微正式推出CMP EXPLORER（簡(jiǎn)稱“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解決行業(yè)的痛點(diǎn)。
2023-08-28 15:13:34790 
光學(xué)加工是一個(gè)非常復(fù)雜的過程。難以通過單一加工方法加工滿足各種加工質(zhì)量指標(biāo)要求的光學(xué)元件。平面拋光機(jī)的基礎(chǔ)是加工材料的微去除。實(shí)現(xiàn)這種微去除的方法包括研磨加工、微粉顆粒拋光和納米材料拋光。根據(jù)
2023-08-28 08:08:59355 首先我們了解一下歐姆龍CMP指令，CMP指令是一種用于比較兩個(gè)數(shù)值的指令，常用于控制系統(tǒng)中的邏輯判斷和決策。該指令可以比較兩個(gè)16位的數(shù)據(jù)，如果它們相等，則將零標(biāo)志位設(shè)置為1，否則將其清零。
2023-08-23 11:12:592434 
以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價(jià)值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，其品質(zhì)直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
本文通過對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 據(jù)漢思化學(xué)了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動(dòng)電子產(chǎn)品的性能不斷得到擴(kuò)展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當(dāng)今的消費(fèi)類產(chǎn)品中獲得了日益廣泛的應(yīng)用。為了使封裝獲得更高的機(jī)械可靠性，需要對(duì)多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45544 
據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng)，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 電化學(xué)拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微，半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。
2023-07-14 11:01:15460 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 17:25:01626 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 01:04:001336 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
據(jù)通州區(qū)馬駒橋鎮(zhèn)政府消息，華海清科集成電路尖端設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目位于馬聚橋鎮(zhèn)智能制造基地，主要涉及化學(xué)機(jī)械光處理（cmp）設(shè)備，減薄機(jī)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。如果該項(xiàng)目得以實(shí)現(xiàn)，將具備28納米以下尖端工程的cmp設(shè)備研究開發(fā)能力和每月加工20萬個(gè)12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711 CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電，具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15
CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電，具體取決于
2023-06-28 17:19:58
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同，可將失效機(jī)理劃分為電應(yīng)力失效機(jī)理、溫度-機(jī)械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603 
集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26715 外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-20 10:51:43335 
電拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝，它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點(diǎn)呢，今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解，希望幫助大家在選購(gòu)適合自己工廠真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44569 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
北方某客戶在CMP設(shè)備使用了哈默納科執(zhí)行器SHA、RSF、HMA和FHA系列產(chǎn)品，滿足了客戶對(duì)于提高控制精度，高速定位，緊湊安裝空間的需求。
2023-06-14 09:48:39327 
機(jī)械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠流水線上常見的工序，可以有效的提升生產(chǎn)效率，本文針對(duì)機(jī)械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見任務(wù)，結(jié)合深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及視覺反饋，采用AprilTag視覺標(biāo)簽、后視經(jīng)驗(yàn)回放機(jī)制
2023-06-12 11:25:221214 
。常將金鍍?cè)趦?nèi)層鍍層為鎳的板邊連接器突出觸頭上，金手指或板邊突出部分采用手工或自動(dòng)電鍍技術(shù)，目前接觸插頭或金手指上的鍍金已被鍍姥、鍍鉛、鍍鈕所代替。其工藝如下所述:
1)剝除涂層去除突出觸點(diǎn)上的錫或錫
2023-06-12 10:18:18
在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進(jìn)行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653 
在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動(dòng)，我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機(jī)械、物理和化學(xué)性能不同的表層的工藝方法。
2023-05-22 11:07:221514 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222 
拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點(diǎn)蝕會(huì)抵消晶圓清潔過程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03783 一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素，除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外，還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料，要拋光物件材質(zhì)，操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等，在條件都合適的情況下，自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535 手機(jī)板）的板，就一定要采用化學(xué)鍍鎳/金工藝（Et.Ni5.Au0.1）。有的廠家也采用整板鍍金工藝（Ep.Ni5.Au0.05）處理。前者表面更平整，鍍層厚度更均勻、更耐焊，而后者便宜、亮度好。
從
2023-04-25 16:52:12
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034 
設(shè)備所替代。 自動(dòng)化拋光設(shè)備一般是針對(duì)特定工藝特定工件而設(shè)計(jì)的非標(biāo)設(shè)備，可以進(jìn)行高效率的拋光打磨工作，常見的設(shè)備便是工業(yè)機(jī)器人。物通博聯(lián)工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)可以采集各類打磨拋光設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人內(nèi)的控制器PLC數(shù)據(jù)，將各
2023-04-14 10:21:59338 
很早以前看過這樣一個(gè)報(bào)道：德國(guó)、日本等國(guó)家的科學(xué)家耗時(shí)5年時(shí)間，花了近千萬元打造了一個(gè)高純度的硅-28材料制成的圓球，這個(gè)1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測(cè)量（球面度、粗糙度和質(zhì)量），可謂
2023-04-13 14:24:341685 CMP0603AFX-3300ELF
2023-04-06 23:30:58
CMP1206-FX-5100ELF
2023-04-06 23:30:40
CMP0603-FX-1004ELF
2023-04-06 23:29:30
在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 。 因此，關(guān)于負(fù)極衰減機(jī)理研究的多是關(guān)于石墨材料的衰減機(jī)理。 電池容量的衰減包括存儲(chǔ)及使用時(shí)的衰減，存儲(chǔ)時(shí)的衰減通常與電化學(xué)性能參數(shù)變化(阻抗等)有關(guān)，使用時(shí)除電化學(xué)性能變化外， 還伴隨有結(jié)構(gòu)等機(jī)械應(yīng)力的變化、析鋰等現(xiàn)象。
2023-03-27 10:40:52538 根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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