0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的材料去除機(jī)理

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-06-02 15:24 ? 次閱讀

藍(lán)寶石材料經(jīng)過(guò)長(zhǎng)晶、掏棒、切割、研磨、拋光等加工工藝后達(dá)到所需的表面效果,拋光是藍(lán)寶石加工的最后一道工序,決定著拋光后的表面效果。目前化學(xué)機(jī)械拋光Chemical Mechanical Polishing (CMP)是主要的拋光方式之一。

b6454b7a-fc57-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中所用的拋光墊表面非常粗糙,拋光墊粗糙度的數(shù)量級(jí)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于拋光液顆粒的粒徑,致使一部分拋光液顆粒隨著拋光液的流動(dòng)而無(wú)法參加拋光。

當(dāng)藍(lán)寶石基片與拋光墊表面接觸時(shí),只有拋光墊表面凸出部分才能與藍(lán)寶石基片接觸,而較凹的部分無(wú)法與藍(lán)寶石基片接觸,所以實(shí)際接觸面并不像我們看到的接觸面那樣大。附著在拋光墊表面的凸峰上且拋光液粒徑大于平均值的顆粒才能參加拋光,稱(chēng)之為有效磨粒。假設(shè),磨粒在拋光墊與藍(lán)寶石基片接觸區(qū)域的分布與在拋光液中的分布相同,且為均勻分布。拋光墊表面粗糙峰高度的分布服從正態(tài)分布,那么實(shí)際接觸面積與有效顆粒數(shù)均與拋光壓力、轉(zhuǎn)速成正比,所以藍(lán)寶石去除速率與壓力、轉(zhuǎn)速成正比。

b65c5ee6-fc57-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

藍(lán)寶石拋光液的PH值呈堿性,一般為10~13,在此堿性環(huán)境中會(huì)發(fā)生如下化學(xué)反應(yīng):

Al2O3+2OH-=2AlO2-+H2O

Al(OH)3+OH-=AlO2-+2H2O

CMP過(guò)程主要是拋光液化學(xué)腐蝕à拋光液磨粒磨削去除à去除物被拋光液帶走,這三步在拋光過(guò)程中是同時(shí)發(fā)生的,缺一不可。即拋光液與藍(lán)寶石基片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成一層反應(yīng)層,拋光液中的磨粒與反應(yīng)層發(fā)生磨削去除作用,同時(shí)新的拋光液流入,舊的拋光液以及磨削廢屑被帶走。由此可見(jiàn)化學(xué)腐蝕對(duì)藍(lán)寶石材料的去除率影響很大,只有被腐蝕的藍(lán)寶石表面才能被去除,磨粒在未腐蝕的表面很難產(chǎn)生去除作用。

在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見(jiàn),去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。

當(dāng)腐蝕率>機(jī)械去除率時(shí),藍(lán)寶石表面材料被拋光液腐蝕,質(zhì)地變軟,較易去除;但當(dāng)腐蝕率<機(jī)械去除率時(shí),部分磨粒會(huì)在未被腐蝕或不完全腐蝕的藍(lán)寶石表面上磨擦,其去除量將明顯降低。當(dāng)腐蝕率=機(jī)械去除率時(shí),以這一點(diǎn)對(duì)應(yīng)的去除參數(shù)進(jìn)行加工可以得到良好的藍(lán)寶石表面效果。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 機(jī)械
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    1580

    瀏覽量

    40567
  • 拋光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    48

    瀏覽量

    11801

原文標(biāo)題:藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的材料去除機(jī)理

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    基于白光干涉測(cè)量的非接觸光學(xué)測(cè)量方法評(píng)估化學(xué)機(jī)械拋光

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)部得到了廣泛的應(yīng)用,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)加工處理的質(zhì)量不僅要通過(guò)最終的表面平面度,而且也要通過(guò)拋光時(shí)人為造成缺陷的程度來(lái)評(píng)價(jià),這些人為造成的缺陷包
    發(fā)表于 07-30 17:55 ?1707次閱讀
    基于白光干涉測(cè)量的非接觸光學(xué)測(cè)量方法評(píng)估<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>面

    半導(dǎo)體行業(yè)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

    最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到
    的頭像 發(fā)表于 01-12 09:54 ?1074次閱讀
    半導(dǎo)體行業(yè)<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>技術(shù)

    碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

    材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:16 ?2056次閱讀
    碳化硅晶片的<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>技術(shù)研究

    新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展

    化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)的新穎銅平坦化工藝———電化學(xué)機(jī)械拋光(ECMP)應(yīng)運(yùn)而生,ECMP 很低的壓力下實(shí)現(xiàn)了對(duì)銅的平坦化,解決了多孔低介電常數(shù)介質(zhì)的平坦化問(wèn)題,被譽(yù)為未來(lái)半導(dǎo)體平坦
    發(fā)表于 10-06 10:08

    化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題

    亞微米半導(dǎo)體制造,器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù),這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原
    發(fā)表于 04-09 11:43 ?9次下載

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及存在問(wèn)題

    亞微米半導(dǎo)體制造 , 器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 技術(shù) , 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光
    發(fā)表于 06-04 14:24 ?12次下載

    氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述

    氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
    發(fā)表于 07-02 11:23 ?46次下載

    刷洗清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理—江蘇華林科納半導(dǎo)體

    化學(xué)機(jī)械拋光原位清洗模塊,而不是在后原位濕法清洗過(guò)程中。因此,化學(xué)機(jī)械拋光后的原位清洗優(yōu)化和清洗效率的提高
    發(fā)表于 01-11 16:31 ?688次閱讀
    刷洗清洗<b class='flag-5'>過(guò)程中</b>的顆粒<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>—江蘇華林科納半導(dǎo)體

    多晶硅薄膜后化學(xué)機(jī)械拋光的新型清洗解決方案

    索引術(shù)語(yǔ)—清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)了新型清洗液,稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
    發(fā)表于 01-26 17:21 ?950次閱讀
    多晶硅薄膜后<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>的新型清洗解決方案

    CMP后化學(xué)機(jī)械拋光清洗的納米顆粒去除報(bào)告

    介電常數(shù)介質(zhì)。化學(xué)機(jī)械拋光的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)粗糙表面的平面化。化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中,晶片被倒置載體,并被壓入與流過(guò)漿液飽和
    發(fā)表于 01-27 11:39 ?951次閱讀
    CMP后<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>清洗<b class='flag-5'>中</b>的納米顆粒<b class='flag-5'>去除</b>報(bào)告

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的現(xiàn)狀和未來(lái)

    幾乎所有的直接晶圓鍵合都是化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。晶圓鍵合引入化學(xué)
    發(fā)表于 03-23 14:16 ?1534次閱讀
    <b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>(CMP)的現(xiàn)狀和未來(lái)

    采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝去除機(jī)理

    采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝,半導(dǎo)體工業(yè)已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實(shí)現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。
    發(fā)表于 03-23 14:17 ?2205次閱讀
    采用<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>(CMP)工藝<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    半導(dǎo)體行業(yè)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解

    20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光
    的頭像 發(fā)表于 08-02 10:48 ?1.5w次閱讀
    半導(dǎo)體行業(yè)<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>化學(xué)機(jī)械拋光</b>(CMP)技術(shù)詳解

    芯秦微獲A+輪融資,用于化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)線建設(shè)

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前最主流的晶圓拋光技術(shù),拋光過(guò)程中,晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求,選擇符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指標(biāo)要求的
    的頭像 發(fā)表于 11-16 16:16 ?540次閱讀

    化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)的深度探索

    半導(dǎo)體制造這一高度精細(xì)且復(fù)雜的領(lǐng)域里,CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)技術(shù)就像是一顆默默閃耀在后臺(tái)的璀璨寶石,盡管不為普通大眾所知曉,但在芯片制造的整個(gè)流程,它卻是不可或缺的重要一環(huán)。今天,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 09:50 ?233次閱讀