北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）成功通過(guò)科創(chuàng)板首次公開(kāi)募股（IPO）審核，這標(biāo)志著這家專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。晶亦精微主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及相關(guān)的技術(shù)服務(wù)，為集成電路制造商提供關(guān)鍵設(shè)備支持。
2024-03-06 14:37:49
249 什么是電化學(xué)電容器？電化學(xué)超級(jí)電容器有什么特點(diǎn)？ 電化學(xué)電容器是一種儲(chǔ)能裝置，它利用電化學(xué)反應(yīng)將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能，進(jìn)而存儲(chǔ)電荷。與傳統(tǒng)的電容器相比，電化學(xué)電容器具有更大的能量?jī)?chǔ)存能力和更高的功率密度
2024-03-05 16:30:07155 據(jù)了解，中機(jī)新材專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)高性能研磨拋光材料的研發(fā)與應(yīng)用，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供量身打造的工業(yè)磨拋解決方案，力求協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)徹底解決長(zhǎng)期困擾的瓶頸問(wèn)題。
2024-02-21 16:56:53406 本文將探討萬(wàn)兆電口模塊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)前景。市場(chǎng)需求增長(zhǎng)迅速，企業(yè)、數(shù)據(jù)中心、園區(qū)網(wǎng)等需求不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。產(chǎn)業(yè)鏈布局完整，技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)需加強(qiáng)協(xié)同合作。
2024-02-21 16:13:49107 上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）的首次公開(kāi)募股（IPO）已經(jīng)成功過(guò)會(huì)，未來(lái)該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司，主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）科創(chuàng)板IPO順利過(guò)會(huì)，即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，特別是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件
2024-02-20 09:34:15171 CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微傳來(lái)科創(chuàng)板IPO的新動(dòng)態(tài)，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。晶亦精微作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，專(zhuān)注于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，并為客戶(hù)提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 MINI品牌HFCN-7150+：重塑射頻微波的未來(lái) HFCN-7150+ 技術(shù)參數(shù) 感謝您對(duì)HFCN-7150+芯片的關(guān)注。以下是該芯片的主要技術(shù)參數(shù)，以便您更好地了解產(chǎn)品
2024-01-31 11:29:39
MINI品牌ZVA-403GX+：卓越性能，引領(lǐng)未來(lái) ZVA-403GX+的技術(shù)參數(shù)如下：封裝形式：AV2578增益：11噪聲系數(shù)：4.5功率輸出：11接頭形式：2.92mm工作頻率范圍
2024-01-31 11:26:04
材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36431 
ZR機(jī)械手：未來(lái)工業(yè)自動(dòng)化的重要組成部分 隨著科技的飛速發(fā)展，工業(yè)自動(dòng)化已成為制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵。在這個(gè)過(guò)程中，ZR機(jī)械手以其卓越的性能和創(chuàng)新的技術(shù)，成為了未來(lái)工業(yè)自動(dòng)化的重要組成部分。 一、技術(shù)
2024-01-23 17:09:00125 最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動(dòng)強(qiáng)度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險(xiǎn)和無(wú)法滿(mǎn)足高質(zhì)量要求等痛點(diǎn)。因此，應(yīng)用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 隨著科技的不斷發(fā)展，金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-04 10:17:39259 宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機(jī)械臂，通過(guò)類(lèi)人類(lèi)觸覺(jué)、力位控制策略與直觀(guān)易用的打磨app，實(shí)現(xiàn)均勻一致的打磨效果，打破“被動(dòng)柔順”方案的不可控性與精度限制，使表面精加工技術(shù)效率和精度大幅提升
2024-01-03 13:36:22145 
型號(hào)：CMP100N03-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：TO220- 溝道類(lèi)型：N—Channel- 額定電壓：30V- 最大電流：120A- 開(kāi)態(tài)電阻：RDS
2023-12-29 11:14:25
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過(guò)程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409 12月27日消息，根據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強(qiáng) ESG（環(huán)境、社會(huì)、治理）管理。
2023-12-27 13:48:50231 
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335 
機(jī)床的機(jī)械響應(yīng)在電機(jī)快速運(yùn)轉(zhuǎn)的時(shí)候有什么影響
2023-12-15 06:20:11
LabVIEW開(kāi)發(fā)新型電化學(xué)性能測(cè)試設(shè)備
開(kāi)發(fā)了一種基于Arduino和LabVIEW的新型電化學(xué)性能測(cè)試裝置，專(zhuān)門(mén)用于實(shí)驗(yàn)電池，特別是在鋰硫（Li-S）技術(shù)領(lǐng)域的評(píng)估。這種裝置結(jié)合了簡(jiǎn)單、靈活
2023-12-10 21:00:05
在北京亦莊項(xiàng)目建設(shè)方面，華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)實(shí)行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，用于公司開(kāi)展化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、建設(shè)周期預(yù)計(jì)26個(gè)月。
2023-12-07 16:30:58462 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19416 
四張圖看懂晶體管現(xiàn)狀
2023-11-29 16:17:32294 
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因?yàn)閱渭兊奈锢硌心?huì)引入顯著的機(jī)械損傷，如劃痕和位錯(cuò)，且無(wú)法達(dá)到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
情感語(yǔ)音識(shí)別是一種涉及多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域的前沿技術(shù)，包括心理學(xué)、語(yǔ)言學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)等。它通過(guò)分析人類(lèi)語(yǔ)音中的情感信息，實(shí)現(xiàn)更加智能化和個(gè)性化的人機(jī)交互。本文將探討情感語(yǔ)音識(shí)別的現(xiàn)狀與未來(lái)趨勢(shì)。
2023-11-28 17:22:47317 的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來(lái)趨勢(shì)。 二、情感語(yǔ)音識(shí)別的現(xiàn)狀 技術(shù)發(fā)展：隨著深度學(xué)習(xí)技術(shù)的不斷進(jìn)步，情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)得到了快速發(fā)展。目前，基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）、循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）和長(zhǎng)短期記憶網(wǎng)絡(luò)（LSTM）等深度學(xué)習(xí)模型的語(yǔ)音
2023-11-22 11:31:25302 據(jù)鼎龍控股集團(tuán)消息，鼎龍（仙桃）半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地218畝，建筑面積11.5萬(wàn)平方米，項(xiàng)目總投資約10億元人民幣。經(jīng)過(guò)15個(gè)月的建設(shè)，同時(shí)進(jìn)入千噸級(jí)半導(dǎo)體oled面板光刻膠（pspi）、萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液（slurry）和萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過(guò)程中，晶圓廠(chǎng)會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212 一、引言 情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)是近年來(lái)人工智能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，它通過(guò)分析人類(lèi)語(yǔ)音中的情感信息，為智能客服、心理健康監(jiān)測(cè)、娛樂(lè)產(chǎn)業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域提供了重要的支持。本文將探討情感語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的現(xiàn)狀和未來(lái)
2023-11-15 16:36:18240 近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線(xiàn)。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
如何使用AT32F415比較器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
51單片機(jī)怎么處理機(jī)械臂數(shù)據(jù)
2023-10-31 06:29:13
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比較器(CMP)。AT32F421系列內(nèi)置一個(gè)超低功耗比較器CMP，它可用作獨(dú)立器件（I/O上提供了全部接口），也可以與定時(shí)器結(jié)合使用。
2023-10-24 08:07:14
這篇應(yīng)用筆記描述了怎么使用AT32F415xx的比較器(CMP)。AT32F415系列內(nèi)置兩個(gè)超低功耗比較器CMP1和CMP2，可以用于多種功能，包括：外部模擬信號(hào)的監(jiān)測(cè)控制及從低功耗模式喚醒，與內(nèi)置定時(shí)器結(jié)合使用，進(jìn)行脈沖寬度測(cè)量和PWM信號(hào)控制等。
2023-10-24 07:38:06
科瑞特DMC600系列是一款多功能的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，主要應(yīng)用于焊接、拋光、機(jī)械手等設(shè)備。實(shí)現(xiàn)多軸聯(lián)動(dòng)，多種插補(bǔ)，如：直線(xiàn)、圓弧、拋物線(xiàn)、螺旋線(xiàn)插補(bǔ)等。下面以3軸拋光示教系統(tǒng)為例，舉例工件加工的編輯方法
2023-10-23 08:07:55379 
能源管理平臺(tái)的建設(shè)過(guò)程及其功能特點(diǎn)，以期為企業(yè)實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排、提高生產(chǎn)效率提供有益參考。 一、機(jī)械加工企業(yè)能源管理現(xiàn)狀與問(wèn)題 目前，許多機(jī)械加工企業(yè)的能源管理仍采用傳統(tǒng)的管理模式，如人工統(tǒng)計(jì)、紙質(zhì)存檔等方式，
2023-10-19 15:26:40245 能源管理平臺(tái)的建設(shè)過(guò)程及其功能特點(diǎn)，以期為企業(yè)實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排、提高生產(chǎn)效率提供有益參考。 一、機(jī)械加工企業(yè)能源管理現(xiàn)狀與問(wèn)題 目前，許多機(jī)械加工企業(yè)的能源管理仍采用傳統(tǒng)的管理模式，如人工統(tǒng)計(jì)、紙質(zhì)存檔等方式，
2023-10-12 17:14:38234 一、引言 語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)是一種將人類(lèi)語(yǔ)音轉(zhuǎn)化為計(jì)算機(jī)可讀文本的技術(shù)，它在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如智能助手、智能家居、醫(yī)療診斷等。本文將探討語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和未來(lái)發(fā)展。 二、語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)的現(xiàn)狀
2023-10-12 16:57:30953 儲(chǔ)能的本質(zhì)是實(shí)現(xiàn)能量時(shí)間和空間上的移動(dòng)，讓能量更加可控。按技術(shù)角度分，儲(chǔ)能可分為機(jī)械儲(chǔ)能、電化學(xué)儲(chǔ)能、電磁儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能等多種路線(xiàn)，如圖1所示。目前，國(guó)內(nèi)可投入商業(yè)化應(yīng)用的儲(chǔ)能技術(shù)有抽水儲(chǔ)能、壓縮空氣儲(chǔ)能、飛輪儲(chǔ)能、鋰電池儲(chǔ)能、鉛酸電池儲(chǔ)能、蓄熱儲(chǔ)能等[1]。
2023-10-11 16:42:26524 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車(chē)電子的發(fā)展與現(xiàn)狀.doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-10 09:50:24
2 兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-22 09:13:04
服務(wù)內(nèi)容廣電計(jì)量是國(guó)內(nèi)鹽霧試驗(yàn)?zāi)芰^完善的權(quán)威檢測(cè)認(rèn)證服務(wù)機(jī)構(gòu)之一，為您提供專(zhuān)業(yè)的耐化學(xué)試劑試驗(yàn)和產(chǎn)品評(píng)價(jià)。服務(wù)范圍本商品可提供針對(duì)汽車(chē)零部件、電動(dòng)工具、家用電器、信息技術(shù)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電源設(shè)備
2023-09-21 16:55:57
兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:040 兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同時(shí)滿(mǎn)足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03
得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮，世界cmp拋光液市場(chǎng)正在經(jīng)歷明顯的增長(zhǎng)。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分，在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體的格局不斷重新形成，對(duì)cmp拋光液的需求從來(lái)沒(méi)有這么高過(guò)。
2023-09-14 10:28:36664 隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，點(diǎn)云標(biāo)注技術(shù)作為其關(guān)鍵組成部分，已經(jīng)在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。本文將介紹自動(dòng)駕駛點(diǎn)云標(biāo)注技術(shù)的現(xiàn)狀以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。 自動(dòng)駕駛點(diǎn)云標(biāo)注技術(shù)的現(xiàn)狀 點(diǎn)云標(biāo)注是通過(guò)
2023-09-13 18:09:41444 功能，內(nèi)置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運(yùn)放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時(shí)器、12位ADC、Touchkey等豐富外設(shè)資源。 CH32X035系列提供最多2個(gè)可獨(dú)立配置
2023-09-11 16:20:44
技術(shù)的現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 一、基于點(diǎn)云標(biāo)注的自動(dòng)駕駛技術(shù)現(xiàn)狀 目前，基于點(diǎn)云標(biāo)注的自動(dòng)駕駛技術(shù)已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展，各大汽車(chē)制造商和科技公司紛紛投入巨資研發(fā)。通過(guò)點(diǎn)云標(biāo)注技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)輛周?chē)h(huán)境的實(shí)時(shí)感知
2023-09-06 18:10:55531 、USB PD及Type-C快充功能，內(nèi)置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運(yùn)放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時(shí)器、12位ADC、Touchkey等豐富外設(shè)資源
2023-09-02 14:45:14
新的晶圓工藝工具包括高溫外延生長(zhǎng)（>1,500°C）、熱離子注入、快速熱處理（RTP）和更快的脈沖原子層沉積。用于SiC 材料的晶圓研磨、CMP、拋光墊和漿料也在發(fā)生重大改進(jìn)，包括剝離劑和清潔化學(xué)品在內(nèi)的新材料可滿(mǎn)足設(shè)備和可持續(xù)性需求。
2023-08-28 15:21:35375 
近日，為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)上產(chǎn)業(yè)化CMP建模工具的空白，滿(mǎn)足芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓制造廠(chǎng)的需求，廣立微正式推出CMP EXPLORER（簡(jiǎn)稱(chēng)“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解決行業(yè)的痛點(diǎn)。
2023-08-28 15:13:34790 
不同的加工目的選擇不同的加工方法。平面拋光機(jī)需要粗磨、細(xì)磨和拋光，以不斷提高加工零件的表面精度并降低表面粗糙度。超精密磨削的范圍很廣，主要包括機(jī)械磨削、彈性發(fā)射加工、浮
2023-08-28 08:08:59355 首先我們了解一下歐姆龍CMP指令，CMP指令是一種用于比較兩個(gè)數(shù)值的指令，常用于控制系統(tǒng)中的邏輯判斷和決策。該指令可以比較兩個(gè)16位的數(shù)據(jù)，如果它們相等，則將零標(biāo)志位設(shè)置為1，否則將其清零。
2023-08-23 11:12:592434 
以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見(jiàn)把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價(jià)值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，其品質(zhì)直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
據(jù)介紹，在器件制造過(guò)程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng)，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 電化學(xué)拋光(EP)通過(guò)選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門(mén)A股消息頻傳，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微，半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷(xiāo)售的設(shè)備供應(yīng)商。
2023-07-14 11:01:15460 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 17:25:01626 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 01:04:001336 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來(lái)分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
據(jù)通州區(qū)馬駒橋鎮(zhèn)政府消息，華海清科集成電路尖端設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目位于馬聚橋鎮(zhèn)智能制造基地，主要涉及化學(xué)機(jī)械光處理（cmp）設(shè)備，減薄機(jī)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。如果該項(xiàng)目得以實(shí)現(xiàn)，將具備28納米以下尖端工程的cmp設(shè)備研究開(kāi)發(fā)能力和每月加工20萬(wàn)個(gè)12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711 CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電，具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15
CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電，具體取決于
2023-06-28 17:19:58
梳理、分析了核化工項(xiàng)目中各類(lèi)機(jī)械手的工作原理和功能特點(diǎn)，并就各類(lèi)機(jī)械手的適用場(chǎng)景進(jìn)行了對(duì)比，介紹了在選擇和設(shè)計(jì)機(jī)械手時(shí)需考慮的因素，總結(jié)了當(dāng)前的研究進(jìn)展和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，以期為今后其他項(xiàng)目的機(jī)械
2023-06-25 14:23:052143 
電拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝，它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點(diǎn)呢，今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解，希望幫助大家在選購(gòu)適合自己工廠(chǎng)真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44569 化學(xué)工業(yè)（chemical industry）又稱(chēng)化學(xué)加工工業(yè)，泛指生產(chǎn)過(guò)程中化學(xué)方法占主要地位的過(guò)程工業(yè)。化學(xué)工業(yè)是從19世紀(jì)初開(kāi)始形成，并發(fā)展較快的一個(gè)工業(yè)部門(mén)。化學(xué)工業(yè)在許多國(guó)家的國(guó)民經(jīng)濟(jì)
2023-06-16 10:28:14255 
北方某客戶(hù)在CMP設(shè)備使用了哈默納科執(zhí)行器SHA、RSF、HMA和FHA系列產(chǎn)品，滿(mǎn)足了客戶(hù)對(duì)于提高控制精度，高速定位，緊湊安裝空間的需求。
2023-06-14 09:48:39327 
機(jī)械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠(chǎng)流水線(xiàn)上常見(jiàn)的工序，可以有效的提升生產(chǎn)效率，本文針對(duì)機(jī)械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見(jiàn)任務(wù)，結(jié)合深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及視覺(jué)反饋，采用AprilTag視覺(jué)標(biāo)簽、后視經(jīng)驗(yàn)回放機(jī)制
2023-06-12 11:25:221214 
在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進(jìn)行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653 
在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng)，我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率，由此可見(jiàn)，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
? 電化學(xué)傳感器是通過(guò)電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的電信號(hào)（一般包括電位、電流、阻抗等）對(duì)待測(cè)對(duì)象進(jìn)行檢測(cè)的一種化學(xué)分析技術(shù)。電化學(xué)傳感器因其對(duì)特殊靶標(biāo)例如血糖、尿酸、乳酸等代謝物、血?dú)狻⑥r(nóng)藥殘留、重金屬離子
2023-05-31 08:39:002350 
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類(lèi)，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
速科德Kasite打磨拋光主軸主要對(duì)高精度零件的加工處理，如汽車(chē)零部件、光纖接插件陶瓷加工、義齒加工雕銑等行業(yè)。這些高精度零件如果在拋光打磨過(guò)程中稍有誤差可能就會(huì)導(dǎo)致零件的報(bào)廢，造成較大的經(jīng)濟(jì)損失，因此一款高精度高性能打磨拋光主軸就顯得尤為重要。
2023-05-29 17:39:48743 
在電化學(xué)界面反應(yīng)過(guò)程中，由于電化學(xué)反應(yīng)界面通常與恒定電極電勢(shì)的外電極相連，為確保電子的化學(xué)勢(shì)與外電極的電勢(shì)達(dá)到平衡
2023-05-26 09:44:431080 
本文將分析工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)外工控安全主流廠(chǎng)商發(fā)展態(tài)勢(shì)，分析我國(guó)工控安全市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀，展望未來(lái)工控安全技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用趨勢(shì)。
2023-05-25 10:42:082736 
水凝膠由于其獨(dú)特的3D結(jié)構(gòu)、高滲透性、離子導(dǎo)電性和類(lèi)組織機(jī)械性能，在柔性化學(xué)傳感器領(lǐng)域引起了相當(dāng)大的關(guān)注。
2023-05-18 09:30:27394 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
的模式出現(xiàn)。許多業(yè)內(nèi)專(zhuān)家更是認(rèn)為，開(kāi)源是未來(lái)的 AI 領(lǐng)域技術(shù)工具產(chǎn)品存活于市場(chǎng)的必要條件。
然而，在備受追捧的現(xiàn)狀背后，也隱藏著眾多風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)，比如數(shù)據(jù)安全和隱私保護(hù)的問(wèn)題，我們?cè)撊绾芜m合 AI 浪潮
2023-05-09 09:49:41
經(jīng)受?chē)?yán)苛環(huán)境的考驗(yàn)。 基于此，TE在工業(yè)機(jī)械設(shè)計(jì)領(lǐng)域開(kāi)展了一次深入調(diào)研，一方面探尋工業(yè)機(jī)械設(shè)計(jì)領(lǐng)域不斷變化的需求，另一方面定位永恒不變的根基，用更加精準(zhǔn)和有效的產(chǎn)品和服務(wù)滿(mǎn)足客戶(hù)需求，助推工業(yè)機(jī)械設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)型和進(jìn)步。 發(fā)現(xiàn)一 未來(lái)工業(yè)機(jī)械轉(zhuǎn)
2023-05-06 14:39:13494 
一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素，除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外，還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料，要拋光物件材質(zhì)，操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等，在條件都合適的情況下，自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535 [技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線(xiàn)的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程，接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034 
拋光工作在電鍍、涂裝、陽(yáng)極氧化等表面處理過(guò)程中發(fā)揮重要作用。早期的拋光工作由工人手動(dòng)操作，通過(guò)經(jīng)驗(yàn)和觀(guān)察進(jìn)行打磨拋光。此種作業(yè)方式既損害環(huán)境和身體健康，也具備較大的安全風(fēng)險(xiǎn)和人力成本，逐漸被自動(dòng)拋光
2023-04-14 10:21:59338 
很早以前看過(guò)這樣一個(gè)報(bào)道：德國(guó)、日本等國(guó)家的科學(xué)家耗時(shí)5年時(shí)間，花了近千萬(wàn)元打造了一個(gè)高純度的硅-28材料制成的圓球，這個(gè)1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測(cè)量（球面度、粗糙度和質(zhì)量），可謂
2023-04-13 14:24:341685 CMP0603AFX-3300ELF
2023-04-06 23:30:58
CMP1206-FX-5100ELF
2023-04-06 23:30:40
CMP0603-FX-1004ELF
2023-04-06 23:29:30
根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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